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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT46V256M4P-75：a	-	RFQ	4101	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V256M4	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	133 MHz	易挥发的	1Gbit	750 PS	德拉姆	256m x 4	平行线	15ns
MT41K1G8TRF-125：e tr	-	RFQ	8168	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K1G8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （9.5x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	13.5 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	-
MT53D512M32D2DS-046 AAT：D Tr	-	RFQ	6871	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT48LC16M8A2P-7E：l tr	-	RFQ	7310	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	14ns
MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K	10.1850	RFQ	2748	微米技术公司	-	盒子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	149-WFBGA		Flash -nand（slc），DRAM -LPDDR4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	149-WFBGA（8x9.5）	下载				557-MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K			1		非易失性，挥发性	4Gbit	25 ns	闪光，ram	512m x 8	onfi	30ns
M50FLW040BN5G	-	RFQ	5077	微米技术公司	-	托盘	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	40-tfsop（0.724英寸，18.40mm宽度）	M50FLW040	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	40-tsop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	120	33 MHz	非易失性	4Mbit	250 ns	闪光	512k x 8	平行线	-
EDFA112A2PD-JD-FD	-	RFQ	5339	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDFA112	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,190	933 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	128m x 128	平行线	-
MT48LC4M32B2B5-6A AAT：l	9.7800	RFQ	6505	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48LC4M32B2	Sdram	3v〜3.6V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0002	1,440	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	12ns
mtfc8gludm-ait tr	-	RFQ	4672	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	-	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT29F1HT08ELCBBG1-37：b tr	-	RFQ	1987	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	272-VFBGA	MT29F1HT08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	272-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	267 MHz	非易失性	1.5Tbit		闪光	192g x 8	平行线	-
MT29F1G08ABAEAWP：e tr	2.9800	RFQ	1	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT47H32M16HR-25E IT：G。	-	RFQ	2951	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT58L64L32FT-8.5	4.9100	RFQ	15	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	2Mbit	8.5 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
MT46V16M16TG-5B：f tr	-	RFQ	2294	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V16M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT40A256M16GE-083E：b	-	RFQ	7032	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A256M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT46V64M4TG-75：G Tr	-	RFQ	6890	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V64M4	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	750 PS	德拉姆	64m x 4	平行线	15ns
N25Q064A13EF8A0E	-	RFQ	1888年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-vdfpn（MLP8）（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,920	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT53B256M32D1DS-062 AAT：c	-	RFQ	7944	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B256	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360		易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-	未行业行业经验证
MT58L256L36PT-6	8.9300	RFQ	2	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L256L36	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	8mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
mtfc4gacajcn-1m wt	-	RFQ	3850	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
MT55V512V36FT-8.8	17.3600	RFQ	480	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55V512V	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	113 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT54W2MH8BF-6	33.0600	RFQ	698	微米技术公司	QDR®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	易挥发的	18mbit	500 ps	SRAM	2m x 8	HSTL	-
MT40A4G4JC-062E：e	-	RFQ	5048	微米技术公司	-	盒子	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（9x11）	下载				557-MT40A4G4JC-062E：e	过时的		1	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	4G x 4	荚	15ns
MT49H32M18SJ-25：b tr	-	RFQ	5267	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
MT46H64M32L2JG-6 IT：a tr	-	RFQ	5525	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	166 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
MT29RZ2B2DZZHHHHHHHTB-18I.88F TR	-	RFQ	6960	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	162-VFBGA	MT29RZ2B2	flash -nand，dram -lpddr2	1.8V	162-VFBGA（10.5x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	533 MHz	非易失性，挥发性	2GBIT（NAND），2Gbit（LPDDR2）		闪光，ram	256m x 8 nand），64m x 32 lpddr2）	平行线	-
MT42L256M64D4EV-18 wt：a	-	RFQ	9855	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	253-TFBGA	MT42L256M64	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v	253-fbga（11x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	平行线	-
mtfc8gacaecn-1m wt	-	RFQ	8087	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）			mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V		-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT58L128L32P1T-7.5C	4.7500	RFQ	301	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	133 MHz	易挥发的	4Mbit	4 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
MT29F128G08AJAAWP-Z：A Tr	-	RFQ	6832	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²