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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
PC28F256G18FF TR Micron Technology Inc. PC28F256G18FF TR -
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 64-TBGA PC28F256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64- easybga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 96 ns 闪光 16m x 16 平行线 96ns
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AAT:b tr 47.8950
RFQ
ECAD 1221 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E1536M32D4DE-046AAT:BTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 3.5 ns 德拉姆 1.5GX 32 平行线 18NS
MT62F768M64D4BG-036 WT:A Micron Technology Inc. MT62F768M64D4BG-036 wt:a -
RFQ
ECAD 7263 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F768M64D4BG-036WT:a 过时的 1 2.75 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 平行线 -
EDB4432BBBJ-1D-F-R Micron Technology Inc. EDB4432BBJ-1D-FR -
RFQ
ECAD 1543年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 134-WFBGA EDB4432 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 134-FBGA (10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 平行线 -
MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J 9.9000
RFQ
ECAD 2715 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 149-WFBGA Flash -nand(slc),DRAM -LPDDR4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 149-WFBGA(8x9.5) - 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J 1 非易失性,挥发性 4Gbit 25 ns 闪光,ram 512m x 8 onfi 30ns
MTFC128GAVATTC-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc128gavattc-ait tr 56.1900
RFQ
ECAD 3653 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MTFC128GAVATTC-AITTR 2,000
MT62F1G64D4EK-023 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 wt:c tr 68.0400
RFQ
ECAD 2148 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 1.05V 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023WT:CTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 平行线 -
MT47H128M8B7-37E L:A Micron Technology Inc. MT47H128M8B7-37E L:A。 -
RFQ
ECAD 1309 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 0°C〜85°C(TC) 表面安装 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA(11x19) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 267 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
MT29F8T08EWLGEM5-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLGEM5-ITF:g tr 304.1700
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ECAD 5173 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F8T08EWLGEM5-ITF:GTR 1,500
MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-053 wt:d -
RFQ
ECAD 9809 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
MTFC32GAPALGT-S1 AAT Micron Technology Inc. mtfc32gapalgt-s1 aat 28.4250
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ECAD 1864年 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 153-WFBGA Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-WFBGA(11.5x13) - 557-MTFC32GAPALGT-S1AAT 1 200 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 EMMC_5.1 -
MT29F2T08EMLEEJ4-QD:E Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QD:e 52.9800
RFQ
ECAD 8139 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QD:e 1
MT48LC4M16A2P-6A AIT:J Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6A AIT:j -
RFQ
ECAD 5086 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC4M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 12ns
MT53B192M32D1Z0AMWC1 Micron Technology Inc. MT53B192M32D1Z0AMWC1 -
RFQ
ECAD 2800 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜85°C(TC) - - MT53B192 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 1 易挥发的 6Gbit 德拉姆 192m x 32 - -
MT53E512M64D2NW-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NW-046 WT:b 23.5200
RFQ
ECAD 2909 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 表面安装 432-VFBGA MT53E512 432-VFBGA(15x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT53E512M64D2NW-046WT:b 1,360
MT29F2T08EMLEEJ4-R:E Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-R:e 42.9300
RFQ
ECAD 7238 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 0°C〜70°C 表面安装 132-vbga Flash -nand(tlc) 2.6v〜3.6V 132-vbga(12x18) - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-R:e 1 非易失性 2Tbit 闪光 256g x 8 平行线 -
MT41J128M16JT-093:K TR Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-093:k tr -
RFQ
ECAD 7015 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 -
MT53E256M32D1KS-046 AAT:L TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D1K-046 AAT:l tr 15.0700
RFQ
ECAD 9427 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 200-VFBGA 200-VFBGA(10x14.5) - 到达不受影响 557-MT53E256M32D1K-046AAT:LTR 1
MT29F16G16ADACAH4:C Micron Technology Inc. MT29F16G16ADACAH4:c -
RFQ
ECAD 6576 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F16G16 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3277-MT29F16G16ADACAH4:c 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 16Gbit 闪光 1G x 16 平行线 -
MT29F4T08EULKEM4-ITF:K TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EULKEM4-ITF:k tr 136.1250
RFQ
ECAD 4726 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F4T08EULKEM4-ITF:KTR 2,000
MT25QL02GCBB8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0AUT TR 39.4950
RFQ
ECAD 1664年 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT25QL02 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT25QL02GCBB8E12-0AUTTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 spi 1.8ms
MTFC64GBCAQTC-IT TR Micron Technology Inc. mtfc64gbcaqtc-it tr 20.2500
RFQ
ECAD 5370 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MTFC64GBCAQTC-ITTR 2,000
MT62F768M64D4BG-031 WT:A TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4BG-031 wt:a tr -
RFQ
ECAD 9973 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F768M64D4BG-031WT:ATR 过时的 2,000 3.2 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 平行线 -
MT53E768M32D2NP-053 RS WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D2NP-053 RS WT:B TR 13.9650
RFQ
ECAD 1117 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT53E768M32D2NP-053RSWT:BTR 2,000
MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAIT:b -
RFQ
ECAD 5708 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046诱饵:b 1 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 3.5 ns 德拉姆 512m x 32 平行线 18NS
MT29F1T08CUCBBH8-6C:B Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCBBH8-6C:b -
RFQ
ECAD 1762年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT53E768M32D2FW-046 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046 AUT:C TR 43.6350
RFQ
ECAD 1299 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT53E768M32D2FW-046AUT:CTR 2,000
MTFC32GJTED-4M IT Micron Technology Inc. MTFC32GJTED-4M IT -
RFQ
ECAD 2428 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 169-VFBGA mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 169-VFBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT29F2T08EMLEEJ4-QC:E Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QC:e 52.9800
RFQ
ECAD 2023 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QC:e 1
MT53B2DANH-DC Micron Technology Inc. MT53B2DANH-DC -
RFQ
ECAD 9284 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - - sdram- lpddr4 - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,190 易挥发的 德拉姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库