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![]() | MT44K16M36RB-107E IT:b tr | - | ![]() | 1182 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 168-TBGA | MT44K16M36 | 德拉姆 | 1.28V〜1.42V | 168-BGA(13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 8 ns | 德拉姆 | 16m x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | MT47H64M8B6-25:D Tr | - | ![]() | 8921 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | EDFA232A2PF-GD-FR TR | - | ![]() | 4452 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | - | EDFA232 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | 168-FBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F128G08CBCCBH6-6R:c | - | ![]() | 2322 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 152-vbga | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 152-vbga(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT53D512M64D4HR-053 wt:d | - | ![]() | 1916年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 366-WFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 366-WFBGA(12x12.7) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | |||
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![]() | MT62F1G32D2DS-023 AAT:b | 31.9350 | ![]() | 9571 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AATES:b | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
MT53E1G32D2FW-046 wt:a | 22.0050 | ![]() | 9440 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046WT:a | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | 18NS | |||||||||
MT47H64M16HR-25:h tr | - | ![]() | 2591 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | mtfc64gazaqhd-it tr | 29.3250 | ![]() | 4075 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | MTFC64 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MTFC64GAZAQHD-ITTR | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:c tr | - | ![]() | 1782年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT46V32M8P-6T:GTR | - | ![]() | 7161 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT29F128G08AMCABH2-10IT:a | - | ![]() | 9330 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F128G08AMCABH2-10Z:a | - | ![]() | 1542 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT28EW512ABA1HPC-0SIT TR | 9.3300 | ![]() | 4363 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | MT28EW512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-lbga(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 512Mbit | 95 ns | 闪光 | 64m x 8,32m x 16 | 平行线 | 60ns | |||
![]() | MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR | 5.5648 | ![]() | 6756 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT28EW128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 非易失性 | 128mbit | 95 ns | 闪光 | 16m x 8,8m x 16 | 平行线 | 60ns | |||
![]() | MT40A2G4Z11BWC1 | 9.0100 | ![]() | 5397 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT40A2G4Z11BWC1 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R | - | ![]() | 1569年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 死 | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT53E512M64D4NK-053 wt:d | - | ![]() | 2960 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 366-WFBGA | MT53E512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 366-WFBGA(15x15) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E512M64D4NK-053WT:d | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | ||
![]() | MT46H32M32LFB5-48 IT:b tr | - | ![]() | 7936 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-vfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 208 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | 14.4ns | |||
![]() | MT47H32M8BP-5E:b | - | ![]() | 2307 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-FBGA | MT47H32M8B | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga (8x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 600 ps | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | EDB8164B4PR-1D-FR TR | - | ![]() | 1765年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 216-WFBGA | EDB8164 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 216-fbga(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 128m x 64 | 平行线 | - | |||
![]() | mtfc8gamalht-aat tr | 11.1750 | ![]() | 6779 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | mtfc8 | 闪存-NAND | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MTFC8GAMALHT-AATTR | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | |||||||
![]() | RC28F00AP30TFA | - | ![]() | 8947 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Axcell™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | RC28F00 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 64- easybga(8x10) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 100 ns | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | 100ns | ||
![]() | MT62F1G32D2DS-026 wt:c | 22.8450 | ![]() | 5308 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT:c | 1 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | MT53B128M32D1NP-062 AAT: | - | ![]() | 9644 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53B128 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | - | - | |||
![]() | MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A TR | - | ![]() | 4559 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | MT53E1536 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E1536M32D4DT-046AIT:ATR | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 48Gbit | 德拉姆 | 1.5GX 32 | - | - | |||||
MT29F16G08ABACAWP-IT:c | - | ![]() | 9904 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F16G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 16Gbit | 闪光 | 2G x 8 | 平行线 | - |
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