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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A1G16TB-062E：f | 17.0800 |  | 9155 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C（TC） | 表面安装 | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-fbga（7.5x13） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.5 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 1G x 16 | 平行线 | 15ns | ||
 | MT53E384M32D2DS-046自动：e | 18.5700 | | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车，AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C（TC） | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53E384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA（10x14.5） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | MT53E384M32D2DS-046AUT：e | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 12Gbit | 德拉姆 | 384m x 32 | - | - | ||
| MT53E256M32D2DS-053 AAT：b | 19.1900 | | 2 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车，AEC-Q100 | 托盘 | 上次购买 | -40°C〜105°C（TC） | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53E256 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA（10x14.5） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | MT53E256M32D2DS-053AAT：b | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 256m x 32 | - | - | ||
 | MT46H256M32L4JV-5 IT：b tr | - | | 9461 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 168-VFBGA | MT46H256M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 256m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
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 | MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR | 6.4700 | | 2 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | MT25QU256 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 16件事 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | spi | 8ms，2.8ms | |||
 | MT47H256M4HQ-5E：E TR | 27.6200 | | 900 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 0°C〜85°C（TC） | 表面安装 | 60-FBGA | MT47H256M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x11.5） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 600 ps | 德拉姆 | 256m x 4 | 平行线 | 15ns | ||
 | MT29F4G16ABADAH4-IT：D TR | - | | 6680 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G16 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga（9x11） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 256m x 16 | 平行线 | - | ||||
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| MT29F4T08EULUEEM4-R：e | 85.8150 | | 9302 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 132-BGA | Flash -nand（tlc） | 2.6v〜3.6V | 132-LBGA （12x18） | - | 557-MT29F4T08EUELEM4-R：e | 1 | 非易失性 | 4Tbit | 闪光 | 512g x 8 | 平行线 | - | |||||||||
| MT40A1G16TD-062E AAT：f tr | 27.8700 | | 3412 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车，AEC-Q100 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TC） | - | - | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | - | - | 557-MT40A1G16TD-062EAAT：ftr | 2,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 1G x 16 | 荚 | 15ns | |||||||
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 | MT58L128L32P1T-10 | 7.5200 | | 3 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP （14x20.1） | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 5 ns | SRAM | 128K x 32 | 平行线 | - | |||
| M25P64-VMF6PBA | - | | 9474 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | M25P64 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-SOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 75 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | spi | 15ms，5ms | ||||
 | MTFC8GLVEA-1F WT | - | | 2362 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 153-WFBGA | mtfc8 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-WFBGA（11.5x13） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT29F128G08CBCEBJ4-37：e | - | | 9872 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 132-vbga | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-vbga（12x18） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 267 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||
| MT62F2G64D8EK-023 AUT：C TR | 145.4250 | | 9919 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 557-MT62F2G64D8EK-023AUT：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F4G08ABAFAWP-AIT：f tr | 3.2532 | | 7665 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 上次购买 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | MT29F4G08 | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | MT29F4G08ABAFAWP-AIT：ftr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | - | |||
| MT29F16G08ABCBBM62B3WC1 | - | | 9848 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 死 | MT29F16G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 死 | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 非易失性 | 16Gbit | 闪光 | 2G x 8 | 平行线 | - | |||||
| MT53D512M32D2DS-053自动：D Tr | 21.9750 | | 3913 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车，AEC-Q100 | 胶带和卷轴（（tr） | 上次购买 | -40°C〜125°C（TC） | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA（10x14.5） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | MT53D512M32D2DS-053AUT：DTR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | - | - | ||
| MT62F1G32D2DS-023 WT ES：b | 40.9200 | | 5505 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA（10x14.5） | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WTES：b | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
 | M25PE10-VMP6TG TR | - | | 2484 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | （CT） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | M25PE10 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | （8-vdfpn（6x5）（MLP8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 75 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 闪光 | 128K x 8 | spi | 15ms，3ms | |||
 | MT29F512G08CMEABH7-12：A Tr | - | | 5426 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash -nand （MLC） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA（14x18） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | 平行线 | - | ||||
| JS28F256J3F105B TR | - | | 1724年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 56-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | JS28F256J3 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 非易失性 | 256Mbit | 105 ns | 闪光 | 32m x 8，16m x 16 | 平行线 | 105ns | |||
| MT29F2G01AAAEDH4：e tr | - | | 4102 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F2G01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga（9x11） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 2G x 1 | spi | - | ||||
| MT29F8G08BABAWP-AATX：b | - | | 9712 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车，AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | MT29F8G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | - | ||||||
| MT62F1G64D4EK-023 AUT：c | 109.1100 | | 7148 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AUT：c | 1 |
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