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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT48H8M16LFB4-75 IT：k tr	-	RFQ	3209	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H8M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT53B4DAPV-DC	-	RFQ	6064	微米技术公司	-	托盘	过时的		-	-	MT53B4	sdram- lpddr4		-	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	840		易挥发的			德拉姆
MT40A2G4SA-062E PS：R	-	RFQ	1842年	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A2G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT40A2G4SA-062EPS：r			1,260	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	2G x 4	平行线	15ns
MT47H256M8THN-25E：m	-	RFQ	7950	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	63-TFBGA	MT47H256M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	63-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,518	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
MT29F64G08CBCDBJ4-6ITR：d	-	RFQ	8344	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	167 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT40A8G4VNE-062H：b tr	80.8350	RFQ	8852	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）			MT40A8G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v		-		3（168））	到达不受影响	557-MT40A8G4VNE-062H：BTR		8542.32.0071	3,000	1.6 GHz	非易失性	32Gbit	13.75 ns	德拉姆	8g x 4	平行线	-
emfa164a2pm-dv-fr tr	-	RFQ	2782	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				EMFA164				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,000
MT62F1G64D4EK-023 wt：b	45.6900	RFQ	3879	微米技术公司	-	盒子	积极的	-	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F1G64D4EK-023WT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	平行线	-
MT60B1G16HC-48B IT：a	18.2400	RFQ	6035	微米技术公司	-	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	102-VFBGA		SDRAM -DDR5	-	102-VFBGA（9x14）	-				557-MT60B1G16HC-48BIT：a			1	2.4 GHz	易挥发的	16Gbit	16 ns	德拉姆	1G x 16	荚	-
MT53B512M64D4PV-053 wt：c	-	RFQ	7048	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	840	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT58L64L32PT-6TR	3.5200	RFQ	55	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	166 MHz	易挥发的	2Mbit	3.5 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
M25PE10-VMN6TPBA TR	-	RFQ	7813	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25PE10	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	2,500	75 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	spi	15ms，3ms
MT29F32G08CBADAWP-M：d	-	RFQ	1811	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-		（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT25QU256ABA8E14-1SIT TR	-	RFQ	8846	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QU256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT29E512G08CEHBBJ4-3：b	-	RFQ	7811	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29E512G08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-	未行业行业经验证
MT29F1G01ABAFDSF-IT：f	-	RFQ	9701	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MT29F1G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	16件事	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,440		非易失性	1Gbit		闪光	1G x 1	spi	-
MT29F64G08AKCCBH2-10Z：c	-	RFQ	4264	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-TBGA	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-TBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT	11.8650	RFQ	3556	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,008	208 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT	-	RFQ	2136	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	-	MT29C8G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	8Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 16 nand），128m x 32 lpdram）	平行线	-
EDFA164A2PM-JDTJ-FD	-	RFQ	1435	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDFA164	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,190	933 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	平行线	-
MT53E768M64D4HJ-046 AUT：c	73.6500	RFQ	9576	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	556-WFBGA （12.4x12.4）	-				557-MT53E768M64D4HJ-046AUT：c			1	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	768m x 64	平行线	18NS
MT29F2T08CTCCBJ7-6C：c tr	-	RFQ	2504	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29F2T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT29F2T08CTCCBJ7-6C：CTR	过时的	0000.00.0000	1,000	167 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
MT29F16G08CBACBWP-12：c	-	RFQ	6924	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
M29W400FT55N3F TR	-	RFQ	6076	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W400	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	55ns
mtfc128gazaqjp-ait tr	57.4500	RFQ	3514	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	MTFC128	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC128GAZAQJP-AITTR			2,000	200 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	MMC	-
EDFP112A3PB-GD-FD	-	RFQ	7362	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TA）	-	-	EDFP112	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1	800 MHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	192m x 128	平行线	-
MT29F4G01ADAGDWB-IT：g tr	-	RFQ	1971年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn	MT29F4G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	8-updfn（8x6）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000		非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
MT29F1G08ABBDAHC：D Tr	-	RFQ	1346	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
EDB8164B4PT-1D-FD	13.2450	RFQ	1556年	微米技术公司	-	大部分	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	EDB8164	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	216-fbga（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,680	533 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	128m x 64	平行线	-
M25PX80-VMP6TGAA TR	-	RFQ	2564	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25PX80	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-VFQFPN（6x5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	4,000	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，5ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²