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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT41K256M16TW-107 AUT：P TR	8.4000	RFQ	1632年	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT53B1024M32D4NQ-053 wt：c tr	-	RFQ	6762	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53B1024	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT28F320J3BS-11GMET	2.0000	RFQ	4	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装			闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（10x13）	-				3277-MT28F320J3BS-11GMET	Ear99	8542.32.0071	500		非易失性	32Mbit	110 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线		未行业行业经验证
MT62F1G64D8EK-031 WT：b tr	46.6200	RFQ	6757	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F1G64D8EK-031WT：BTR			1,500	3.2 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	平行线	-
MT29F1G16ABBDAH4-IT：D Tr	-	RFQ	1273	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	64m x 16	平行线	-
N25Q032A13ESF40G	-	RFQ	1552	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	N25Q032A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,225	108 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	8m x 4	spi	8ms，5ms
MT53E512M32D2NP-053 RS wt：h	8.4000	RFQ	6065	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT53E512M32D2NP-053RSWT：h			1
MT53E256M32D2DS-053自动：b tr	17.8200	RFQ	4577	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E256	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E256M32D2DS-053AUT：BTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
MT29F512G08CKCABH7-6：a	-	RFQ	1273	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-TBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	152-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980	166 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT29C4G48MAZAMAKC-5 IT	-	RFQ	8688	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	107-TFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	107-TFBGA	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT29F2G16ABBGAH4-AAT：G	2.7962	RFQ	5716	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G16	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G16ABBGAH4-AAT：g			1,260		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R	-	RFQ	5433	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.5V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT41K128M16JT-125 M：k	-	RFQ	3979	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K128M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	易挥发的	2Gbit	13.75 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
MT48LC4M16A2P-6A AAT：j tr	-	RFQ	8169	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC4M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	12ns
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR：d	-	RFQ	1939年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	166 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT41J64M16TW-093：j	-	RFQ	5846	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41J64M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（8x14）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,368	1.066 GHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT TR	-	RFQ	5806	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	137-TFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-TFBGA（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），64m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT53B512M64D4EZ-062 wt：c tr	-	RFQ	1074	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
mtfc16gakaena-4m it tr	-	RFQ	5576	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-TBGA	MTFC16	闪存-NAND	1.7V〜1.9V	100-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT40A1G16WBU-083E：b tr	-	RFQ	8932	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A1G16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.2 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	1G x 16	平行线	-
MT29F8T08GULCEM4-QJ：c	156.3000	RFQ	1535年	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F8T08GULCEM4-QJ：c			1
MT62F1536M32D4DS-023 AAT：b	47.8950	RFQ	9560	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	-	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1536M32D4DS-023AAT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
MT40A1G8SA-062E自动：e	11.6400	RFQ	9635	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT40A1G8SA-062EAUT：e	Ear99	8542.32.0036	1,260	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
MT62F2G64D8EK-023 FAAT：c tr	126.4350	RFQ	2194	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F2G64D8EK-023FAAT：CTR			2,000	4.266 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	2G x 64	平行线	-
MT29F8T08EQLCHL5-QA：c tr	167.8050	RFQ	9117	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F8T08EQLCHL5-QA：CTR			2,000
MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J TR	12.4500	RFQ	9943	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	149-WFBGA		Flash -nand（slc），DRAM -LPDDR4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	149-WFBGA（8x9.5）	-				557-MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87JTR			2,000		非易失性，挥发性	4Gbit	25 ns	闪光，ram	512m x 8	onfi	30ns
MT40A1G16RC-062E IT：b tr	-	RFQ	9680	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A1G16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（10x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT40A1G16RC-062EIT：BTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	15ns
MT48LC4M32B2B5-6A AIT：l	-	RFQ	8006	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48LC4M32B2	Sdram	3v〜3.6V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,440	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	12ns
mtfc2gmdea-0m wt a tr	-	RFQ	5093	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc2g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC2GMDEA-0MWTATR	过时的	8542.32.0071	2,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	MMC	-
MT48LC16M8A2BB-6A：l	-	RFQ	2039	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-FBGA	MT48LC16M8A2	Sdram	3v〜3.6V	60-FBGA（8x16）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	12ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²