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内存（（10402）

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MT46V16M16P-5B AIT：m	-	RFQ	2419	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V16M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,080	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT29F16G08CBACAWP：c	-	RFQ	9975	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
MTFC4GMWDQ-AIT a	-	RFQ	3736	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））		MTFC4GMWDQ-AITA	过时的	8542.32.0071	1		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
MT48LC16M16A2P-7E：G。	-	RFQ	7094	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,080	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	14ns
MT48V8M16LFF4-10：G。	-	RFQ	3846	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48V8M16	sdram- lpsdr	2.3v〜2.7V	54-VFBGA（8x8）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	100 MHz	易挥发的	128mbit	7 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
M29W128GL70ZA3E	-	RFQ	5860	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	64-TBGA	M29W128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-TBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	136		非易失性	128mbit	70 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	70NS
MT49H64M9SJ-25E：b	-	RFQ	3836	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H64M9	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,120	400 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	64m x 9	平行线	-
MT25QL01GBBA8E12-0SIT TR	-	RFQ	6302	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	spi	8ms，2.8ms
JS28F00AP30BFA	-	RFQ	4948	微米技术公司	Axcell™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F00AP30	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576	40 MHz	非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	64m x 16	平行线	110NS
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V	-	RFQ	5105	微米技术公司	-	大部分	过时的								-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,520
N25Q512A83GSF40F TR	-	RFQ	8419	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	N25Q512A83	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	108 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	128m x 4	spi	8ms，5ms
MT29F2G08ABAEAH4-AATX：e	-	RFQ	7587	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT47H64M16B7-5E：A TR	-	RFQ	7287	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜85°C（TC）	表面安装	92-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	92-FBGA（11x19）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	200 MHz	易挥发的	1Gbit	600 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
mt29f2g01abagdwb-it：g	2.0207	RFQ	4733	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn	MT29F2G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	8-updfn（8x6）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-mt29f2g01abagdwb-it：gtr	3A991B1A	8542.32.0071	1,920		非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-
M28W640HCT70ZB6E	-	RFQ	5152	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M28W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6.39x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	160		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	4m x 16	平行线	70NS
M29F800FB55N3F2 TR	-	RFQ	1592年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29F800	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	8mbit	55 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	55ns
MT46V128M8P-75：a	-	RFQ	5185	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V128M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	133 MHz	易挥发的	1Gbit	750 PS	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MT48LC8M16A2TG-75 L IT：G	-	RFQ	1297	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
M58WR064KB7AZB6E	-	RFQ	1048	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	M58WR064	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-VFBGA（7.7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	336	66 MHz	非易失性	64mbit	70 ns	闪光	4m x 16	平行线	70NS
MT62F1G64D4EK-023 AUT：b tr	73.4400	RFQ	8570	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F1G64D4EK-023AUT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	平行线	-
MT49H1M36FM-25E：b	-	RFQ	3976	微米技术公司	-	大部分	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H16M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0032	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
MT40A512M8RH-075E AAT：b	-	RFQ	9564	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A512M8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（9x10.5）	-			到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,260	1.33 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	512m x 8	平行线	-
MT53D256M64D4NY-046 XT ES：B TR	-	RFQ	1879年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	MT53D256	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U	-	RFQ	9503	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	-	-	MT29RZ4C4	flash -nand，dram -lpddr2	1.8V	-	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	980	533 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），4GBIT（LPDDR2）		闪光，ram	256m x 16 nand），128m x 32 lpddr2）	平行线	-
mtfc8gacaens-k1 ait	-	RFQ	5434	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT41K512M16TNA-125 M：E TR	-	RFQ	5650	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K512M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	13.5 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	-
mtfc16gjvec-it tr	-	RFQ	9892	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	-	mtfc16g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
NAND16GW3B6DPA6E	-	RFQ	1423	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	114-LFBGA	Nand16g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	114-LFBGA （12x16）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND16GW3B6DPA6E	3A991B1A	8542.32.0071	810		非易失性	16Gbit	25 ns	闪光	2G x 8	平行线	25ns
MT29E1T08CPCBBH8-6：b tr	-	RFQ	8340	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29E1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	167 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT46H128M16LFB7-5 IT：b	-	RFQ	1164	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H128M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²