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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT53E256M32D1KS-046 AAT:L TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D1K-046 AAT:l tr 15.0700
RFQ
ECAD 9427 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 200-VFBGA 200-VFBGA(10x14.5) - 到达不受影响 557-MT53E256M32D1K-046AAT:LTR 1
MT41J128M16JT-093:K TR Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-093:k tr -
RFQ
ECAD 7015 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 -
MT29F16G16ADACAH4:C Micron Technology Inc. MT29F16G16ADACAH4:c -
RFQ
ECAD 6576 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F16G16 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3277-MT29F16G16ADACAH4:c 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 16Gbit 闪光 1G x 16 平行线 -
MT48LC2M32B2P-5:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-5:j tr -
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ECAD 4925 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) MT48LC2M32B2 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,000 200 MHz 易挥发的 64mbit 4.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
MT47H128M8B7-37E L:A Micron Technology Inc. MT47H128M8B7-37E L:A。 -
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ECAD 1309 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 0°C〜85°C(TC) 表面安装 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA(11x19) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 267 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NZ-46 wt:b tr 26.1150
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ECAD 8870 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 376-WFBGA MT53E512 sdram- lpddr4 1.06V〜1.17V 376-WFBGA(14x14) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 557-MT53E512M64D2NZ-46WT:BTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 3.5 ns 德拉姆 512m x 64 平行线 18NS
MT53E1536M32D4DE-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AIT:b tr 44.2350
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ECAD 6216 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT:BTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 3.5 ns 德拉姆 1.5GX 32 平行线 18NS
MT53E1536M64D8HJ-046 AUT:C Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046自动:c 103.8600
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ECAD 5181 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT53E1536M64D8HJ-046AUT:c 1
MTFC512GAXATAM-WT Micron Technology Inc. mtfc512gaxatam-wt 54.1800
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ECAD 5724 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 153-VFBGA Flash -nand(slc) - 153-VFBGA(11.5x13) - 557-MTFC512GAXATAM-WT 1 非易失性 4Tbit 闪光 512g x 8 UFS -
MT49H16M36BM-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-18:b tr -
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ECAD 7872 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA MT49H16M36 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-µBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 533 MHz 易挥发的 576Mbit 15 ns 德拉姆 16m x 36 平行线 -
MT53E512M32D2FW-046 AIT:D Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046 AIT:d 16.5000
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ECAD 4992 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 上次购买 - 557-MT53E512M32D2FW-046AIT:d 1
MT62F1536M32D4DS-023 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 AUT:b 55.0800
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ECAD 4860 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 - 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 - 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-023AUT:b 1 4.266 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 1.5GX 32 平行线 -
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4-ITE:d -
RFQ
ECAD 4349 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT62F1G16D1DS-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F1G16D1DS-023 IT:b 12.5550
RFQ
ECAD 7359 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 1.05V 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F1G16D1DS-023IT:b 1 4.266 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 1G x 16 平行线 -
MT42L128M64D2LN-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2LN-18 wt:a -
RFQ
ECAD 9341 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C 〜85°C(TC) - - MT42L128M64 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v - - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1 533 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 128m x 64 平行线 -
MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:F Micron Technology Inc. MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:f -
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ECAD 5515 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 - 557-MT53E512M32D4NQ-053RSWT:f 过时的 1
MT46V32M16CY-5B AAT:J Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B AAT:J。 -
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ECAD 8597 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-fbga(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,368 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MTFC4GLMDQ-AIT A Micron Technology Inc. mtfc4glmdq-ait a 13.9700
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ECAD 3282 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-LBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MTFC4GLMDQ-AITA 8542.32.0071 1 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
M25P10-AVMB3TP/Y TR Micron Technology Inc. M25P10-AVMB3TP/y tr -
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ECAD 6605 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 M25P10 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-fufdfpn(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 50 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi 15ms,5ms
MT29F64G08AEAAAC5-Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AAAAAC5-Z:a -
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ECAD 2667 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 52-vlga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 52-vlga(18x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT29F1T08EELCEJ4-R:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EELCEJ4-R:c -
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ECAD 2446 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F1T08 Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - 557-MT29F1T08ELCEJ4-R:c 过时的 8542.32.0071 1,120 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT53E256M32D1KS-046 IT:L TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D1K-046 IT:l tr 11.6800
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ECAD 1641年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 200-VFBGA 200-VFBGA(10x14.5) - 到达不受影响 557-MT53E256M32D1K-046IT:LTR 1
MT46H16M32LFCX-5:B TR Micron Technology Inc. MT46H1M32LFCX-5:b tr -
RFQ
ECAD 7276 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 15ns
M25P64-VMF3TPB TR Micron Technology Inc. M25P64-VMF3TPB TR -
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ECAD 4559 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) M25P64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 75 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 spi 15ms,5ms
MT29F8T08EWLGEM5-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLGEM5-ITF:g tr 304.1700
RFQ
ECAD 5173 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F8T08EWLGEM5-ITF:GTR 1,500
MT29F2T08EMLEEJ4-R:E Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-R:e 42.9300
RFQ
ECAD 7238 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 0°C〜70°C 表面安装 132-vbga Flash -nand(tlc) 2.6v〜3.6V 132-vbga(12x18) - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-R:e 1 非易失性 2Tbit 闪光 256g x 8 平行线 -
MT53E512M64D2NW-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NW-046 WT:b 23.5200
RFQ
ECAD 2909 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 表面安装 432-VFBGA MT53E512 432-VFBGA(15x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT53E512M64D2NW-046WT:b 1,360
MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-053 wt:d -
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ECAD 9809 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
MT40A512M16TD-062E AUT:R Micron Technology Inc. MT40A512M16TD-062E AUT:R。 -
RFQ
ECAD 5279 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-fbga(7.5x13) - 到达不受影响 557-MT40A512M16TD-062EAUT:R 1 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 19 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
N25Q032A13ESE40G Micron Technology Inc. N25Q032A13ESE40G -
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ECAD 2710 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) N25Q032A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SO W 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 8m x 4 spi 8ms,5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库