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MT53E768M32D4DT-053自动：e tr	50.2500	RFQ	4963	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）			MT53E768	sdram- lpddr4	1.1V		-			到达不受影响	557-MT53E768M32D4DT-053AUT：ETR			2,000	1.866 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	768m x 32	-	-
MT40A512M8RH-083E AIT：b tr	-	RFQ	6100	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A512M8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	512m x 8	平行线	-
MT53E4D1ADE-DC	22.5000	RFQ	2279	微米技术公司	-	大部分	积极的				MT53E4				-			到达不受影响	557-MT53E4D1ADE-DC			1,360
PC48F4400P0VB00A	-	RFQ	8929	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-LBGA	PC48F4400	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	144	52 MHz	非易失性	512Mbit	85 ns	闪光	32m x 16	平行线	85ns
MT25QU256ABA8E14-1SIT TR	-	RFQ	8846	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QU256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT58L64L32PT-6TR	3.5200	RFQ	55	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	166 MHz	易挥发的	2Mbit	3.5 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
MT53E768M64D4HJ-046自动：c	73.6500	RFQ	9576	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	556-WFBGA （12.4x12.4）	-				557-MT53E768M64D4HJ-046AUT：c			1	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	768m x 64	平行线	18NS
M25PX80-VMP6TGAA TR	-	RFQ	2564	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25PX80	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-VFQFPN（6x5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	4,000	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，5ms
MT46V32M16T67A3WC1	-	RFQ	9575	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）			MT46V32M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V		-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1		易挥发的	512Mbit		德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT25QL256BBB8ESF-CSIT TR	5.8438	RFQ	7271	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	16-SOP2	-				557-MT25QL256BBB8ESF-CSITTR			1,000	133 MHz	非易失性	128mbit	5 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	1.8ms
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MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT	11.8650	RFQ	3556	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,008	208 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT29F4G01ADAGDWB-IT：g tr	-	RFQ	1971年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn	MT29F4G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	8-updfn（8x6）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000		非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT	-	RFQ	2136	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	-	MT29C8G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	8Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 16 nand），128m x 32 lpdram）	平行线	-
MT29F1G08ABBDAH4-IT：d	-	RFQ	3157	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT29F1G08ABBDAHC：D Tr	-	RFQ	1346	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
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MT62F2G64D8EK-023 FAAT：c	126.4350	RFQ	7655	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F2G64D8EK-023FAAT：c			1	4.266 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	2G x 64	平行线	-
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MT46V16M8P-6TL：DTR	-	RFQ	2621	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V16M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	128mbit	700 ps	德拉姆	16m x 8	平行线	15ns
MT29F2G08ABBGAH4-AAT：G	2.7962	RFQ	1484	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G08ABBGAH4-AAT：g		8542.32.0071	1,260		非易失性	2Gbit	30 ns	闪光	256m x 8	平行线	30ns
EDFA164A2PH-GD-FD	-	RFQ	2625	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDFA164	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,190	800 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	平行线	-
MT29F2T08EMHAFJ4-3R：a	-	RFQ	1886年	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F2T08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-				557-MT29F2T08EMHAFJ4-3R：a	过时的	8542.32.0071	112	333 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
MT62F4G32D8DV-026 AIT：b	114.9600	RFQ	2210	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-026AIT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
MT29F2T08CTCCBJ7-6C：c tr	-	RFQ	2504	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29F2T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT29F2T08CTCCBJ7-6C：CTR	过时的	0000.00.0000	1,000	167 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
MT29F16G08CBACBWP-12：c	-	RFQ	6924	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
EDFB232A1MA-JD-FR TR	-	RFQ	8182	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TA）	-	-	EDFB232	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,000	933 MHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
M29W400FT55N3F TR	-	RFQ	6076	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W400	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	55ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²