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MT29F4T08EMLCHD4-QA：c	83.9100	RFQ	4671	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F4T08EMLCHD4-QA：c			1
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MT29F8G16ADBDAH4-AIT：d	-	RFQ	2996	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F8G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	8Gbit		闪光	512m x 16	平行线	-
M29W400DT45N6E	-	RFQ	9604	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W400	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	4Mbit	45 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	45ns
MT53D256M64D4KA-046 XT：ES b	-	RFQ	6816	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	MT53D256	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0036	1,190	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
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MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H Tr	-	RFQ	7190	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	121-WFBGA	MT29RZ1CV	flash -nand，dram -lpddr2	1.8V	121-VFBGA （8x7.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	533 MHz	非易失性，挥发性	1Gbit（NAND），512Mbit（LPDDR2）		闪光，ram	128m x 8 nand），32m x 16（lpddr2）	平行线	-
MT46V32M4TG-6T：D Tr	6.4400	RFQ	188	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M4	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	128mbit	700 ps	德拉姆	32m x 4	平行线	15ns
MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT	-	RFQ	6546	微米技术公司	-	托盘	过时的		表面安装	130-VFBGA	MT29C1			130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,782
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MT48LC16M8A2BB-75：G	-	RFQ	9255	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-FBGA	MT48LC16M8A2	Sdram	3v〜3.6V	60-FBGA（8x16）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	15ns
N25Q064A13ESEDFF TR	-	RFQ	7910	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SO W	下载	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,500	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
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MT46H32M16LFBF-6：c	-	RFQ	5337	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H32M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,782	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT29F4G08ABBDAHC：d	-	RFQ	2475	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,140		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT29F1T08CMHBBJ4-3R：b	-	RFQ	6268	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
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MT52L512M32D2PF-093 WT ES：B TR	-	RFQ	8324	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	178-VFBGA	MT52L512	sdram- lpddr3	1.2V	178-fbga（11.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	1067 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT29F2G08ABAEAWP-ITX：e	-	RFQ	7911	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
mtfc256gaoamam-wt	-	RFQ	4600	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	-	-	MTFC256	闪存-NAND	-	-	-		（1 （无限）			3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	MMC	-
MT29F128G08MAINDBJ5-12：d	-	RFQ	6728	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	-	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-TBGA（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT29F128G08CBCABL85A3WC1-M	-	RFQ	6123	微米技术公司	-	盒子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT29F2T08EMLCEJ4-R：c	-	RFQ	7964	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F2T08	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-				557-MT29F2T08EMLCEJ4-R：c	过时的	8542.32.0071	1,120		非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
M29W040B90N1	-	RFQ	7014	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	M29W040	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	32-tsop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	156		非易失性	4Mbit	90 ns	闪光	512k x 8	平行线	90NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²