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![]() | MT41K512M8DA-093 IT:p tr | - | ![]() | 1823年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | - | ||
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![]() | MT29F64G08CECCBH1-12Z:c tr | - | ![]() | 3716 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT53E384M32D2DS-053 AIT:e tr | 10.7700 | ![]() | 3771 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53E384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E384M32D2DS-053AIT:ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 12Gbit | 德拉姆 | 384m x 32 | - | - | ||
![]() | MT29E6T08ETHBBM5-3ES:b tr | - | ![]() | 5779 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | - | - | MT29E6T08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 非易失性 | 6Tbit | 闪光 | 768g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR | - | ![]() | 7801 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||
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![]() | MT42L128M32D1LF-18 wt:a tr | - | ![]() | 9284 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-WFBGA | MT42L128M32 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | 168-FBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT48LC64M4A2P-6A:G。 | - | ![]() | 4177 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MT48LC64M4A2 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,080 | 167 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 64m x 4 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | MTFC4GMVEA-4M IT | - | ![]() | 3351 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-WFBGA | mtfc4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-WFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,000 | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | MMC | - | ||||
![]() | mtfc128gapalns-aat | 105.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 上次购买 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 153-TFBGA | MTFC128 | 闪存-NAND | - | 153-TFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | MMC | - |
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