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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR | - | ![]() | 5260 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT28FW512 | 闪光灯 -也不 | 1.7v〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 非易失性 | 512Mbit | 105 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 60ns | ||||
![]() | MT57W2MH8CF-6 | 28.3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | MT57W2MH | sram-同步 | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 2m x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F4G01ABBFDM70A3WC1 | 3.5200 | ![]() | 2794 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 死 | MT29F4G01 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 死 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 4G x 1 | spi | - | ||||||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 WT ES:B TR | 90.4650 | ![]() | 9393 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 441-TFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA(14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WTES:BTR | 2,000 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 德拉姆 | 2G x 64 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | M25P10-AVMN3TP/X TR | - | ![]() | 3641 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | (CT) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | M25P10 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 50 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 闪光 | 128K x 8 | spi | 15ms,5ms | ||||
![]() | MT25QL01GBBB1EW9-0SIT | 17.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | MT25QL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | (8-wpdfn(8x6)(MLP8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -791-MT25QL01GBBB1EW9-0SIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 133 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | |||
![]() | MT41K512M8DA-093:p tr | 5.2703 | ![]() | 1463年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(8x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT41K512M8DA-093:PTR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | M29W400DB55ZE6E | - | ![]() | 7214 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | M29W400 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tfbga(6x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 187 | 非易失性 | 4Mbit | 55 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | MT29F128G08AUCBBH3-12IT:b tr | - | ![]() | 3120 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-LBGA (12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT53D4DARN-DC | - | ![]() | 4513 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | MT53D4 | - | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,008 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT29F32G08CBCCBH1-12Z:c | - | ![]() | 5203 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F32G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 83 MHz | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | - | ||||
MT29F16G08ABACAWP-IT:c | - | ![]() | 9904 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F16G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 16Gbit | 闪光 | 2G x 8 | 平行线 | - | |||||||
![]() | PC28F640J3F75B | 4.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | PC28F640 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64- Easybga(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-PC28F640J3F75B-Tr | Ear99 | 8542.32.0051 | 108 | 非易失性 | 64mbit | 75 ns | 闪光 | 4m x 16,8m x 8 | 平行线 | 75ns | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | MT47H32M16NF-25E自动:h | - | ![]() | 4469 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(8x12.5) | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,368 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | MT46H1M32LFCM-5 IT:b | - | ![]() | 5861 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT46V16M16P-6T L:f | - | ![]() | 2251 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:F TR: | - | ![]() | 1179 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 557-MT53E512M32D4NQ-053RSWT:ftr | 过时的 | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR | - | ![]() | 2723 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53B256 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 256m x 32 | - | - | ||||
MT29F4G08ABAFAWP-ITS:f | - | ![]() | 8486 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F4G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | - | ||||||
![]() | MT53E768M32D4DT-046 AIT:e tr | - | ![]() | 9697 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-VFBGA | MT53E768 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | MT53E768M32D4DT-046AIT:ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 768m x 32 | - | - | ||||
MT53E256M32D1K-046自动:l | 14.5800 | ![]() | 8566 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | 表面安装 | 200-VFBGA | 200-VFBGA(10x14.5) | - | 到达不受影响 | 557-MT53E256M32D1K-046AUT:l | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT52L4DAGN-DC | - | ![]() | 4759 | 0.00000000 | 微米技术公司 | * | 盒子 | 积极的 | MT52L4 | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,190 | |||||||||||||||||||
![]() | MT49H16M16FM-5 Tr | - | ![]() | 6053 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H16M16 | 德拉姆 | 1.7V〜1.95V | 144-µBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT41J256M8JE-15E:a | - | ![]() | 7444 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 82-fbga | MT41J256M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 82-fbga (12.5x15.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 13.5 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F1G01ABBFDWB-IT:f tr | 3.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn | MT29F1G01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 8-updfn(8x6)(MLP8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 1G x 1 | spi | - | |||||
![]() | NAND32GW3F4AN6E | - | ![]() | 9054 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Nand32g | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -NAND32GW3F4AN6E | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | 非易失性 | 32Gbit | 50 ns | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | 50ns | |||
![]() | MT47H64M16NF-25E AIT:m tr | 3.8331 | ![]() | 4418 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(8x12.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT47H64M16NF-25EAIT:MTR | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT29F1G01ABAFDSF-AAT:f tr | 4.1500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MT29F1G01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 16件事 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 1G x 1 | spi | - | |||||
![]() | MT46H128M32L2MC-6 IT:a | - | ![]() | 6732 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 240-WFBGA | MT46H128M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 240-WFBGA(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | EDFP112A3PB-JDTJ-FD | - | ![]() | 6815 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | EDFP112 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,190 | 933 MHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 192m x 128 | 平行线 | - |
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