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![]() | MT46H128M32L2MC-6 WT:b | - | ![]() | 1441 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 240-WFBGA | MT46H128M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 240-WFBGA(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT28F008B5VG-8 T tr | - | ![]() | 5463 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 40-tfsop(0.724英寸,18.40mm宽度) | MT28F008B5 | 闪光灯 -也不 | 4.5V〜5.5V | 40-tsop i | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8mbit | 80 ns | 闪光 | 1m x 8 | 平行线 | 80ns | |||
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![]() | MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR | - | ![]() | 9158 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | (1 (无限) | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | - | - | |||||
![]() | MT48LC2M32B2B5-6A IT:j | 6.2468 | ![]() | 3773 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-vfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,440 | 167 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | mtfc128gapalns-ait es | - | ![]() | 7956 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-TFBGA | MTFC128 | 闪存-NAND | - | 153-TFBGA(11.5x13) | - | (1 (无限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
MT47H128M16RT-25E IT:c tr | 15.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | MT47H128M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-fbga(9x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT45W4MW16PFA-85 wt tr | - | ![]() | 1594年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 48-VFBGA | MT45W4MW16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 64mbit | 85 ns | PSRAM | 4m x 16 | 平行线 | 85ns | |||
![]() | MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:c | - | ![]() | 7665 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F32G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100 MHz | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT47H64M8CB-37E:b tr | - | ![]() | 1409 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA | 下载 | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,000 | 267 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 500 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT53B256M64D2NK-062 wt:b tr | - | ![]() | 8331 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53B256 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | MT62F1G32D4DS-031 AIT:b tr | 29.6100 | ![]() | 1311 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AIT:BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
MT48LC8M16LFF4-8 IT:G tr | - | ![]() | 7287 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-VFBGA | MT48LC8M16 | sdram- lpsdr | 3v〜3.6V | 54-VFBGA(8x8) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 7 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | M29W400DT70ZE6F TR | - | ![]() | 5011 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | M29W400 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tfbga(6x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 4Mbit | 70 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | MT29F2G08AAWP TR | - | ![]() | 2588 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F2G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | - |
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