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内存（（10402）

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MT29E2T08CTCCBJ7-6：c tr	-	RFQ	1433	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29E2T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	167 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
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M45PE80-VMW6TG TR	-	RFQ	2150	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	M45PE80	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SO W	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，3ms
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mtfc2gmvea-0m wt tr	-	RFQ	6002	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	mtfc2g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	MMC	-
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mtfc16gapalgt-s1 aat	19.2750	RFQ	3951	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	153-WFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC16GAPALGT-S1AAT			1	200 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	EMMC_5.1	-
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MT61M256M32JE-12 NIT：A Tr	-	RFQ	4970	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	180-TFBGA		sgram -gddr6	1.2125V〜1.325V	180-FBGA（12x14）	下载				557-MT61M256M32JE-12NIT：ATR	过时的		2,000	6 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	POD125	-
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MT41K512M8RG-093：n tr	-	RFQ	5076	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K512M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（7.5x10.6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.066 GHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	-
MT62F768M64D4EJ-031 AIT：a tr	93.4500	RFQ	1608	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT62F768				-			到达不受影响	557-MT62F768M64D4EJ-031AIT：ATR			1,500
MTFC256GBCAQTC-AAT ES	99.4350	RFQ	4590	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MTFC256GBCAQTC-AATE			1
MT53E768M32D2FW-046 AAT：c	32.0250	RFQ	9165	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT53E768M32D2FW-046AAT：c			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²