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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT30AZZZZDDB0TPWL-031 WL.19R Tr	108.7200	RFQ	1712	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT30AZZZDDB0TPWL-031WL.19RTR			2,000
TE28F256P30TFA	-	RFQ	4576	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	28F256P30	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-tsop	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0051	96	40 MHz	非易失性	256Mbit	110 ns	闪光	16m x 16	平行线	110NS
MT46H8M32LFB5-5 IT：h	-	RFQ	4222	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H8M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
MT29F2T08EELCHD4-M：C TR	41.9550	RFQ	1895年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F2T08EELCHD4-M：CTR			2,000
MT53E128M16D1DS-053 AAT：	-	RFQ	9396	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）			MT53E128	sdram- lpddr4	1.1V		-	rohs3符合条件	3（168））		MT53E128M16D1DS-053AAT：a	Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	128m x 16	-	-
M58WR032KB70ZB6F TR	-	RFQ	3284	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	M58WR032	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-VFBGA（7.7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	66 MHz	非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	2m x 16	平行线	70NS
PC28F128J3F75F	-	RFQ	5578	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	PC28F128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	136		非易失性	128mbit	75 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	75ns
MT62F2G32D4DS-023 WT ES：C TR	45.6900	RFQ	9932	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F2G32D4DS-023WTES：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	平行线	-
PC28F512P33BF0	-	RFQ	9147	微米技术公司	Axcell™	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	PC28F512	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	64- easybga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	184	52 MHz	非易失性	512Mbit	95 ns	闪光	32m x 16	平行线	95ns
MT48H4M32LFB5-75：k	-	RFQ	8142	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48H4M32	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	15ns
MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J	83.2350	RFQ	8344	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	254-BGA		flash -nand，dram -lpddr4x	-	254-MCP	-				557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0J			1	2.133 GHz	非易失性，挥发性	2Tbit（nand），48Gbit（LPDDR4X）		闪光，ram	256g x 8 nand），1.5g x 32 lpddr4x）	UFS2.1	-
MT52L1DAPF-DC	-	RFQ	5038	微米技术公司	*	盒子	积极的				MT52L1				-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,134
MT58L256V18P1T-7.5	5.2200	RFQ	282	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4Mbit	4 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
MT29F4T08EULCEM4-QJ：c	121.0800	RFQ	1863年	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F4T08EULCEM4-QJ：c			1
MT53E1G32D2NP-053 RS WT：A TR	-	RFQ	4558	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））		557-MT53E1G32D2NP-053RSWT：ATR	过时的		2,000
MT29F2G08ABAGAH4-AITES：G	3.6385	RFQ	3816	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			8542.32.0071	1,260		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT29F2T08GELCEJ4：c	39.0600	RFQ	4612	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F2T08GELCEJ4：c			1
mtfc128gasaqjp-aat	57.1950	RFQ	3334	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC128GASAQJP-AAT			1	200 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	EMMC_5.1	-
MTEDFBR16SCA-1P2IT	-	RFQ	8301	微米技术公司	-	管子	积极的				MTEDFBR16				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	150
PC28F640P33TF60A	-	RFQ	8358	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-TBGA	PC28F640	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	52 MHz	非易失性	64mbit	60 ns	闪光	4m x 16	平行线	60ns
MT40A2G8JE-062E自动：e tr	24.0300	RFQ	1958年	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（9x11）	下载				557-MT40A2G8JE-062EAUT：ETR			2,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	2G x 8	荚	15ns
MT46H32M32LFCM-5：a tr	-	RFQ	2895	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H32M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	200 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns
MT29F1T08EEHAFJ4-3T：a	-	RFQ	5475	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-					3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT53E768M32D2NP-046 wt：b	14.6700	RFQ	1018	微米技术公司	-	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E768M32D2NP-046WT：b			1,360
MT29F128G08AUABAC5-IT：b	-	RFQ	6393	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	52-vlga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	52-vlga（18x14）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
mtfc8glwdq-3l aat a tr	-	RFQ	6086	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））		557-MTFC8GLWDQ-3LAATATR	过时的		1,000	52 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	EMMC	-
MT62F1G32D2DS-023 AIT：b tr	29.0250	RFQ	5752	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023AIT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT62F512M32D2DR-031 wt：b tr	11.7600	RFQ	1021	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F512M32D2DR-031WT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	平行线	-
EDB1316BDBH-1DIT-FR TR	-	RFQ	1742年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	EDB1316	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	533 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT	-	RFQ	2103	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	128m x 8（NAND），16m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²