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内存（（10402）

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MT42L16M32D1AC-25 FAAT：a	-	RFQ	1618年	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	MT42L16M32	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0032	1,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit		德拉姆	16m x 32	平行线	-
MT57W2MH8CF-5	28.3700	RFQ	518	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	450 ps	SRAM	2m x 8	HSTL	-
MT40A512M16JY-083E IT：b tr	-	RFQ	6440	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A512M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	512m x 16	平行线	-
EDB1316BDBH-1DAAT-FR TR	-	RFQ	2892	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	EDB1316	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	533 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
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MT53D256M64D4NY-046 XT：b tr	-	RFQ	9175	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	MT53D256	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
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MT29F4G16ABAEAH4：e	-	RFQ	9942	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
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MT29F1T08EEHAFJ4-3R：a	-	RFQ	9800	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
RC28F256J3D95A	-	RFQ	4600	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	RC28F256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64- Easybga（10x13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	144		非易失性	256Mbit	95 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	95ns
mtfc128gapalph-aat	114.6700	RFQ	356	微米技术公司	-	大部分	上次购买	-40°C〜105°C（TA）			MTFC128	闪存-NAND	-		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC128GAPALPH-AAT	3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	MMC	-
MT29F128G08CFABAWP：b	-	RFQ	9973	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²