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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT35XL02GCBA4G12-0SIT TR	-	RFQ	1191	微米技术公司	XCCELA™-MT35X	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	24-TBGA	MT35XL02	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	XCCELA巴士	-
MT51K256M32HF-60 n：b tr	39.0000	RFQ	6445	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装		MT51K256	sgram -gddr5	1.3V〜1.545V		-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	1.5 GHz	易挥发的	8Gbit		内存	256m x 32	平行线	-
mtfc16gludv-wt	-	RFQ	4353	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	-	mtfc16g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
JR28F064M29EWBA	-	RFQ	7127	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JR28F064M29	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT41K512M8RH-125 M：E TR	-	RFQ	2383	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K512M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	-
MT40A512M16LY-062E IT：e	8.7500	RFQ	519	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A512M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,080	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	512m x 16	平行线	-
M29F800DB70M6E	-	RFQ	3250	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-Soic（0.525英寸，宽度为13.34mm）	M29F800	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	44-SO	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	16		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
MT46H64M32L2JG-6 IT：a tr	-	RFQ	5525	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	166 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
MT53D512M64D4NW-053 WT ES：E TR	-	RFQ	7944	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	432-VFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	432-VFBGA（15x15）	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR	-	RFQ	9797	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	162-VFBGA	MT29AZ5A3	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.9V	162-VFBGA（10.5x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	533 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），8Gbit（8gbit lpddr2）		闪光，ram	512m x 8 nand），512m x 16 lpddr2）	平行线	-
MT28F008B3VG-9 t	-	RFQ	9056	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	40-tfsop（0.724英寸，18.40mm宽度）	MT28F008B3	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	40-tsop i	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	8mbit	90 ns	闪光	1m x 8	平行线	90NS
NP8P128A13BSM60E	-	RFQ	6511	微米技术公司	Omneo™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TC）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	NP8P128A	PCM （婴儿车）	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B	8542.32.0051	576		非易失性	128mbit	115 ns	PCM （婴儿车）	16m x 8	平行，Spi	115ns
MT58L256L32FS-8.5	12.8400	RFQ	14	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L256L32	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	8mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 32	平行线	-
MT46V128M4TG-5B：f	-	RFQ	7763	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V128M4	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	128m x 4	平行线	15ns
MT41K512M8RH-125：E TR	-	RFQ	5848	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K512M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	易挥发的	4Gbit	13.75 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	-
MT48LC32M8A2TG-7E L：d	-	RFQ	5334	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC32M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	14ns
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES：G Tr	-	RFQ	9033	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT28F640J3FS-115等	-	RFQ	6140	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-FBGA	MT28F640J3	闪光	2.7V〜3.6V	64-FBGA（10x13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64mbit	115 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	-
N25Q064A13EW9D0F TR	-	RFQ	9860	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	4,000	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
mtfc64gapalbh-ait	-	RFQ	5072	微米技术公司	E•MMC™	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	MTFC64	闪存-NAND	-	153-TFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-
MT40A512M8SA-062E IT：f	9.1650	RFQ	4992	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A512M8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT40A512M8SA-062EIT：f	Ear99	8542.32.0036	1,260	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
MT29F8G08ABACAWP：c	-	RFQ	5952	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F8G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	平行线	-
MT29F8T08EWLCEM5-QJ：c tr	242.1750	RFQ	1924年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ：CTR			1,500
EDFA164A2PH-GD-FD	-	RFQ	2625	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDFA164	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,190	800 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	平行线	-
EDFA112A2PD-JD-FR TR	-	RFQ	2160	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDFA112	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	933 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	128m x 128	平行线	-
MT62F768M64D4EJ-031自动：a	118.2000	RFQ	5019	微米技术公司	-	大部分	积极的				MT62F768				-			到达不受影响	557-MT62F768M64D4EJ-031AUT：a			1,190
MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR	-	RFQ	7677	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	128m x 8（NAND），16m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT53E2G32D8QD-053 wt：e	-	RFQ	5906	微米技术公司	-	盒子	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53E2G32	sdram- lpddr4	1.1V		-					过时的	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	-	-
MT53D512M32D2NP-062 WT ES：d	-	RFQ	3944	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,360	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT29F1G08ABBDAH4-IT：d	-	RFQ	3157	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²