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内存（（10402）

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MT41K64M16TW-107 XIT：j	-	RFQ	7270	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K64M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,368	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D	-	RFQ	7044	微米技术公司	-	盒子	过时的				MT29VZZZBD8				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,520
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MT53D4DANY-DC	-	RFQ	6208	微米技术公司	-	托盘	过时的		-	-	MT53D4	sdram- lpddr4		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,190		易挥发的			德拉姆
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MT46V64M8TG-75E：D Tr	-	RFQ	2430	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	-	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	750 PS	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT46V16M16TG-5G：f	-	RFQ	1225	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V16M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT49H16M36SJ-25 IT：b	-	RFQ	8225	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	MT49H16M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,120	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
M29W640GST70ZF6E	-	RFQ	3949	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-TBGA（10x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-M29W640GST70ZF6E	3A991B1A	8542.32.0071	816		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT41K1G8SN-125：a tr	-	RFQ	4434	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K1G8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（9x13.2）	下载	rohs3符合条件	3（168））		MT41K1G8SN-125：Atr	Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	13.75 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	-
MT53D384M32D2DS-053 AIT：c	-	RFQ	9200	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
RC48F4400P0VB0E3	-	RFQ	6588	微米技术公司	Axcell™	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-TBGA	RC48F4400	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- easybga（8x10）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	144	52 MHz	非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	32m x 16	平行线	100ns
mtfc8gluea-ait tr	-	RFQ	1583年	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT53B256M64D2NK-053 wt：c tr	-	RFQ	8563	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B256	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
MT46H256M32L4JV-6 IT：a	-	RFQ	6001	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT46H256M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	166 MHz	易挥发的	8Gbit	5 ns	德拉姆	256m x 32	平行线	15ns
MT42L128M32D2MH-25 IT：a	-	RFQ	9978	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	MT42L128M32	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v	134-fbga（11x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	400 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	平行线	-
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2	-	RFQ	9678	微米技术公司	-	大部分	过时的				MT29RZ4				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000
M29F160FT5AN6E2	-	RFQ	7392	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29F160	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	16mbit	55 ns	闪光	2m x 8，1m x 16	平行线	55ns
MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T	-	RFQ	3738	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C	-	-	MT29TZZZ8	flash -nand，dram -lpddr3	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,520	800 MHz	非易失性，挥发性	64Gbit（NAND），8Gbit（8Gbit）lpddr3）		闪光，ram	68g x 8 nand），256m x 32 lpddr3）	MMC，LPDRAM	-
MT49H8M36BM-25 IT：b tr	-	RFQ	2540	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	MT49H8M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
MT25QU02GCBB8E12-0SIT TR	28.4700	RFQ	2454	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QU02	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	spi	8ms，2.8ms
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EMFM432A1PH-DV-FR TR	-	RFQ	2626	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				EMFM432				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,000
MT40A2G4SA-062E：j	-	RFQ	3080	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A2G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,260	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	2G x 4	平行线	15ns
MT29F8G08BABAWP：b	-	RFQ	8461	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F8G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	平行线	-
MT29F4G08ABADAWP-AITX：D TR	5.1251	RFQ	4720	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT48LC2M32B2P-5：G Tr	-	RFQ	9534	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC2M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	200 MHz	易挥发的	64mbit	4.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
MT60B1G16HC-48B IT：a	18.2400	RFQ	6035	微米技术公司	-	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	102-VFBGA		SDRAM -DDR5	-	102-VFBGA（9x14）	-				557-MT60B1G16HC-48BIT：a			1	2.4 GHz	易挥发的	16Gbit	16 ns	德拉姆	1G x 16	荚	-
MT29F4T08CTHBM5-3R：b tr	-	RFQ	7146	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F4T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	4Tbit		闪光	512g x 8	平行线	-
EDFA164A2PM-JDTJ-FD	-	RFQ	1435	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDFA164	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,190	933 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²