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内存（（10402）

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MT48LC64M4A2P-7E：D Tr	-	RFQ	1067	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC64M4A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	64m x 4	平行线	14ns
MT29F128G08EBHDB05A3WC1ES	-	RFQ	4051	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT28EW256ABA1LJS-0SIT TR	6.7739	RFQ	7288	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT28EW256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		非易失性	256Mbit	75 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	60ns
MT48H8M16LFB4-6：k tr	-	RFQ	5909	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H8M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	易挥发的	128mbit	5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT46V128M4TG-5B：f tr	-	RFQ	5944	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V128M4	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	128m x 4	平行线	15ns
N25Q512A83GSF40F TR	-	RFQ	8419	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	N25Q512A83	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	108 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	128m x 4	spi	8ms，5ms
MT40A4G4HPR-075H：G	-	RFQ	8041	微米技术公司	Twindie™	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	-	-	MT40A4G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1	1.33 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	4G x 4	平行线	-
JS28F00AP30BFA	-	RFQ	4948	微米技术公司	Axcell™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F00AP30	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576	40 MHz	非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	64m x 16	平行线	110NS
NAND16GW3B6DPA6E	-	RFQ	1423	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	114-LFBGA	Nand16g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	114-LFBGA （12x16）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND16GW3B6DPA6E	3A991B1A	8542.32.0071	810		非易失性	16Gbit	25 ns	闪光	2G x 8	平行线	25ns
MT48LC16M16A2P-7E：G。	-	RFQ	7094	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,080	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	14ns
MT49H64M9SJ-25E：b	-	RFQ	3836	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H64M9	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,120	400 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	64m x 9	平行线	-
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MT29F64G8CBCBBH1-1：b tr	-	RFQ	8593	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	100-vbga	MT29F64G8			100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,000
MT29F16G08CBACAWP：c	-	RFQ	9975	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
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MT29E1T08CPCBBH8-6：b tr	-	RFQ	8340	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29E1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	167 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V	-	RFQ	5105	微米技术公司	-	大部分	过时的								-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,520
MT46V32M8TG-6T L：G Tr	-	RFQ	3940	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns
MT29F32G08CBEDBL83A3WC1	-	RFQ	4223	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
M29F800FB55N3F2 TR	-	RFQ	1592年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29F800	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	8mbit	55 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	55ns
MT48V8M16LFF4-10：G。	-	RFQ	3846	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48V8M16	sdram- lpsdr	2.3v〜2.7V	54-VFBGA（8x8）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	100 MHz	易挥发的	128mbit	7 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT53D384M32D2DS-053 AUT：c tr	-	RFQ	5094	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,000	1.866 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT62F2G64D8EK-023 wt：b tr	90.4650	RFQ	5802	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F2G64D8EK-023WT：BTR			2,000	4.266 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	2G x 64	平行线	-
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES：b tr	-	RFQ	3009	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29E384G08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	384Gbit		闪光	48g x 8	平行线	-
MT25QL01GBBA8E12-0SIT TR	-	RFQ	6302	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	spi	8ms，2.8ms
MTFC4GMWDQ-AIT a	-	RFQ	3736	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））		MTFC4GMWDQ-AITA	过时的	8542.32.0071	1		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
MT48LC8M32LFF5-8	-	RFQ	1088	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48LC8M32	sdram- lpsdr	3v〜3.6V	90-vfbga（8x13）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	125 MHz	易挥发的	256Mbit	7 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
M45PE20-VMP6TG TR	-	RFQ	4151	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M45PE20	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	75 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	15ms，3ms
MT46H128M16LFB7-5 IT：b	-	RFQ	1164	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H128M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²