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MT48LC32M8A2TG-7E L：d	-	RFQ	5334	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC32M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	14ns
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES：G Tr	-	RFQ	9033	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT28F640J3FS-115等	-	RFQ	6140	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-FBGA	MT28F640J3	闪光	2.7V〜3.6V	64-FBGA（10x13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64mbit	115 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	-
N25Q064A13EW9D0F TR	-	RFQ	9860	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	-	-	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	4,000	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
mtfc64gapalbh-ait	-	RFQ	5072	微米技术公司	E•MMC™	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	MTFC64	闪存-NAND	-	153-TFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-
MT40A512M8SA-062E IT：f	9.1650	RFQ	4992	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A512M8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT40A512M8SA-062EIT：f	Ear99	8542.32.0036	1,260	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
MT29F8G08ABACAWP：c	-	RFQ	5952	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F8G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	平行线	-
MT29F8T08EWLCEM5-QJ：c tr	242.1750	RFQ	1924年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ：CTR			1,500
EDFA164A2PH-GD-FD	-	RFQ	2625	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDFA164	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,190	800 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	平行线	-
EDFA112A2PD-JD-FR TR	-	RFQ	2160	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDFA112	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	933 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	128m x 128	平行线	-
MT62F768M64D4EJ-031自动：a	118.2000	RFQ	5019	微米技术公司	-	大部分	积极的				MT62F768				-			到达不受影响	557-MT62F768M64D4EJ-031AUT：a			1,190
MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR	-	RFQ	7677	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	128m x 8（NAND），16m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT53E2G32D8QD-053 wt：e	-	RFQ	5906	微米技术公司	-	盒子	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53E2G32	sdram- lpddr4	1.1V		-					过时的	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	-	-
MT53D512M32D2NP-062 WT ES：d	-	RFQ	3944	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,360	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT29F1G08ABBDAH4-IT：d	-	RFQ	3157	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
EDFP164A3PD-JD-FD	-	RFQ	8748	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TA）	表面安装	-	EDFP164	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,260	933 MHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	平行线	-
MT29F64G08AFAAWP-IT：a	-	RFQ	4356	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
mtfc8gamalbh-it tr	-	RFQ	9747	微米技术公司	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））		557-MTFC8GAMALBH-ITTR	过时的		2,000
mtfc8glwdq-3M AIT Z tr	-	RFQ	1216	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MTFC128GAJAECE-AIT	-	RFQ	4236	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-LFBGA	MTFC128	闪存-NAND	-	169-LFBGA（14x18）	-					3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	MMC	-
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MT42L16M32D1LG-25 AAT：a	-	RFQ	2726	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	168-WFBGA	MT42L16M32	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0032	1,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit		德拉姆	16m x 32	平行线	-
MT47H32M16NF-25E IT：h tr	5.9700	RFQ	4	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT62F4G32D8DV-026 AIT：b	114.9600	RFQ	2210	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-026AIT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
MT53E1G32D2NP-046 wt：b	18.6300	RFQ	8248	微米技术公司	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E1G32	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E1G32D2NP-046WT：b			1,360	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT29F4G16ABADAH4-IT：d	-	RFQ	7699	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
MT25QL256BBB8ESF-CSIT TR	5.8438	RFQ	7271	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	16-SOP2	-				557-MT25QL256BBB8ESF-CSITTR			1,000	133 MHz	非易失性	128mbit	5 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	1.8ms
MT55L128L32P1T-10	5.9300	RFQ	24	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4Mbit	5 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
MT57W1MH18JF-4	25.3300	RFQ	153	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	MT57W1MH	SRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	18mbit	4 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
N25Q512A13GSFH0E	-	RFQ	1024	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	N25Q512A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16件事	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,440	108 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	128m x 4	spi	8ms，5ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²