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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | NP8P128A13T1760E | - | ![]() | 3633 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Omneo™ | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TC) | 表面安装 | 64-TBGA | NP8P128A | PCM (婴儿车) | 2.7V〜3.6V | 64- easybga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B | 8542.32.0051 | 1,800 | 非易失性 | 128mbit | 115 ns | PCM (婴儿车) | 16m x 8 | 平行,Spi | 115ns | |||
MT48H1M32L2F5-10 IT | - | ![]() | 7949 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT48H16M32 | sdram- lpsdr | 1.7V〜1.9V | 90-vfbga(8x13) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 7.5 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E | - | ![]() | 3630 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 过时的 | -25°C〜85°C | - | - | MT29TZZZ8 | flash -nand,dram -lpddr3 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | - | - | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,520 | 933 MHz | 非易失性,挥发性 | 64Gbit(NAND),8Gbit(8Gbit)lpddr3) | 闪光,ram | 68g x 8 nand),256m x 32 lpddr3) | MMC,LPDRAM | - | ||||||
![]() | MT51J256M32HF-80:b tr | - | ![]() | 2776 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 170-TFBGA | MT51J256 | sgram -gddr5 | 1.31v〜1.39v,1.46V〜1.55V | 170-FBGA(12x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 2 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 内存 | 256m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT42L128M32D1TK-25 IT:A TR | - | ![]() | 8574 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-WFBGA | MT42L128M32 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | 134-FBGA (10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT53E512M32D1NP-046 wt:b tr | 11.7600 | ![]() | 6868 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53E512 | 200-WFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT53E512M32D1NP-046WT:BTR | 2,000 | ||||||||||||||
![]() | MT29F4T08EQLEEG8-QB:e tr | 105.9600 | ![]() | 4202 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT29F4T08EQLEEG8-QB:ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT46V32M16T67A3WC1 | - | ![]() | 9575 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | 易挥发的 | 512Mbit | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||
MT48V8M32LFF5-10 | - | ![]() | 7448 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT48V8M32 | sdram- lpsdr | 2.3v〜2.7V | 90-vfbga(8x13) | - | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 7 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 FAAT:c | 126.4350 | ![]() | 7655 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 441-TFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA(14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023FAAT:c | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 德拉姆 | 2G x 64 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | M29W400DT70ZE6E | - | ![]() | 2237 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | M29W400 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tfbga(6x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,122 | 非易失性 | 4Mbit | 70 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G | 2.7962 | ![]() | 1484 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT29F2G08ABBGAH4-AAT:g | 8542.32.0071 | 1,260 | 非易失性 | 2Gbit | 30 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 30ns | |||
![]() | MT25TL01GBBBB8ESF-0AAT TR | 18.8100 | ![]() | 2899 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MT25TL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-SOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | |||
![]() | MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR | - | ![]() | 5635 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | MT28EW01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-lbga(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 1Gbit | 95 ns | 闪光 | 128m x 8,64m x 16 | 平行线 | 60ns | ||||
MT25QL128ABA8E12-0SIT | 4.3500 | ![]() | 174 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MT25QL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | ||||
![]() | MT46V64M4BG-5B:GTR | - | ![]() | 7880 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-FBGA | MT46V64M4 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 60-fbga(8x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 4 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | mtfc64gazaqhd-wt tr | 26.6550 | ![]() | 2810 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | - | 557-MTFC64GAZAQHD-WTTR | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
![]() | EDF620AAABH-GD-FD | - | ![]() | 9660 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,360 | ||||||||||||||||||
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:l | 9.7800 | ![]() | 6505 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-vfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0002 | 1,440 | 167 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | EDB4432BBJ-1DAIT-FR TR | - | ![]() | 1688年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-WFBGA | EDB4432 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 134-FBGA (10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | mtfc32gapalna-aat es | - | ![]() | 4700 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | mtfc32g | 闪存-NAND | - | 100-TBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | EDFA112A2PD-JD-FD | - | ![]() | 5339 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | EDFA112 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,190 | 933 MHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 128m x 128 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F4G16ABADAH4-AAT:D Tr | - | ![]() | 7916 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G16 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 256m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT53B768M32D4TT-062 WT:b tr | - | ![]() | 1943年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53B768 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 768m x 32 | - | - | |||
![]() | MT29F32G08ABEDBJ4-12:d | - | ![]() | 9731 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F32G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | MT29F32G08ABEDBJ4-12:DTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT40A4G4NEA-062E:r tr | 21.7650 | ![]() | 2159 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(7.5x11) | - | 557-MT40A4G4NEA-062E:RTR | 2,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 4G x 4 | 平行线 | 15ns | |||||||
![]() | MT41K1G8TRF-125:e tr | - | ![]() | 8168 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K1G8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9.5x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 13.5 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | - | ||
![]() | MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K | 10.1850 | ![]() | 2748 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 149-WFBGA | Flash -nand(slc),DRAM -LPDDR4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 149-WFBGA(8x9.5) | 下载 | 557-MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K | 1 | 非易失性,挥发性 | 4Gbit | 25 ns | 闪光,ram | 512m x 8 | onfi | 30ns | ||||||||
![]() | MT53D512M32D2DS-046 AAT:D Tr | - | ![]() | 6871 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | - | - | |||
![]() | MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 TR | - | ![]() | 2016 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 |
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