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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT29F128G08CBEABL85A3WC1	-	RFQ	3656	微米技术公司	-	盒子	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
PN28F128M29EWHA TR	-	RFQ	4127	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）			PN28F128M29	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	PN28F128M29EWHATR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128mbit	60 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	60ns
MT46H128M16LFDD-48 IT：c tr	13.4100	RFQ	6	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H128M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	208 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	14.4ns
MT29F4G08ABAFAH4-AAT：f tr	3.8498	RFQ	9729	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT29F4G08ABAFAH4-AAT：ftr		8542.32.0071	2,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
mtfc32gakaejp-4m it tr	-	RFQ	5209	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	-	153-VFBGA（11.5x13）	-					3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MT48LC64M4A2TG-75 L：d	-	RFQ	8409	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC64M4A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	64m x 4	平行线	15ns
M25P80-VMN6PBA	-	RFQ	6287	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P80	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，5ms
MT41K512M8RG-107：N TR	-	RFQ	5788	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K512M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（7.5x10.6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	-
MT29F256G08CJABAWP：b tr	-	RFQ	9946	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT29F512G08CMCCBH7-6C：c	-	RFQ	2120	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-TBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	152-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980	166 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT53E512M64D2HJ-046 AIT：b	29.9700	RFQ	2935	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	556-WFBGA （12.4x12.4）	-				557-MT53E512M64D2HJ-046AIT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit	3.5 ns	德拉姆	512m x 64	平行线	18NS
MT46H128M16LFDD-48 wt：c	-	RFQ	2633	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H128M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,782	208 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	14.4ns
M50FW080N5G	-	RFQ	8717	微米技术公司	-	托盘	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	40-tfsop（0.724英寸，18.40mm宽度）	M50FW080	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	40-tsop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	120	33 MHz	非易失性	8mbit	250 ns	闪光	1m x 8	平行线	-
MT46V16M16FG-75：f	-	RFQ	9739	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-FBGA	MT46V16M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（8x14）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	750 PS	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT29F2G08ABAFAH4-ITS：f	-	RFQ	4531	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT41K512M8RH-125 IT：e	-	RFQ	5315	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K512M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	-
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MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K TR	-	RFQ	7386	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	149-WFBGA		Flash -nand（slc），DRAM -LPDDR4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	149-WFBGA（8x9.5）	下载				557-MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87KTR	过时的		2,000		非易失性，挥发性	4Gbit	25 ns	闪光，ram	512m x 8	onfi	30ns
MT53D768M32D2NP-046 wt：a tr	-	RFQ	7868	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-				557-MT53D768M32D2NP-046WT：ATR	过时的		2,000
MT41K64M16V88AWC1	-	RFQ	9193	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜95°C（TC）	-	-	MT41K64M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1	800 MHz	易挥发的	1Gbit	13.75 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT53E768M64D4HJ-046 AAT：A Tr	-	RFQ	6489	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4	1.06V〜1.17V	556-WFBGA （12.4x12.4）	-	rohs3符合条件			557-MT53E768M64D4HJ-046AAT：ATR	过时的		1	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	768m x 64	平行线	18NS
mtfc64gapalgt-ait	-	RFQ	4161	微米技术公司	-	大部分	上次购买	-40°C〜85°C（TA）			MTFC64	闪存-NAND	-		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC64GAPALGT-AI	3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-
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MT47H64M8CF-25E AIT：G。	-	RFQ	6431	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H64M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT53E512M32D2FW-046 AIT：D Tr	16.5000	RFQ	8697	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买								-				557-MT53E512M32D2FW-046AIT：DTR			2,000
MT29VZZZAD9GQFSM-046 W.9S9	60.2850	RFQ	1702	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29VZZZAD9GQFSM-046W.9S9			1
MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J	9.9000	RFQ	2715	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	149-WFBGA		Flash -nand（slc），DRAM -LPDDR4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	149-WFBGA（8x9.5）	-				557-MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J			1		非易失性，挥发性	4Gbit	25 ns	闪光，ram	512m x 8	onfi	30ns
MT46H32M32LFB5-5 AAT：b tr	-	RFQ	2000	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H32M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²