RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT46H16M16LFBF-5：h	-	RFQ	9064	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H16M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT47H32M16NF-25E自动：h	-	RFQ	4469	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	-			到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,368	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT51J256M32HF-80：a tr	-	RFQ	5860	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	170-TFBGA	MT51J256	sgram -gddr5	1.31v〜1.39v，1.46V〜1.55V	170-FBGA（12x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000	2 GHz	易挥发的	8Gbit		内存	256m x 32	平行线	-
MT46V16M16TG-75：f tr	-	RFQ	2799	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V16M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	750 PS	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
EDFA364A3PM-GD-FD	-	RFQ	3112	微米技术公司	-	大部分	过时的	-30°C〜85°C（TC）			EDFA364	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	800 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	平行线	-
N25Q064A13ESFA0F TR	-	RFQ	3924	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT46V64M8TG-6T L：f tr	-	RFQ	7393	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT53E256M16D1FW-046 wt：b tr	7.4850	RFQ	5256	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E256M16D1FW-046WT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	18NS
MT62F3G32D8DV-023 AAT：b tr	94.8300	RFQ	1764年	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023AAT：BTR			2,000	4.266 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES：a	38.9700	RFQ	7895	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
M25P128-VMF6TPB TR	-	RFQ	8356	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	M25P128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	54 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	15ms，5ms
MT29F2T08GELCEJ4-QA：c	39.0600	RFQ	1460	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F2T08GELCEJ4-QA：c			1
M58WR064KU70D16	-	RFQ	8921	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	M58WR064	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1	66 MHz	非易失性	64mbit	70 ns	闪光	4m x 16	平行线	70NS
MT46H16M16LFBF-6：h tr	-	RFQ	8208	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H16M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	12ns
MT53E512M64D2NW-046 wt：b tr	23.5200	RFQ	1097	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	432-VFBGA	MT53E512			432-VFBGA（15x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E512M64D2NW-046WT：BTR			2,000
MT25QL256ABA8ESF-0SIT TR	6.4700	RFQ	11	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MT25QL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT41K2G4TRF-107：e tr	-	RFQ	2947	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K2G4	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （9.5x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	2G x 4	平行线	-
MT29F2T08EMLEEJ4-QJ：e tr	52.9800	RFQ	3739	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F2T08EMLEEJ4-QJ：ETR			2,000
MT29F256G08CEECBH6-12：c tr	-	RFQ	5224	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.5V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
NAND04GW3C2BN6E	-	RFQ	6688	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand04g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND04GW3C2BN6E	3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	4Gbit	25 ns	闪光	512m x 8	平行线	25ns
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR	-	RFQ	8533	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MT29VZZZBD8				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000
MT53B1DATG-DC	-	RFQ	6798	微米技术公司	-	盒子	过时的					sdram- lpddr4			-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	960		易挥发的			德拉姆
MT29F1G08ABBEAHC-IT：e	-	RFQ	5555	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,140		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT53B384M64D4EZ-062 wt：a tr	-	RFQ	1470	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
MT29F2T08CTCCBJ7-6C：c	-	RFQ	3344	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29F2T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980	167 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
EDS6432AFTA-75TI-ED	-	RFQ	9194	微米技术公司	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,080
MT46V32M16TG-6T：c	-	RFQ	5539	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	-	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
RC28F256P30TFF TR	-	RFQ	4887	微米技术公司	Strataflash™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	RC28F256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,000	52 MHz	非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	16m x 16	平行线	100ns
MT53E1G32D4NQ-046 wt：e tr	-	RFQ	6086	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53E1G32	sdram- lpddr4	1.1V		-					过时的	0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR：c tr	-	RFQ	8418	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29F1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT29F1T08CUCCBH8-6ITR：CTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	167 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²