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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
EDFP112A3PB-GDTJ-FR	-	RFQ	3367	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	EDFP112	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	800 MHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	192m x 128	平行线	-
MT29F4G16ABBFAH4-AAT：f tr	3.8498	RFQ	4284	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G16	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F4G16ABBFAH4-AAT：ftr		8542.32.0071	2,000		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
MT29F2G01ABAGD12-AUT：g tr	3.1665	RFQ	6902	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F2G01ABAGD12-AUT：GTR			2,500
MT29F4G08ABAFAH4-IT：f tr	3.0165	RFQ	1051	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT29F4G08ABAFAH4-IT：ftr		8542.32.0071	2,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
M58LR128KB85ZB5F TR	-	RFQ	6422	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	M58LR128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-VFBGA（7.7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	66 MHz	非易失性	128mbit	85 ns	闪光	8m x 16	平行线	85ns
MT62F512M64D4EK-031 AUT：b	37.4700	RFQ	8402	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F512M64D4EK-031AUT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	平行线	-
MT29F4T08GMLCEJ4-M：c tr	78.1500	RFQ	1533年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4-M：CTR			2,000
MT55V512V32FT-8.8	17.3600	RFQ	206	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55V512V	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	113 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512K x 32	平行线	-
MT48LC32M8A2P-6A IT：G Tr	-	RFQ	9547	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC32M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	12ns
mtfc8glwdm-ait a	-	RFQ	7180	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		mtfc8glwdm-aita	过时的	8542.32.0071	1,360		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT40A4G4NEA-062E：j	-	RFQ	7173	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）			MT40A4G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT40A4G4NEA-062E：j	Ear99	8473.30.1140	1,140	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	4G x 4	平行线	-
MT47H512M8WTR-25E：c	-	RFQ	6981	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	63-TFBGA	MT47H512M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	63-fbga（9x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,320	400 MHz	易挥发的	4Gbit	400 ps	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
MT53E512M32D2FW-046 wt：d	-	RFQ	4749	微米技术公司	-	盒子	过时的								-				557-MT53E512M32D2FW-046WT：d	过时的		1
MT53E768M64D4SQ-046 AAT：A TR	-	RFQ	2036	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）			MT53E768	sdram- lpddr4	1.1V		-	rohs3符合条件	3（168））		MT53E768M64D4SQ-046AAT：ATR	过时的	0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	-	-
N25Q064A13ESEA0F TR	-	RFQ	8405	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SO W	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,500	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT53E1G64D4HJ-046 AIT：	57.3900	RFQ	3667	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT53E1G64D4HJ-046AIT：a			1
MT47H64M16HR-25E L：h	-	RFQ	9299	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MT40A1G16KH-062E AAT：e	17.1750	RFQ	2166	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x13）	下载				557-MT40A1G16KH-062EAAT：e			1	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	荚	15ns
MT29GZ6A6BPIET-53IT.112	16.7100	RFQ	2370	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29GZ6A6BPIET-53IT.112			1
mtfc16gapalbh-it tr	-	RFQ	8835	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	MTFC16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		mtfc16gapalbh-ittr	过时的	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K TR	10.1850	RFQ	3918	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	149-WFBGA		Flash -nand（slc），DRAM -LPDDR4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	149-WFBGA（8x9.5）	下载				557-MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87KTR			2,000		非易失性，挥发性	4Gbit	25 ns	闪光，ram	512m x 8	onfi	30ns
MT40A1G8SA-062E IT：R	-	RFQ	1218	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	下载			到达不受影响	557-MT40A1G8SA-062EIT：r			1	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
MT29TZZZAD8DKKBT-107 W ES.9F8	-	RFQ	2273	微米技术公司	*	盒子	积极的				MT29TZZZAD8				-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,520
MT29C8G96MAZBADKD-5 IT	-	RFQ	6402	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT29C8G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	8Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 16 nand），128m x 32 lpdram）	平行线	-
MT29F1T08EBLCHD4-QC：c tr	20.9850	RFQ	4590	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F1T08EBLCHD4-QC：CTR			2,000
MT29F1G08ABAEAH4-AITX：e tr	-	RFQ	5560	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT58L128L32P1T-6C	4.7500	RFQ	33	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	4Mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
MT29V5D7GVESL-046I.216	31.6800	RFQ	1679年	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29V5D7GVESL-046I.216			1
MT62F512M32D2DS-031 AIT：b tr	15.5550	RFQ	8613	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	-	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F512M32D2DS-031AIT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	平行线	-
MT29F8G01ADBFD12-AAT：f tr	9.2550	RFQ	8269	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT29F8G01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT29F8G01ADBFD12-AAT：ftr		8542.32.0071	2,000	83 MHz	非易失性	8Gbit		闪光	8g x 1	spi	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²