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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT55L256V18P1T-10	3.1400	RFQ	69	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55L256V	sram-同步，ZBT	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4Mbit	5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
MT29F4G08ABAFAWP-AATES：f	-	RFQ	2692	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-		3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT48LC16M16A2B4-6A：g	5.8748	RFQ	2655	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,560	167 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	12ns
MT40A1G16KD-062E IT：e tr	-	RFQ	3338	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A1G16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	557-MT40A1G16KD-062EIT：ETR	3A991B1A	8542.32.0071	1	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	15ns
MT29F128G08CBCEBJ4-37Itres：e	-	RFQ	6985	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-		3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	267 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT60B1G16HT-48B AAT：a	31.3050	RFQ	9032	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	144-TFBGA		SDRAM -DDR5	-	144-FBGA （11x18.5）	-				557-MT60B1G16HT-48BAAT：a			1	2.4 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	1G x 16	平行线	-
MT53E1G32D2NP-053 RS WT：B TR	18.6300	RFQ	8525	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E1G32D2NP-053RSWT：BTR			2,000
EDBM432B3PB-1D-FD	-	RFQ	6305	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	EDBM432	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	168-FBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,680	533 MHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	平行线	-
MT62F2G32D4DS-023 wt：c tr	45.6900	RFQ	7929	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F2G32D4DS-023WT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	平行线	-
MT62F1G64D8CH-036 wt：a tr	-	RFQ	4352	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C			MT62F1G64	sdram- lpddr5	1.05V		-				557-MT62F1G64D8CH-036WT：ATR	过时的	8542.32.0071	2,500	2.75 GHz	非易失性	64Gbit		闪光	1G x 64	-	-
MT29V5D7GVESL-046I.216 TR	31.6800	RFQ	6613	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29V5D7GVESL-046I.216TR			2,000
MT29F256G08CECABH6-6R：a	-	RFQ	1270	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F256G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
mtfc32gazaqdw-aat tr	19.0800	RFQ	5301	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC32GAZAQDW-AATTR			1,500
MT62F1536M32D4DS-023 AIT：b	43.5300	RFQ	8162	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	-	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1536M32D4DS-023AIT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	1.5GX 32	平行线	-
MT53E1G16D1FW-046 wt：a tr	11.9850	RFQ	4016	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1G16D1FW-046WT：ATR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	18NS
MT29C8G96MAZBADKD-5 IT TR	-	RFQ	4261	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT29C8G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	8Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 16 nand），128m x 32 lpdram）	平行线	-
MT29FEN64GDKCAAXDQ-10：A TR	-	RFQ	4920	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MT29FEN64				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT46H64M32L2JG-5：a tr	-	RFQ	9516	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
MT40A512M16TB-062E：j tr	-	RFQ	3240	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A512M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT40A512M16TB-062E：JTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
MT62F1G32D2DS-023 AAT ES：B TR	31.9350	RFQ	3905	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT62F1G32D2DS-023AATES：BTR			2,000
MT29F4T08EMLCHD4-T：c	83.9100	RFQ	6270	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F4T08EMLCHD4-T：c			1
MT29F4T08EULUEEM4-QJ：e	105.9600	RFQ	7820	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F4T08EUULUEEM4-QJ：e			1
MT53E384M32D2FW-046 IT：e tr	9.7650	RFQ	3197	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E384M32D2FW-046IT：ETR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	12Gbit	3.5 ns	德拉姆	384m x 32	平行线	18NS
MT46V32M16TG-5B：j	-	RFQ	3155	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
M29W400DB70N6F TR	-	RFQ	8577	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W400	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	70NS
MT60B1G16HC-56B：G Tr	19.0650	RFQ	6164	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT60B1G16HC-56B：GTR			3,000
mtfc32gjgef-ait z	-	RFQ	4260	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-TFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	169-TFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））		MTFC32GJGEF-AITZ	过时的	0000.00.0000	980		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MT42L128M64D2MP-25 wt：a	-	RFQ	9603	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	220-WFBGA	MT42L128M64	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v	220-fbga（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	400 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	128m x 64	平行线	-
MT41K1G8TRF-125：e	-	RFQ	4778	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K1G8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （9.5x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	13.5 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	-
MT29F512G08EBLEEJ4-M：e	10.7250	RFQ	3659	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F512G08EBLEEJ4-M：e			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²