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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
M25P32-VMF3TPB TR	-	RFQ	4719	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	M25p3 2	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	75 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	spi	15ms，5ms
MT53B384M32D2NP-062 AIT：b	-	RFQ	3679	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-			到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.6 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT53D384M16D1Z1AMWC1	-	RFQ	6452	微米技术公司	*	大部分	积极的				MT53D384				-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1
MEDFAE8SCA-1P2IT	-	RFQ	3155	微米技术公司	-	管子	积极的				medfae8				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	150
MT29F32G08CBACAWP-ITZ：c	-	RFQ	7636	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR	16.4250	RFQ	7313	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT28EW01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		非易失性	1Gbit	105 ns	闪光	128m x 8，64m x 16	平行线	60ns
MT29F16G08ABACAWP：c tr	-	RFQ	5895	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
MT25QL512ABB1EW9-0SIT TR	7.4400	RFQ	9721	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	MT25QL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	（8-wpdfn（8x6）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT29F2G08ABBEAH4-ITX：e tr	-	RFQ	4521	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT29F16G08ABCBBH1-12IT：b tr	-	RFQ	1186	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
MT58L256V32PS-7.5	15.6400	RFQ	2	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	8mbit	4 ns	SRAM	256K x 32	平行线	-
MT46H256M32L4LE-48 wt：c tr	-	RFQ	7732	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT46H256M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-TFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	208 MHz	易挥发的	8Gbit	5 ns	德拉姆	256m x 32	平行线	14.4ns
JS28F256J3F1058 TR	-	RFQ	9158	微米技术公司	Strataflash™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F256J3	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,600		非易失性	256Mbit	105 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	105ns
MT29E1T08CUCBBH8-6：b tr	-	RFQ	5749	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29E1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	167 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT48LC16M16A2P-75 IT：D Tr	-	RFQ	3971	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT25TL512HBA8E12-0SIT TR	-	RFQ	9567	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25TL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi	8ms，2.8ms
EDFP112A3PB-GD-FR	-	RFQ	4243	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TA）	-	-	EDFP112	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1	800 MHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	192m x 128	平行线	-
MT25QL128ABA8E12-0AAT TR	5.0400	RFQ	5124	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT29F128G08CBCBBH6-6R：b tr	-	RFQ	4997	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT29F8G08ABACAH4-IT：c	-	RFQ	1765年	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F8G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	平行线	-
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V TR	-	RFQ	3184	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000
MT42L256M32D2LK-18 wt：a	-	RFQ	3538	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	MT42L256M32	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v	216-fbga（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	平行线	-
MT62F768M32D2DS-023 FAAT：b	25.6500	RFQ	2162	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	-	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F768M32D2DS-023FAAT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	768m x 32	平行线	-
MT46V64M8P-5B：j	4.6126	RFQ	6666	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V64M8	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,080	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT46H32M32LFCG-6：a tr	-	RFQ	5879	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-VFBGA	MT46H32M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	152-VFBGA（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns
MT28EW01GABA1LPC-0SIT TR	15.1500	RFQ	7838	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28EW01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	1Gbit	95 ns	闪光	128m x 8，64m x 16	平行线	60ns
MT4A1G8SA-75：e	-	RFQ	5190	微米技术公司	-	托盘	积极的				MT4A1				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,020
MT29C8G96MAYBADJV-5 WT	-	RFQ	5527	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT29C8G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	8Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	1G x 8（NAND），128m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT29F1T208ECHBBJ4-3R：b	-	RFQ	8933	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T208	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	1.125Tbit		闪光	144g x 8	平行线	-
MT29F2G16ABAFAWP：f tr	-	RFQ	3241	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）			MT29F2G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V		-	rohs3符合条件	3（168））		MT29F2G16ABAFAWP：ftr	3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²