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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT45W4MW16BFB-706 WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-706 wt tr -
RFQ
ECAD 8848 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 54-VFBGA MT45W4MW16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 54-VFBGA(6x9) 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 64mbit 70 ns PSRAM 4m x 16 平行线 70NS
MT44K16M36RB-093E:A TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E:TR -
RFQ
ECAD 5693 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 168-TBGA MT44K16M36 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 易挥发的 576Mbit 8 ns 德拉姆 16m x 36 平行线 -
MT44K16M36RB-093 IT:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093 IT:a -
RFQ
ECAD 6425 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 168-TBGA MT44K16M36 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 易挥发的 576Mbit 10 ns 德拉姆 16m x 36 平行线 -
MT46V64M16P-6T IT:A Micron Technology Inc. MT46V64M16P-6T IT:a -
RFQ
ECAD 7415 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V64M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 易挥发的 1Gbit 700 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR -
RFQ
ECAD 5678 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B256 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 - -
MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 wt:d -
RFQ
ECAD 5696 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
MT41K64M16JT-15E:G Micron Technology Inc. MT41K64M16JT-15E:G。 -
RFQ
ECAD 2645 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 易挥发的 1Gbit 13.5 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 -
MT48H8M32LFF5-8 IT TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFF5-8 IT TR -
RFQ
ECAD 8807 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- lpsdr 1.7V〜1.95V 90-vfbga(8x13) 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 易挥发的 256Mbit 7 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 15ns
MTFC32GASAQHD-AAT Micron Technology Inc. mtfc32gasaqhd-aat 19.1400
RFQ
ECAD 6760 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 153-VFBGA mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1,520 200 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 EMMC -
MT29F64G08CBABAWP:B Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABAWP:b -
RFQ
ECAD 4495 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-107 wt:b tr 16.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 178-VFBGA MT52L256 sdram- lpddr3 1.2V 178-fbga(11.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 - -
MT29C1G12MAACAEAML-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAEAML-6 IT -
RFQ
ECAD 6535 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA MT29C1G12 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 153-VFBGA 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性,挥发性 1GBIT(NAND),512Mbit(LPDRAM) 闪光,ram 128m x 8(NAND),16m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
MT29F64G08AECDBJ4-6:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AECDBJ4-6:d tr -
RFQ
ECAD 7754 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT53D768M64D8JS-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8JS-053 wt:d -
RFQ
ECAD 9349 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 366-VFBGA MT53D768 sdram- lpddr4 1.1V 366-VFBGA (12x12.7) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
MT47H128M16RT-187E:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-187E:c tr -
RFQ
ECAD 6128 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H128M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-fbga(9x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 易挥发的 2Gbit 350 PS 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
MT46V32M8FG-75:G Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-75:G。 -
RFQ
ECAD 4197 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-FBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-fbga(8x14) 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 750 PS 德拉姆 32m x 8 平行线 15ns
MT48LC16M16A2TG-75:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2TG-75:d -
RFQ
ECAD 9804 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
MT45W1MW16PDGA-70 WT TR Micron Technology Inc. MT45W1MW16PDGA-70 WT TR -
RFQ
ECAD 8263 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 48-VFBGA MT45W1MW16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 16mbit 70 ns PSRAM 1m x 16 平行线 70NS
MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR -
RFQ
ECAD 8073 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- lpsdr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 15ns
MT41K256M16TW-93:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-93:p tr -
RFQ
ECAD 6065 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 2,000 1.066 GHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT46V64M8P-6T:F Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T:f -
RFQ
ECAD 2941 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 rohs3符合条件 4 (72小时) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
N25Q128A13ESEC0E Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEC0E -
RFQ
ECAD 8151 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) N25Q128A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
MT47H32M16CC-3:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-3:b tr -
RFQ
ECAD 9081 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(12x12.5) 下载 rohs3符合条件 5(48)(48)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 易挥发的 512Mbit 450 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-10 IT:G tr -
RFQ
ECAD 8018 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48V4M32 sdram- lpsdr 2.3v〜2.7V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 易挥发的 128mbit 7 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 15ns
MT47H64M16HR-187E:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-187E:h tr -
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 易挥发的 1Gbit 350 PS 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT48LC8M16A2TG-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-6A:G -
RFQ
ECAD 9413 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC8M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 12ns
MT49H32M18CSJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-25E:b -
RFQ
ECAD 1434 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA MT49H32M18 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-FBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400 MHz 易挥发的 576Mbit 15 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6R:c tr -
RFQ
ECAD 3595 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MTFC16GJGEF-AIT Z Micron Technology Inc. mtfc16gjgef-ait z -
RFQ
ECAD 7447 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 169-TFBGA mtfc16g 闪存-NAND 1.65V〜3.6V 169-TFBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
MT29F128G08EBEBBWP:B Micron Technology Inc. MT29F128G08EBEBBWP:b -
RFQ
ECAD 5917 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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