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内存（（10402）

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MT47H128M16RT-187E：c tr	-	RFQ	6128	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H128M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-fbga（9x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	易挥发的	2Gbit	350 PS	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
mtfc16gjgef-ait z	-	RFQ	7447	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-TFBGA	mtfc16g	闪存-NAND	1.65V〜3.6V	169-TFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT48H16M32LFCM-75 IT：A TR	-	RFQ	8073	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
MT41K64M16TW-107 XIT：j	-	RFQ	7270	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K64M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,368	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT62F1G32D2DS-023 wt：b	22.8450	RFQ	7261	微米技术公司	-	盒子	积极的	-	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023WT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
M29W160EB70ZA6F TR	-	RFQ	1101	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M29W160	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	16mbit	70 ns	闪光	2m x 8，1m x 16	平行线	70NS
MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T	-	RFQ	3738	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C	-	-	MT29TZZZ8	flash -nand，dram -lpddr3	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,520	800 MHz	非易失性，挥发性	64Gbit（NAND），8Gbit（8Gbit）lpddr3）		闪光，ram	68g x 8 nand），256m x 32 lpddr3）	MMC，LPDRAM	-
N25Q064A13EF640E	-	RFQ	3422	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,940	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT48LC4M32B2P-6A IT：l	-	RFQ	5799	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC4M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,080	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	12ns
MT28F004B5VG-8	-	RFQ	7280	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	40-tfsop（0.724英寸，18.40mm宽度）	MT28F004B5	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	40-tsop i	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Mbit	80 ns	闪光	512k x 8	平行线	80ns
M29W128GH70N6F TR	-	RFQ	3027	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1200		非易失性	128mbit	70 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	70NS
MT28F008B5VG-8 b	-	RFQ	8677	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	40-tfsop（0.724英寸，18.40mm宽度）	MT28F008B5	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	40-tsop i	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	8mbit	80 ns	闪光	1m x 8	平行线	80ns
MT53B512M32D2NP-062 AAT：c tr	-	RFQ	3809	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT53B512M32D2NP-062AAT：CTR	Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT53B1DBNP-DC	-	RFQ	3599	微米技术公司	-	托盘	过时的		表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4		200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,360		易挥发的			德拉姆
MT49H16M18FM-33 Tr	-	RFQ	7023	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H16M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0036	1,000	300 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	平行线	-
MT40A1G8WE-083E IT：b tr	-	RFQ	8990	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（8x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	1G x 8	平行线	-
M29W160EB70N6E	-	RFQ	2886	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W160	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	576		非易失性	16mbit	70 ns	闪光	2m x 8，1m x 16	平行线	70NS
MT53D384M32D2DS-046 AAT：e tr	-	RFQ	3703	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT41K256M16LY-107：n	-	RFQ	6335	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（7.5x13.5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,080	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
M29W256GL7AZ6E	-	RFQ	7361	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	M29W256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	160		非易失性	256Mbit	70 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	70NS
MT29C2G24MAABAKAKAKAMD-5 IT	-	RFQ	5167	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C2G24	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	2Gbit（NAND），1Gbit lpdram）		闪光，ram	128m x 16（NAND），32m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT48H32M16LFB4-75B IT：c	-	RFQ	1536年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H32M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT52L256M64D2FT-107 wt：b	31.9800	RFQ	1	微米技术公司	-	盒子	积极的	-30°C〜85°C（TC）			MT52L256	sdram- lpddr3	1.2V		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	933 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
EDB5432BEPA-1DIT-FD	-	RFQ	5190	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-WFBGA	EDB5432	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,680	533 MHz	易挥发的	512Mbit		德拉姆	16m x 32	平行线	-
MT58L128L36P1T-7.5	2.7800	RFQ	34	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4Mbit	4 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
mtfc2gmtea-wt	-	RFQ	7340	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc2g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	MMC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²