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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J TR	9.9000	RFQ	6965	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	149-WFBGA		Flash -nand（slc），DRAM -LPDDR4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	149-WFBGA（8x9.5）	-				557-MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87JTR			2,000		非易失性，挥发性	4Gbit	25 ns	闪光，ram	512m x 8	onfi	30ns
MT49H16M36BM-25E：b	-	RFQ	7348	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H16M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
MT57W512H36JF-6	28.0100	RFQ	2	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	易挥发的	18mbit	500 ps	SRAM	512k x 36	HSTL	-
MT40A256M16LY-075：f tr	8.3250	RFQ	9073	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	下载				557-MT40A256M16LY-075：ftr			2,000	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	256m x 16	荚	15ns
PF48F4400P0VBQ2E	-	RFQ	5761	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	88-TFBGA，CSPBGA	48F4400P0	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	88-SCSP （8x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	253	52 MHz	非易失性	512Mbit	85 ns	闪光	32m x 16	平行线	85ns
N25Q064A11ESEA0F TR	-	RFQ	8839	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	N25Q064A11	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-so	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT53B384M32D2NP-053 wt：b	-	RFQ	9043	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT46V16M16P-6T：k tr	-	RFQ	5607	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V16M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
PC28F128P33T85B TR	-	RFQ	4441	微米技术公司	Strataflash™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-TBGA	PC28F128	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	64- easybga（8x10）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	52 MHz	非易失性	128mbit	85 ns	闪光	8m x 16	平行线	85ns
MT29F4G01ABAFD12-IT：f tr	-	RFQ	8112	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT29F4G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT29F4G01ABAFD12-IT：ftr	过时的	8542.32.0071	2,000		非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
MT47H128M8B7-5E L：a	-	RFQ	5135	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	0°C〜85°C（TC）	表面安装	92-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	92-FBGA（11x19）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	200 MHz	易挥发的	1Gbit	600 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MT25QU512ABB8ESF-0AAT TR	8.1150	RFQ	7616	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MT25QU512	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi	8ms，2.8ms
mtfc32gazaqhd-it	15.7800	RFQ	4044	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC32GAZAQHD-IT	3A991B1A	8542.32.0071	1,520	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	EMMC	-
MT41J64M16JT-125：G。	-	RFQ	1465	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41J64M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT28EW01GABA1LPC-1SIT	-	RFQ	3322	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28EW01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	1Gbit	95 ns	闪光	128m x 8，64m x 16	平行线	60ns
MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT TR	-	RFQ	9105	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	137-TFBGA	MT29C8G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-TFBGA（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	8Gbit（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 16（NAND），64m x 32 lpdram）	平行线	-
MT53E256M32D1K-046 AIT：l	11.6800	RFQ	1373	微米技术公司	-	托盘	积极的		表面安装	200-VFBGA				200-VFBGA（10x14.5）	-			到达不受影响	557-MT53E256M32D1K-046AIT：l			1
MT53B384M64D4TZ-053 WT ES：C TR	-	RFQ	5930	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
M29W800DT70N6	-	RFQ	4799	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W800	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
mtfc128gasaons-aat tr	73.7250	RFQ	1499年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MTFC128GASAONS-AATTR			2,000
mtfc32gjgdq-ait	-	RFQ	2752	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-	未行业行业经验证
MT29F4G08ABAFAM70A3WC1	-	RFQ	2059	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	死	MT29F4G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
mtfc32galaham-wt tr	-	RFQ	9786	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C（TA）	-	-	mtfc32g	闪存-NAND	-	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MT62F3G32D8DV-023自动：b tr	109.0500	RFQ	9518	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023AUT：BTR			2,000	4.266 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
MT29F8G08ADAFAWP-AITES：f tr	-	RFQ	9107	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F8G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,000		非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	平行线	-
MT46V64M8TG-5B IT：j tr	-	RFQ	9365	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V64M8	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0028	2,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT53E2D1AFW-DC TR	22.5000	RFQ	8837	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT53E2				-			到达不受影响	557-MT53E2D1AFW-DCTR			2,000
MT29F8G16ABACAH4-IT：c	-	RFQ	1579年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F8G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	8Gbit		闪光	512m x 16	平行线	-
MT45W4MW16BFB-856 wt f	-	RFQ	5562	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	54-VFBGA	MT45W4MW16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	54-VFBGA（6x9）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	64mbit	85 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	85ns
M29W256GL70N6F TR	-	RFQ	2834	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1200		非易失性	256Mbit	70 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	70NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²