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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
EDFA164A2MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2MA-JD-FR TR -
RFQ
ECAD 4849 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - EDFA164 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 平行线 -
N25Q128A11EV740 Micron Technology Inc. N25Q128A11EV740 -
RFQ
ECAD 2083 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) - - N25Q128A11 闪光灯 -也不 1.7V〜2V - - rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-5 IT:a -
RFQ
ECAD 3524 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 易挥发的 4Gbit 5 ns 德拉姆 128m x 32 平行线 15ns
MT47H64M16HR-3 AIT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 AIT:h -
RFQ
ECAD 5505 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT46H64M32LFCX-5 AT:B Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5:b -
RFQ
ECAD 2590 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
MTFC8GAMALBH-AIT ES Micron Technology Inc. mtfc8gamalbh-ait -
RFQ
ECAD 3376 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-TFBGA mtfc8 闪存-NAND - 153-TFBGA(11.5x13) - (1 (无限) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 TR Micron Technology Inc. MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 TR 10.3350
RFQ
ECAD 5453 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT29AZ5 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109Tr 3,000
MT29AZ2B1BHGTN-18IT.111 TR Micron Technology Inc. MT29AZ2B1BHGTN-18IT.111 Tr -
RFQ
ECAD 9721 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT29AZ2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29AZ2B1BHGTN-18IT.111TR 1,000
MT47H128M8CF-3:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3:h -
RFQ
ECAD 3108 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
MT29F256G08EBHCFB16E3WC1-F Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHCFB16E3WC1-F 12.3100
RFQ
ECAD 6177 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F256G08EBHCFB16E3WC1-F 1
MT54W1MH18JF-5 Micron Technology Inc. MT54W1MH18JF-5 23.6300
RFQ
ECAD 75 0.00000000 微米技术公司 QDR™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA sram-同步 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 18mbit 450 ps SRAM 1m x 18 HSTL -
M29F400BB70N1 Micron Technology Inc. M29F400BB70N1 -
RFQ
ECAD 4654 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29F400 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 48-TSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 96 非易失性 4Mbit 70 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 70NS
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08AUCBBH8-6IT:b tr -
RFQ
ECAD 6354 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F512G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT55L1MY18PT-6 Micron Technology Inc. MT55L1MY18PT-6 18.9400
RFQ
ECAD 233 0.00000000 微米技术公司 ZBT® 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT55L1MY sram-异步,ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 18mbit 3.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
EDFA164A2PM-JDTJ-F-R TR Micron Technology Inc. edfa164a2pm-jdtj-fr tr -
RFQ
ECAD 4706 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - EDFA164 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 933 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 平行线 -
MT57W2MH8BF-7.5 Micron Technology Inc. MT57W2MH8BF-7.5 23.0000
RFQ
ECAD 22 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA Sram-同步,DDR II 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 18mbit 500 ps SRAM 2m x 8 HSTL -
MT62F2G32D4DS-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 WT ES:B TR 45.6900
RFQ
ECAD 9713 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 1.05V 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023WTES:BTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 2G x 32 平行线 -
MT58L64L18DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-7.5 7.0500
RFQ
ECAD 449 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2B 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 1Mbit 4.2 ns SRAM 64k x 18 平行线 -
RD48F4400P0VBQEJ Micron Technology Inc. RD48F4400P0VBQEJ -
RFQ
ECAD 7658 0.00000000 微米技术公司 Axcell™ 托盘 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 88-TFBGA,CSPBGA RD48F4400 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 88-SCSP (8x11) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 -RD48F4400P0VBQEJ 3A991B1A 8542.32.0071 1,056 52 MHz 非易失性 512Mbit 100 ns 闪光 32m x 16 平行线 100ns
MTFC32GAPALNA-AAT ES Micron Technology Inc. mtfc32gapalna-aat es -
RFQ
ECAD 4700 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 100-TBGA mtfc32g 闪存-NAND - 100-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08ABEDBJ4-12:d -
RFQ
ECAD 9731 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) MT29F32G08ABEDBJ4-12:DTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT53E1536M32D4NQ-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4NQ-046 WT:b -
RFQ
ECAD 4031 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 - 557-MT53E1536M32D4NQ-046WT:b 过时的 1
MT51J256M32HF-80:B TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-80:b tr -
RFQ
ECAD 2776 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31v〜1.39v,1.46V〜1.55V 170-FBGA(12x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0071 2,000 2 GHz 易挥发的 8Gbit 内存 256m x 32 平行线 -
NP8P128A13T1760E Micron Technology Inc. NP8P128A13T1760E -
RFQ
ECAD 3633 0.00000000 微米技术公司 Omneo™ 托盘 过时的 0°C〜70°C(TC) 表面安装 64-TBGA NP8P128A PCM (婴儿车) 2.7V〜3.6V 64- easybga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B 8542.32.0051 1,800 非易失性 128mbit 115 ns PCM (婴儿车) 16m x 8 平行,Spi 115ns
JS28F00AP33EF0 Micron Technology Inc. JS28F00AP33EF0 -
RFQ
ECAD 5034 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F00AP33 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0051 96 40 MHz 非易失性 1Gbit 105 ns 闪光 64m x 16 平行线 105ns
MT28EW01GABA1HJS-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1HJS-0SIT -
RFQ
ECAD 6011 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT28EW01 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -Mt28EW01GABA1HJS-0SIT 3A991B1A 8542.32.0071 576 非易失性 1Gbit 95 ns 闪光 128m x 8,64m x 16 平行线 60ns
MT29F4G16ABADAH4-AAT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAH4-AAT:D Tr -
RFQ
ECAD 7916 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G16 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B768M32D4TT-062 WT:b tr -
RFQ
ECAD 1943年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B768 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 768m x 32 - -
MT53B2DATG-DC Micron Technology Inc. MT53B2DATG-DC -
RFQ
ECAD 2250 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 960
EDF620AAABH-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF620AAABH-GD-FD -
RFQ
ECAD 9660 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,360
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库