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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT53E2G32D4NQ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E2G32D4NQ-046 wt:a -
RFQ
ECAD 4253 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-VFBGA MT53E2G32 sdram- lpddr4 1.1V 200-VFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 557-MT53E2G32D4NQ-046WT:a 过时的 136 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 2G x 32 - -
MT53B1DBDS-DC TR Micron Technology Inc. MT53B1DBDS-DC TR -
RFQ
ECAD 5886 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr4 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 2,000 易挥发的 德拉姆
MT53E768M32D2FW-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046 wt:c tr 24.0600
RFQ
ECAD 2692 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 557-MT53E768M32D2FW-046WT:CTR 2,000
N25Q032A13ESF40G Micron Technology Inc. N25Q032A13ESF40G -
RFQ
ECAD 1552 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) N25Q032A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 8m x 4 spi 8ms,5ms
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AUT:P TR 8.4000
RFQ
ECAD 1632年 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(9x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B1024M32D4NQ-053 wt:c tr -
RFQ
ECAD 6762 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-VFBGA MT53B1024 sdram- lpddr4 1.1V 200-VFBGA(10x14.5) - 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 - -
MT62F1G64D8EK-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 WT:b tr 46.6200
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ECAD 6757 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 1.05V 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F1G64D8EK-031WT:BTR 1,500 3.2 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 平行线 -
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 RS wt:h 8.4000
RFQ
ECAD 6065 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT:h 1
MT28EW512ABA1HPC-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1HPC-0SIT 12.9300
RFQ
ECAD 704 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA MT28EW512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-lbga(11x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 非易失性 512Mbit 95 ns 闪光 64m x 8,32m x 16 平行线 60ns
MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:c 60.5400
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ECAD 4072 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:c 1
MTFC64GAZAOTD-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc64gazaotd-aat tr 36.8700
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ECAD 9588 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MTFC64GAZAOTD-AATTR 2,000
MT53D512M32D2DS-046 WT:F Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 wt:f 30.7500
RFQ
ECAD 4687 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - 到达不受影响 557-MT53D512M32D2DS-046WT:f 136 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
MT40A512M16TD-062E AUT:R Micron Technology Inc. MT40A512M16TD-062E AUT:R。 -
RFQ
ECAD 5279 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-fbga(7.5x13) - 到达不受影响 557-MT40A512M16TD-062EAUT:R 1 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 19 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E Micron Technology Inc. mt29f2g08abbeahc-it:e 4.2400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F2G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT25QL01GBBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8E12-0AAT TR 17.3100
RFQ
ECAD 9226 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT25QL01 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 spi 8ms,2.8ms
MTFC64GAPALGT-AIT Micron Technology Inc. mtfc64gapalgt-ait -
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ECAD 4161 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 上次购买 -40°C〜85°C(TA) MTFC64 闪存-NAND - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFC64GAPALGT-AI 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 MMC -
MTC10C1084S1TC48BAZ Micron Technology Inc. MTC10C1084S1TC48BAZ 171.6000
RFQ
ECAD 3959 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MTC10C1084S1TC48BAZ 1
MT53D768M32D2NP-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M32D2NP-046 wt:a tr -
RFQ
ECAD 7868 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 557-MT53D768M32D2NP-046WT:ATR 过时的 2,000
MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K TR -
RFQ
ECAD 7386 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 149-WFBGA Flash -nand(slc),DRAM -LPDDR4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 149-WFBGA(8x9.5) 下载 557-MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87KTR 过时的 2,000 非易失性,挥发性 4Gbit 25 ns 闪光,ram 512m x 8 onfi 30ns
MT25QL128ABB8E12-CAUT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB8E12-CAUT TR 4.7277
RFQ
ECAD 4594 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) 下载 557-MT25QL128ABB8E12-CAUTTR 2,500 133 MHz 非易失性 128mbit 5 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 1.8ms
MTFC8GLWDQ-3L AAT Z Micron Technology Inc. mtfc8glwdq-3l aat z -
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ECAD 5965 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 100-LBGA mtfc8 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-LBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8473.30.1140 980 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 wt:b tr 7.4850
RFQ
ECAD 4759 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) MT53E256 sdram- lpddr4 1.1V 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E256M16D1DS-046WT:BTR Ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 256m x 16 - -
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFABBWP-12IT:b tr -
RFQ
ECAD 9066 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT58L128L36D1T-10 Micron Technology Inc. MT58L128L36D1T-10 6.5300
RFQ
ECAD 324 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 4Mbit 5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
M25PE80-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25PE80-VMN6TP TR -
RFQ
ECAD 3000 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M25PE80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi 15ms,3ms
MT62F512M64D4EK-031 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M64D4EK-031 AIT:b tr 29.6100
RFQ
ECAD 9924 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 - 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F512M64D4EK-031AIT:BTR 1,500 3.2 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 平行线 -
MT29VZZZAD8FQFSL-046 WJ.G8K TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8FQFSL-046 WJ.G8K TR 47.1600
RFQ
ECAD 8036 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29VZZZAD8FQFSL-046WJ.G8KTR 2,000
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F Micron Technology Inc. MT29RZ2B2DZZHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHTS o所以 -
RFQ
ECAD 6320 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 162-VFBGA MT29RZ2B2 flash -nand,dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA(10.5x8) - (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 533 MHz 非易失性,挥发性 2GBIT(NAND),2Gbit(LPDDR2) 闪光,ram 256m x 8 nand),64m x 32 lpddr2) 平行线 -
MTFC128GASAONS-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc128gasaons-ait tr 67.0200
RFQ
ECAD 3370 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MTFC128GASAONS-AITTR 2,000
MT60B2G8HB-56B:G TR Micron Technology Inc. MT60B2G8HB-56B:g tr 19.0650
RFQ
ECAD 8549 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT60B2G8HB-56B:GTR 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库