SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT29F128G08AMCABK3-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABK3-10Z:a -
RFQ
ECAD 6593 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT44K32M18RB-093:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093:A TR -
RFQ
ECAD 8358 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 168-TBGA MT44K32M18 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 易挥发的 576Mbit 10 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
MT41K128M16JT-125 AUT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125自动:k 6.1693
RFQ
ECAD 6722 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 13.75 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 -
N25Q032A13ESEA0F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESEA0F TR -
RFQ
ECAD 7534 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) N25Q032A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SOP2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 8m x 4 spi 8ms,5ms
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABBFDWB-IT:f tr 3.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-udfn MT29F1G01 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 8-updfn(8x6)(MLP8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 非易失性 1Gbit 闪光 1G x 1 spi -
MT53B4DAPV-DC TR Micron Technology Inc. MT53B4DAPV-DC TR -
RFQ
ECAD 8620 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - - MT53B4 sdram- lpddr4 - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 易挥发的 德拉姆
EDF8132A3PB-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8132A3PB-GD-FD -
RFQ
ECAD 9321 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 - EDF8132 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v 216-WFBGA(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,680 800 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 平行线 -
M25PX16-VMW6G Micron Technology Inc. M25PX16-VMW6G -
RFQ
ECAD 9803 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) M25PX16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SO W 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,800 75 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 spi 15ms,5ms
MT62F768M64D4EK-023 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AIT:b 43.5300
RFQ
ECAD 3414 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 - 表面安装 441-TFBGA MT62F768 sdram- lpddr5 - 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023AIT:b 1 4.266 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 平行线 -
MTFC4GLMDQ-AIT Z Micron Technology Inc. mtfc4glmdq-ait z -
RFQ
ECAD 6813 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA mtfc4 闪存-NAND - 100-LBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
MTFC32GLXDI-WT Micron Technology Inc. mtfc32glxdi-wt -
RFQ
ECAD 4358 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 大部分 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 - mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT41K128M8DA-107 AIT:J Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107 AIT:j -
RFQ
ECAD 6109 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,140 933 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 -
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062自动:b tr -
RFQ
ECAD 8189 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D4NZ-046 wt:a tr -
RFQ
ECAD 2524 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) MT53D768 sdram- lpddr4 1.1V - 到达不受影响 0000.00.0000 1,000 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
EDFA112A2PF-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA112A2PF-JD-FD -
RFQ
ECAD 9346 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - EDFA112 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,190 933 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 128m x 128 平行线 -
MT41K512M8DA-093 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-093 IT:p tr -
RFQ
ECAD 1823年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 -
MT29F256G08CKCABH2-10:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-10:A TR -
RFQ
ECAD 3812 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-TBGA MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 100-TBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT25QL01GBBB8ESFE01-2SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBBB8ESFE01-2S​​ IT -
RFQ
ECAD 9974 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MT25QL01 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT25QL01GBBB8ESFE01-2S​​ ITTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 spi 8ms,2.8ms
JS28F128M29EWHF Micron Technology Inc. JS28F128M29EWHF -
RFQ
ECAD 2423 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F128M29 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 576 非易失性 128mbit 70 ns 闪光 16m x 8,8m x 16 平行线 70NS
ECF440AACCN-P4-Y3 Micron Technology Inc. ECF440AACCN-P4-Y3 -
RFQ
ECAD 8222 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 ECF440 - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1
MT29F64G08CECCBH1-12Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12Z:c tr -
RFQ
ECAD 3716 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT53E384M32D2DS-053 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-053 AIT:e tr 10.7700
RFQ
ECAD 3771 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E384M32D2DS-053AIT:ETR Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E6T08ETHBBM5-3ES:b tr -
RFQ
ECAD 5779 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29E6T08 闪存-NAND 2.5V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 非易失性 6Tbit 闪光 768g x 8 平行线 -
MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR -
RFQ
ECAD 7801 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-TBGA MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-TBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT40A2G8NEA-062E:R Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E:r 21.7650
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT40A2G8NEA-062E:R 1,260 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 13.75 ns 德拉姆 2G x 8 平行线 15ns
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E AAT:m tr -
RFQ
ECAD 9817 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) MT47H128M8SH-25EAAT:MTR Ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
MT42L128M32D1LF-18 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1LF-18 wt:a tr -
RFQ
ECAD 9284 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 168-WFBGA MT42L128M32 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 168-FBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 533 MHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 平行线 -
MT48LC64M4A2P-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-6A:G。 -
RFQ
ECAD 4177 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC64M4A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 64m x 4 平行线 12ns
MTFC4GMVEA-4M IT Micron Technology Inc. MTFC4GMVEA-4M IT -
RFQ
ECAD 3351 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 大部分 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-WFBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-WFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
MTFC128GAPALNS-AAT Micron Technology Inc. mtfc128gapalns-aat 105.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 上次购买 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 153-TFBGA MTFC128 闪存-NAND - 153-TFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 MMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库