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内存（（10402）

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MT25QU01GBBB8E12E-0AUT	19.8600	RFQ	8676	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT25QU01GBBB8E12E-0AUT			1
MT49H16M36BM-25 IT：b	-	RFQ	6084	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	MT49H16M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
MT47H256M8EB-25E XIT：c tr	-	RFQ	4404	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H256M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-FBGA （9x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
MT25QL02GCBB8E12-0AAT TR	34.4100	RFQ	3006	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QL02	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	spi	8ms，2.8ms
M29W400DT55ZE6F TR	-	RFQ	6866	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M29W400	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tfbga（6x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	55ns
mtfc4glwdm-4m aat a	11.0850	RFQ	5598	微米技术公司	-	托盘	积极的				mtfc4				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MTFC4GLWDM-4MAATA		0000.00.0000	1,520
MT53E768M32D2FW-046 wt：c	24.0600	RFQ	3702	微米技术公司	-	托盘	积极的								-	rohs3符合条件			557-MT53E768M32D2FW-046WT：c			1
MT53E256M16D1FW-046 AAT：b	9.3900	RFQ	2957	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E256M16D1FW-046AAT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	18NS
MT29F16T08GSLCEG4-QB：c tr	312.5850	RFQ	4461	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F16T08GSLCEG4-QB：CTR			1,500
MT62F2G32D4DS-023 AAT：b tr	63.8550	RFQ	2714	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F2G32D4DS-023AAT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	平行线	-
MT62F2G64D8EK-023 AAT：b	126.4350	RFQ	8710	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F2G64D8EK-023AAT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	2G x 64	平行线	-
N25Q032A13ESEH0F TR	-	RFQ	6232	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	N25Q032A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-so	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,500	108 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	8m x 4	spi	8ms，5ms
MT41K256M16HA-125 AIT：e	-	RFQ	1183	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
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MT29F4G08ABAFAWP-IT：f tr	3.0489	RFQ	4472	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT29F4G08ABAFAWP-IT：ftr		8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT29F768G08EEHBBJ4-3R：b	-	RFQ	9583	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F768G08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	768Gbit		闪光	96g x 8	平行线	-
MT62F1536M32D4DS-023 IT：b	37.6950	RFQ	8394	微米技术公司	-	盒子	积极的	-	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	-	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1536M32D4DS-023IT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	1.5GX 32	平行线	-
N25W064A11EF640F TR	-	RFQ	5548	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25W064	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	4,000	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	-
MT29C4G48MAZAMAKC-5 IT	-	RFQ	8688	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	107-TFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	107-TFBGA	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT29F2G16ABBGAH4-AAT：G	2.7962	RFQ	5716	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G16	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G16ABBGAH4-AAT：g			1,260		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
MT29F8T08GULCEM4-QJ：c	156.3000	RFQ	1535年	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F8T08GULCEM4-QJ：c			1
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R：b tr	-	RFQ	5703	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1HT08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	1.5Tbit		闪光	192g x 8	平行线	-
MT47H128M8CF-3 AIT：h	-	RFQ	9338	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MT42L256M32D4KP-3 IT：a	-	RFQ	1322	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	MT42L256M32	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v	168-FBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	333 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	平行线	-
MT41J256M8DA-093：k	-	RFQ	7356	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41J256M8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,440	1.066 GHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT29F1T08EELEEJ4-T：E TR	21.4500	RFQ	3628	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	表面安装	132-vbga		Flash -nand（tlc）	2.6v〜3.6V	132-vbga（12x18）	-				557-MT29F1T08EELEEJ4-T：ETR			2,000		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
mtfc64gaxaqea-wt	7.5600	RFQ	1321	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MTFC64GAXAQEA-WT			1
N25Q128A11EF740E	-	RFQ	2070	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25Q128A11	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	490	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
MT53E512M32D1NP-053 RS wt：b tr	9.3150	RFQ	9678	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	200-WFBGA				200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E512M32D1NP-053RSWT：BTR			2,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²