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内存（（10402）

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MT48LC8M16A2TG-7E：G Tr	-	RFQ	5861	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	14ns
NAND128W3AABN6F TR	-	RFQ	5654	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	Nand128	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,500		非易失性	128mbit	50 ns	闪光	16m x 8	平行线	50ns
N25Q064A11ESE40E	-	RFQ	8897	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	N25Q064A11	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-so	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,800	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT48LC8M8A2P-75 IT：G Tr	-	RFQ	7302	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 8	平行线	15ns
MT29F4G08ABBDAHC-AIT：d	-	RFQ	8080	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,140		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES：b tr	-	RFQ	3374	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29E1HT08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1.5Tbit		闪光	192g x 8	平行线	-
mtfc4gludm-ait tr	-	RFQ	9788	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-TFBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	169-TFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
MT29F2G08ABAEAH4-ITX：e	-	RFQ	3660	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT53D768M64D8WF-053 WT ES：D TR	-	RFQ	5998	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	376-WFBGA	MT53D768	sdram- lpddr4	1.1V	376-WFBGA（14x14）	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	-	-
MT46H64M32LFMA-6 WT：b tr	-	RFQ	6820	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	166 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
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MT62F2G64D8EK-026 AAT：b tr	126.4350	RFQ	4986	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT62F2G64D8EK-026AAT：BTR			2,000
MT53B512M64D4PV-053 WT ES：C TR	-	RFQ	6969	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,000	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT29F1T08CMCBBJ4-37：b	-	RFQ	9605	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-		（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	267 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT40A4G4SA-062E PS：f	-	RFQ	3433	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A4G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT40A4G4SA-062EPS：f	3A991B1A	8542.32.0071	1,260	1.5 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	4G x 4	平行线	15ns
M25PX80-VMP6TG0X TR	-	RFQ	9396	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25PX80	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-VFQFPN（6x5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	4,000	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，5ms
MT41J256M8HX-187E：d	-	RFQ	8478	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41J256M8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-fbga（9x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	易挥发的	2Gbit	13.125 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT53D512M32D2NP-062 WT ES：D TR	-	RFQ	7687	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
PC28F256P33B2F TR	-	RFQ	2868	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-TBGA	PC28F256	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	64- easybga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,000	52 MHz	非易失性	256Mbit	85 ns	闪光	16m x 16	平行线	85ns
MT41J64M16JT-15E AIT：G Tr	-	RFQ	8438	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41J64M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT46V64M16P-75：a	-	RFQ	7052	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V64M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	133 MHz	易挥发的	1Gbit	750 PS	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MT40A4G4JC-062E：e	-	RFQ	5048	微米技术公司	-	盒子	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（9x11）	下载				557-MT40A4G4JC-062E：e	过时的		1	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	4G x 4	荚	15ns
RC28F256P30T85A	-	RFQ	3955	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	RC28F256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	144	52 MHz	非易失性	256Mbit	85 ns	闪光	16m x 16	平行线	85ns
MT25QL128ABB1EW7-CAUT TR	-	RFQ	8773	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	MT25QL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	（8-wpdfn （6x5）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT53D512M64D4NZ-046 wt：e	49.0500	RFQ	1682年	微米技术公司	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	376-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	376-WFBGA（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT49H32M18SJ-25：b tr	-	RFQ	5267	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
MT53E1G32D2NP-053 RS WT：C TR：	18.6300	RFQ	2714	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT53E1G32D2NP-053RSWT：CTR			2,000
MT29F2T08CUCBBK9-37ES：b	-	RFQ	6358	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F2T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	267 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
MT48LC16M8A2P-75：G。	-	RFQ	5816	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²