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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | MT28F004B3VG-8 TET TR | - | ![]() | 7906 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 40-tfsop(0.724英寸,18.40mm宽度) | MT28F004B3 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 40-tsop i | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 4Mbit | 80 ns | 闪光 | 512k x 8 | 平行线 | 80ns | ||||
![]() | MT29F2G08AADWP-ET:D Tr | - | ![]() | 2414 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F2G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT40A512M16HA-083E IT:A TR | - | ![]() | 4097 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-FBGA(9x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F4G08ABBFAH4-AIT:f | 3.5374 | ![]() | 3204 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT29F4G08ABBFAH4-AIT:f | 8542.32.0071 | 1,260 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT58L64L32PT-6 TR | - | ![]() | 7637 | 0.00000000 | 微米技术公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | ||||||||||||||||||
N25Q512A83G12A0F | - | ![]() | 1972 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | N25Q512A83 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA(6x8) | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | 108 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 128m x 4 | spi | 8ms,5ms | |||||||
![]() | MT46V128M4P-6T:d | - | ![]() | 7040 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V128M4 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | - | rohs3符合条件 | 4 (72小时) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 128m x 4 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT46V32M16TG-6T IT:f | - | ![]() | 5987 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT46V64M16TG-6T IT:a tr | - | ![]() | 5173 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V64M16 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT48LC4M16A2P-7E AIT:j | - | ![]() | 6662 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,080 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | 14ns | |||
![]() | MT25QL256BBB8ESF-CSIT | 5.8438 | ![]() | 4816 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-SOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -791-MT25QL256BBBBBB8ESF-CSIT | 1,440 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 5 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1.8ms | |||||
![]() | MT29F32G08AECCBH1-10Z:c tr | - | ![]() | 9330 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F32G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT53D512M32D2NP-062 WT:d | - | ![]() | 3456 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | - | - | ||||
MT40A1G16KNR-075:e | 20.8542 | ![]() | 1008 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 上次购买 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-FBGA(7.5x13.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 100 | 1.33 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 1G x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||
![]() | MT53B2DDDNP-DC TR | - | ![]() | 9293 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr4 | 200-WFBGA(10x14.5) | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,000 | 易挥发的 | 德拉姆 | ||||||||||||||
![]() | TE28F640P30T85A | - | ![]() | 2328 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | 28F640P30 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 56-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | 非易失性 | 64mbit | 85 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 85ns | |||
![]() | MT28F008B3VG-9 t tr | - | ![]() | 7018 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 40-tfsop(0.724英寸,18.40mm宽度) | MT28F008B3 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 40-tsop i | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8mbit | 90 ns | 闪光 | 1m x 8 | 平行线 | 90NS | ||||
![]() | MT48LC32M8A2BB-75 L:d | - | ![]() | 7550 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 在sic中停产 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-FBGA | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3v〜3.6V | 60-FBGA(8x16) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | M50FW040N1 | - | ![]() | 9680 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 40-tfsop(0.724英寸,18.40mm宽度) | M50FW040 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 40-tsop | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 120 | 33 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 250 ns | 闪光 | 512k x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | mtfc4glgdm-ait a | - | ![]() | 9091 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-TFBGA | mtfc4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | mtfc4glgdm-aita | 过时的 | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | MMC | - | ||||
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G Tr | - | ![]() | 1777年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | ||||||
![]() | MT45W4MW16BFB-856 wt | - | ![]() | 2667 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 在sic中停产 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA(6x9) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 64mbit | 85 ns | PSRAM | 4m x 16 | 平行线 | 85ns | ||||
![]() | MT29F4G16ABADAM60A3WC1 | - | ![]() | 8778 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 死 | MT29F4G16 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 死 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 256m x 16 | 平行线 | - | ||||||
![]() | MT47H128M8HQ-3 IT:G | - | ![]() | 6742 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 60-FBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga (8x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT53E128M32D2DS-046 AAT:A TR | 8.7450 | ![]() | 7737 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53E128 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E128M32D2DS-046AAT:ATR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | - | - | |||
![]() | MT46V16M16FG-6:f tr | - | ![]() | 9348 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-FBGA | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-fbga(8x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
MT41K128M16JT-125 M AIT:k | - | ![]() | 4049 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(8x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 13.75 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT41K256M4JP-15E:G。 | - | ![]() | 1420 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K256M4 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-fbga(8x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 13.5 ns | 德拉姆 | 256m x 4 | 平行线 | - | |||
![]() | MT53D512M32D2DS-053 WT ES:D TR | - | ![]() | 7356 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | - | - | ||||
MT46V32M16CY-5B:J TR | - | ![]() | 5438 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 60-fbga(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns |
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