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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR	-	RFQ	9067	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	64m x 16（NAND），16m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT62F1G32D4DS-031 IT：b tr	25.6350	RFQ	9353	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D4DS-031IT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT29F32G08AECCBH1-10Z：c	-	RFQ	5972	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	100 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT29F2T08GELBEJ4：b	-	RFQ	1328	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F2T08	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-				557-MT29F2T08GELBEJ4：b	过时的		1,120		非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
MT25QL512ABB8E12-1SIT TR	-	RFQ	3295	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT62F768M64D4EK-023 AIT：b	43.5300	RFQ	3414	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-	表面安装	441-TFBGA	MT62F768	sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F768M64D4EK-023AIT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
MT29F256G08CJAAAWP-Z：a tr	-	RFQ	3644	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT29F8T08GULCEM4-QA：c	156.3000	RFQ	4244	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F8T08GULCEM4-QA：c			1
MT47H16M16BG-3 IT：b tr	-	RFQ	7483	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	84-FBGA	MT47H16M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-fbga（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0024	1,000	333 MHz	易挥发的	256Mbit	450 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT41K256M8DA-107：k tr	4.0302	RFQ	6361	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K256M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT29F64G08CBABBWP-12IT：b tr	-	RFQ	8201	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT46H4M32LFB5-6：k	-	RFQ	8057	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H4M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	易挥发的	128mbit	5 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	15ns
RC28F128J3F75G	-	RFQ	8189	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	RC28F128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64- Easybga（10x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	864		非易失性	128mbit	75 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	75ns
M25P64-VMF3PB	-	RFQ	3122	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	M25P64	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,225	75 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	spi	15ms，5ms
MT62F768M64D4EK-023 AIT：b tr	43.5300	RFQ	3305	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C	表面安装	441-TFBGA	MT62F768	sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F768M64D4EK-023AIT：BTR			1,500	3.2 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
MT29F32G08CBADBWP-12：d tr	-	RFQ	6324	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	83 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT53D2G32D8QD-046 WT ES：E TR	-	RFQ	5019	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53D2G32	sdram- lpddr4	1.1V		-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	-	-
M25P80-VMW6G	-	RFQ	3068	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	M25P80	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SO W	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,800	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，5ms
MT58L64L18FT-7.5	7.6100	RFQ	9	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	1Mbit	7.5 ns	SRAM	64k x 18	平行线	-
MT62F1G32D4DS-031 wt：b	23.3100	RFQ	3803	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D4DS-031WT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT62F1G32D2DS-023 WT ES：B TR	40.9200	RFQ	7633	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023WTES：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT28F320J3RP-11 Met Tr	-	RFQ	9617	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT28F320J3	闪光	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Mbit	110 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	-
MTFC64GJVDN-3M wt	-	RFQ	6679	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	169-LFBGA	MTFC64	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	169-LFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES：a	-	RFQ	3574	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F512G08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-		3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT29F1G16ABBDAHC-IT：d	-	RFQ	4780	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,140		非易失性	1Gbit		闪光	64m x 16	平行线	-
N25Q128A11ESE40F TR	-	RFQ	8727	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	N25Q128A11	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
MT48LC4M16A2P-6A IT：j tr	4.3402	RFQ	4	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC4M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,000	167 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	12ns
MT41K256M16TW-107 AIT：p	8.1700	RFQ	12	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT53B384M64D4NZ-053 wt：c	-	RFQ	1632年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1	1.866 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
MT29F4T08EMLCHD4-T：C TR	83.9100	RFQ	5910	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08EMLCHD4-T：CTR			2,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²