SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT62F1G32D2DS-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 IT:b 25.1400
RFQ
ECAD 5420 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 1.05V 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023IT:b 1 4.266 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 平行线 -
MT40A256M16LY-062E AUT:F Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E AUT:f 18.8100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(7.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-2038 Ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 19 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
MT41J512M8RH-093:E Micron Technology Inc. MT41J512M8RH-093:e -
RFQ
ECAD 1040 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41J512M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA(9x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 -
TE28F640P30B85A Micron Technology Inc. TE28F640P30B85A -
RFQ
ECAD 9123 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) 28F640P30 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 56-tsop 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 MHz 非易失性 64mbit 85 ns 闪光 4m x 16 平行线 85ns
MT42L128M32D1U80MWC1 Micron Technology Inc. MT42L128M32D1U80MWC1 -
RFQ
ECAD 5443 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C 〜85°C(TC) - - MT42L128M32 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v - - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 平行线 -
MTFC256GAXATEA-WT Micron Technology Inc. mtfc256gaxatea-wt 27.5700
RFQ
ECAD 8315 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 153-VFBGA Flash -nand(slc) - 153-VFBGA(11.5x13) - 557-MTFC256GAXATEA-WT 1 非易失性 2Tbit 闪光 256g x 8 平行线 -
MTFC4GMWDQ-3M AIT A Micron Technology Inc. MTFC4GMWDQ-3M AIT a -
RFQ
ECAD 7651 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-LBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) MTFC4GMWDQ-3MAITA 过时的 8542.32.0071 1 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
M25PE40-VMW6G Micron Technology Inc. M25PE40-VMW6G -
RFQ
ECAD 3889 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) M25PE40 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SO W 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,800 75 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi 15ms,3ms
MT29F16G08ABACAWP-AAT:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-AAT:c 33.8100
RFQ
ECAD 174 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F16G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F16G08ABACAWP-AAT:c 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 16Gbit 20 ns 闪光 2G x 8 onfi 20NS
MT29F16T08GWLCEM5-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F16T08GWLCEM5-QJ:c tr 312.5850
RFQ
ECAD 1778年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F16T08GWLCEM5-QJ:CTR 1,500
PC28F00AP30BF0 Micron Technology Inc. PC28F00AP30BF0 -
RFQ
ECAD 8435 0.00000000 微米技术公司 Axcell™ 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA PC28F00A 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64- easybga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 184 52 MHz 非易失性 1Gbit 100 ns 闪光 64m x 16 平行线 100ns
N25Q256A83ESF40G Micron Technology Inc. N25Q256A83ESF40G -
RFQ
ECAD 4410 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) N25Q256A83 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 64m x 4 spi 8ms,5ms
MT53E768M32D4DE-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DE-046 AIT:e 26.6100
RFQ
ECAD 9587 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 下载 557-MT53E768M32D4DE-046AIT:e 1
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E AIT:b tr -
RFQ
ECAD 2435 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(8x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 1G x 8 平行线 -
MTFC64GJDDN-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc64gjddn-4m it tr -
RFQ
ECAD 3484 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 169-LFBGA MTFC64 闪存-NAND 1.65V〜3.6V 169-LFBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 MMC -
MT40A4G4DVN-062H:E TR Micron Technology Inc. MT40A4G4DVN-062H:e tr -
RFQ
ECAD 8372 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) 下载 557-MT40A4G4DVN-062H:ETR 过时的 8542.32.0071 2,000 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 27 NS 德拉姆 4G x 4 平行线 -
MT42L256M64D4LD-18 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L256M64D4LD-18 wt:a tr -
RFQ
ECAD 7524 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 220-VFBGA MT42L256M64 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 220-fbga(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 平行线 -
MT53E768M32D4DE-046 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DE-046 AIT:e tr 26.6100
RFQ
ECAD 9950 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 下载 557-MT53E768M32D4DE-046AIT:ETR 2,000
MT29F128G08AJAAAWP-Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AJAAAWP-Z:a -
RFQ
ECAD 3818 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT62F4G32D8DV-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 AAT:b 126.4350
RFQ
ECAD 3509 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜105°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023AAT:b 1 4.266 GHz 易挥发的 128Gbit 德拉姆 4G x 32 平行线 -
MT53E2G64D8TN-046 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046自动:C tr 138.4950
RFQ
ECAD 9174 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 556-LFBGA sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 556-LFBGA (12.4x12.4) 下载 557-MT53E2G64D8TN-046AUT:CTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 128Gbit 3.5 ns 德拉姆 2G x 64 平行线 18NS
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AAT:c 40.2450
RFQ
ECAD 8072 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - rohs3符合条件 557-MT53E1536M32D4DE-046AAT:c 1 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 3.5 ns 德拉姆 1.5GX 32 平行线 18NS
MT29F512G08EBHBFJ4-T:B Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHBFJ4-T:b -
RFQ
ECAD 6024 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F512G08 Flash -nand(tlc) 2.5V〜3.6V 132-vbga(12x18) - 557-MT29F512G08EBHBFJ4-T:b 过时的 8542.32.0071 1,120 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-ITX:e -
RFQ
ECAD 9184 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
EDFB232A1MA-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFB232A1MA-JD-FD -
RFQ
ECAD 9854 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TA) - - EDFB232 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,680 933 MHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 平行线 -
MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:a -
RFQ
ECAD 2712 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT62F512M64D4BG-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M64D4BG-031 WT:b tr 23.5200
RFQ
ECAD 7860 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F512M64D4BG-031WT:BTR 2,500 3.2 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 平行线 -
MT29F8T08GULCEM4:C Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4:c 156.3000
RFQ
ECAD 9538 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F8T08GULCEM4:c 1
MTFC128GASAQEA-WT Micron Technology Inc. mtfc128gasaqea-wt -
RFQ
ECAD 2735 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 - 557-MTFC128GASAQEA-WT 1
MT62F1536M32D4DS-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 WT ES:B TR 61.3800
RFQ
ECAD 1484 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT62F1536M32D4DS-023WTES:BTR 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库