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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT53E128M16D1FW-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E128M16D1FW-046 AIT: 5.7400
RFQ
ECAD 5357 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) MT53E128 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT53E128M16D1FW-046AIT:a Ear99 8542.32.0036 136 2.133 GHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 128m x 16 - -
MT41K512M8DA-93:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-93:p -
RFQ
ECAD 8040 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,260 1.066 GHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 -
M29F160FB5KN3E2 TR Micron Technology Inc. M29F160FB5KN3E2 TR -
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ECAD 8200 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 M29F160 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1B1 8542.32.0071 1,500
MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6R:c tr -
RFQ
ECAD 3595 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
N25Q128A13ESEC0E Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEC0E -
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ECAD 8151 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) N25Q128A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
MT29F128G08EBEBBWP:B Micron Technology Inc. MT29F128G08EBEBBWP:b -
RFQ
ECAD 5917 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT46V32M16P-6T IT:F Micron Technology Inc. MT46V32M16P-6T IT:f -
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ECAD 1593年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
N25Q064A13EF8H0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF8H0F TR -
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ECAD 8170 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 N25Q064A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-vdfpn(MLP8)(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 非易失性 64mbit 闪光 16m x 4 spi 8ms,5ms
MT47H64M8SH-187E:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-187E:h tr -
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ECAD 9787 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,000 533 MHz 易挥发的 512Mbit 350 PS 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT46V64M8P-6T:F Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T:f -
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ECAD 2941 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 rohs3符合条件 4 (72小时) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT46V32M8FG-75:G Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-75:G。 -
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ECAD 4197 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-FBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-fbga(8x14) 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 750 PS 德拉姆 32m x 8 平行线 15ns
MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-107 wt:b tr 16.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 178-VFBGA MT52L256 sdram- lpddr3 1.2V 178-fbga(11.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 - -
MT29F64G08AECDBJ4-6:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AECDBJ4-6:d tr -
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ECAD 7754 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT47H32M16CC-3:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-3:b tr -
RFQ
ECAD 9081 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(12x12.5) 下载 rohs3符合条件 5(48)(48)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 易挥发的 512Mbit 450 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
M58LT256JST8ZA6E Micron Technology Inc. M58LT256JST8ZA6E -
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ECAD 7345 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 80-LBGA M58LT256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 80-LBGA(10x12) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -M58LT256JST8ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 816 52 MHz 非易失性 256Mbit 85 ns 闪光 16m x 16 平行线 85ns
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B Micron Technology Inc. MT53B512M64D4EZ-062 WT:b -
RFQ
ECAD 6102 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,120 1.6 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
MTFC256GBAOANAM-WT TR Micron Technology Inc. mtfc256gbaoanam-wt tr -
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ECAD 7230 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -25°C〜85°C(TA) - - MTFC256 闪存-NAND - - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 2Tbit 闪光 256g x 8 MMC -
MT25QU02GCBB8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU02GCBB8E12-0SIT TR 28.4700
RFQ
ECAD 2454 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT25QU02 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT41K256M16TW-93:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-93:p tr -
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ECAD 6065 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 2,000 1.066 GHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT29C1G12MAACAEAML-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAEAML-6 IT -
RFQ
ECAD 6535 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA MT29C1G12 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 153-VFBGA 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性,挥发性 1GBIT(NAND),512Mbit(LPDRAM) 闪光,ram 128m x 8(NAND),16m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-10 IT:G tr -
RFQ
ECAD 8018 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48V4M32 sdram- lpsdr 2.3v〜2.7V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 易挥发的 128mbit 7 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 15ns
MT46V64M8TG-75E:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-75E:D Tr -
RFQ
ECAD 2430 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP - Rohs不合规 4 (72小时) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 512Mbit 750 PS 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
M29F160FT5AN6E2 Micron Technology Inc. M29F160FT5AN6E2 -
RFQ
ECAD 7392 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29F160 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 96 非易失性 16mbit 55 ns 闪光 2m x 8,1m x 16 平行线 55ns
MT41J128M16JT-093:K Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-093:k -
RFQ
ECAD 2675 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,368 1.066 GHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 -
MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT TR -
RFQ
ECAD 9106 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 137-TFBGA MT29C1G12 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性,挥发性 1GBIT(NAND),512Mbit(LPDRAM) 闪光,ram 128m x 8(NAND),16m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
MT29F64G08CBABAWP:B Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABAWP:b -
RFQ
ECAD 4495 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES -
RFQ
ECAD 5345 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT48LC16M16A2TG-75:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2TG-75:d -
RFQ
ECAD 9804 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
MT47H64M16HR-187E:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-187E:h tr -
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 易挥发的 1Gbit 350 PS 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT48LC8M16A2TG-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-6A:G -
RFQ
ECAD 9413 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC8M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库