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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT57W1MH18BF-4	23.0000	RFQ	926	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	18mbit	450 ps	SRAM	1m x 18	HSTL	-
MT54V512H18EF-6	13.8400	RFQ	241	微米技术公司	QDR™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	2.4v〜2.6V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	易挥发的	9Mbit	2.5 ns	SRAM	512k x 18	HSTL	-
MT58L256L36FS-8.5	-	RFQ	5462	微米技术公司	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响				1
MT29F16G08AFABAWP-IT：b	-	RFQ	4518	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
mtfc16gkqdq-it	-	RFQ	3903	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	-	mtfc16g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT29F1T08GBLCEJ4-M：c tr	19.5450	RFQ	1659年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F1T08GBLCEJ4-M：CTR			2,000
M29W640GB70ZF6E	-	RFQ	4306	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-TBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	816		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT41K128M16JT-125 V：k tr	-	RFQ	3748	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K128M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	2Gbit	13.75 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
MT29F256G08CECCBH6-6C：c	-	RFQ	9836	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1	167 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT53D384M32D2DS-046 AUT：E TR	-	RFQ	8361	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT52L256M32D1PF-093 WT ES：B TR	-	RFQ	3673	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	178-VFBGA	MT52L256	sdram- lpddr3	1.2V	178-fbga（11.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	1067 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
MT28FW512ABA1HPC-0AAT	-	RFQ	2632	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28FW512	闪光灯 -也不	1.7v〜3.6V	64-lbga（11x13）	-		3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	512Mbit	105 ns	闪光	32m x 16	平行线	60ns
MT44K16M36RB-093E：b	57.5400	RFQ	1886年	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-TBGA	MT44K16M36	德拉姆	1.28V〜1.42V	168-BGA（13.5x13.5）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,190	1.066 GHz	易挥发的	576Mbit	8 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
MT52L512M32D2PF-107 WT：b	31.9800	RFQ	1	微米技术公司	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	178-VFBGA	MT52L512	sdram- lpddr3	1.2V	178-fbga（11.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,890	933 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT48H1M32L2F5-10 IT	-	RFQ	7949	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- lpsdr	1.7V〜1.9V	90-vfbga（8x13）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	100 MHz	易挥发的	512Mbit	7.5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
MT53D4DASB-DC	-	RFQ	4232	微米技术公司	-	盒子	过时的				MT53D4				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,190
MT46H8M16LFCF-75 IT	-	RFQ	1495	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H8M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.9V	60-vfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	6 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
PC48F4400P0TB0E3	-	RFQ	6572	微米技术公司	Axcell™	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-LBGA	PC48F4400	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0051	144	52 MHz	非易失性	512Mbit	95 ns	闪光	32m x 16	平行线	95ns
MT47H32M16HR-187E：G。	-	RFQ	3485	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,000	533 MHz	易挥发的	512Mbit	350 PS	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT53E1536M32D4DE-046 wt：c tr	30.2400	RFQ	6458	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1536M32D4DE-046WT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	1.5GX 32	平行线	18NS
MT25QL01GBBB8ESF-0AAT TR	14.4150	RFQ	5862	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MT25QL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT47H64M8CB-3：b	-	RFQ	4549	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-FBGA	MT47H64M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-FBGA	下载	rohs3符合条件	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT62F3G32D8DV-023 AAT：b	94.8300	RFQ	8369	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023AAT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
MT53E512M64D2HJ-046自动：b	37.9050	RFQ	2987	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	556-WFBGA （12.4x12.4）	-				557-MT53E512M64D2HJ-046AUT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit	3.5 ns	德拉姆	512m x 64	平行线	18NS
MT58V1MV18DT-7.5	18.9400	RFQ	318	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58V1MV18	SRAM	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
MT25QL256ABA8ESF-0AAT	6.5500	RFQ	182	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MT25QL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-MT25QL256ABA8ESF-0AAT	3A991B1A	8542.32.0071	1,440	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT40A8G4BAF-062E：b tr	-	RFQ	8262	微米技术公司	Twindie™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A8G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（10.5x11）	-				557-MT40A8G4BAF-062E：BTR	过时的	8542.32.0071	2,000	1.6 GHz	非易失性	32Gbit	13.75 ns	德拉姆	8g x 4	平行线	-
PC28F256P30TFG	-	RFQ	5004	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	PC28F256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	864	52 MHz	非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	16m x 16	平行线	100ns
MT58L128L32F1T-7.5Tr	4.7200	RFQ	500	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500	113 MHz	易挥发的	4Mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
MT53E1G32D4NQ-046 wt：e	-	RFQ	2666	微米技术公司	-	盒子	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53E1G32	sdram- lpddr4	1.1V		-					过时的	0000.00.0000	1,360	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²