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 | MT29F4G08ABAFAH4-AIT：f tr | 4.0147 | | 2264 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车，AEC-Q100 | 胶带和卷轴（（tr） | 上次购买 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga（9x11） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | MT29F4G08ABAFAH4-AIT：ftr | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | - | ||||
| mtfc16gapalgt-s1 aat | 19.2750 | | 3951 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车，AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 153-WFBGA | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-WFBGA（11.5x13） | - | 557-MTFC16GAPALGT-S1AAT | 1 | 200 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
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 | mtfc8glgdq-ait z tr | - | | 9638 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 100-LBGA | mtfc8 | 闪存-NAND | 1.65V〜3.6V | 100-LBGA（14x18） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT53E768M64D4HJ-046 AAT：c | 64.0350 | | 9990 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车，AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TC） | 表面安装 | 556-TFBGA | sdram- lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA （12.4x12.4） | - | rohs3符合条件 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT：c | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 48Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 768m x 64 | 平行线 | 18NS | ||||||
 | mtfc8gamalbh-aat tr | 11.1750 | | 7981 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 153-TFBGA | mtfc8 | 闪存-NAND | - | 153-TFBGA（11.5x13） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | ||||
| MT49H64M9BM-25：b tr | - | | 7693 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 0°C〜95°C（TC） | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H64M9 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-µBGA（18.5x11） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 9 | 平行线 | - | ||
 | MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR | - | | 4940 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 130-VFBGA | MT29C1G12 | flash -nand，移动lpdram | 1.7V〜1.95V | 130-vfbga（8x9） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 非易失性，挥发性 | 1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM） | 闪光，ram | 128m x 8（NAND），16m x 32 lpdram（LPDRAM） | 平行线 | - | |||
 | M29DW641F70N6E | - | | 9977 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | M29DW641 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
| MT49H8M36BM-25：b tr | - | | 8452 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 0°C〜95°C（TC） | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H8M36 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-µBGA（18.5x11） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 8m x 36 | 平行线 | - | ||
 | M25PE80-VMS6TG TR | - | | 4222 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | M25PE80 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | （8-vdfpn（6x5）（MLP8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 75 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | spi | 15ms，3ms | |||
| mt29f2g08abbeahc-it：e | 4.2400 | | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F2G08 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga（10.5x13） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | - |
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标准产品单位
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