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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MTFC256GARATEK-WT TR Micron Technology Inc. mtfc256garatek-wt tr 48.0450
RFQ
ECAD 9592 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 153-VFBGA Flash -nand(slc) - 153-VFBGA(11.5x13) - 557-MTFC256Garatek-Wttr 2,000 非易失性 2Tbit 闪光 256g x 8 UFS 3.1 -
MT62F2G64D8EK-023 WT:C Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 wt:c 90.4650
RFQ
ECAD 8962 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 1.05V 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WT:c 1 4.266 GHz 易挥发的 128Gbit 德拉姆 2G x 64 平行线 -
JR28F064M29EWLB TR Micron Technology Inc. JR28F064M29EWLB TR -
RFQ
ECAD 5728 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JR28F064M29 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 70NS
MT53E1536M64D8HJ-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 AAT:c 90.3150
RFQ
ECAD 5713 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT53E1536M64D8HJ-046AAT:c 1
MT29F1T08EELEEJ4-QA:E Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-QA:e 26.4750
RFQ
ECAD 9414 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F1T08EELEEJ4-QA:e 1
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-6 WT:b tr -
RFQ
ECAD 5582 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 易挥发的 8Gbit 5 ns 德拉姆 256m x 32 平行线 15ns
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AAT:b 32.9700
RFQ
ECAD 7178 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) 下载 557-MT53E1G32D2FW-046AAT:b 1 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 3.5 ns 德拉姆 1G x 32 平行线 18NS
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046自动ES:D TR -
RFQ
ECAD 5305 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
MT62F2G32D4DS-023 WT ES:C Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 WT ES:c 45.6900
RFQ
ECAD 5861 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 1.05V 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023WTES:c 1 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 2G x 32 平行线 -
MT58L256L18F1T-8.5 Micron Technology Inc. MT58L256L18F1T-8.5 2.5900
RFQ
ECAD 55 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 500 100 MHz 易挥发的 4Mbit 8.5 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:G Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 RS WT:G。 -
RFQ
ECAD 8381 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 表面安装 200-WFBGA 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT:g 过时的 1,360
EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1DIT-FR TR -
RFQ
ECAD 1960年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 216-WFBGA EDB8164 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 216-fbga(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 128m x 64 平行线 -
MT53E384M32D2FW-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046 wt:e 10.4600
RFQ
ECAD 2225 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - rohs3符合条件 557-MT53E384M32D2FW-046WT:e 1 2.133 GHz 易挥发的 12Gbit 3.5 ns 德拉姆 384m x 32 平行线 18NS
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4-AITX:d 5.1251
RFQ
ECAD 7896 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
M29W256GL70ZA6E Micron Technology Inc. M29W256GL70ZA6E -
RFQ
ECAD 3181 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA M29W256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-TBGA(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -M29W256GL70ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 816 非易失性 256Mbit 70 ns 闪光 32m x 8,16m x 16 平行线 70NS
MT29F4T08GMLCEJ4-QM:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4-QM:c tr 78.1500
RFQ
ECAD 1542 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QM:CTR 2,000
MT28EW01GABA1LPC-1SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1LPC-1SIT TR -
RFQ
ECAD 2254 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA MT28EW01 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-lbga(11x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 非易失性 1Gbit 95 ns 闪光 128m x 8,64m x 16 平行线 60ns
MTFC32GJWDQ-4L AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc32gjwdq-4l ait z tr -
RFQ
ECAD 7963 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-LBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT58L32L32PT-6TR Micron Technology Inc. MT58L32L32PT-6TR 10.9700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2B 8542.32.0041 500 166 MHz 易挥发的 1Mbit 3.5 ns SRAM 32K x 32 平行线 -
MT62F1536M32D4DS-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 wt:b tr 34.2750
RFQ
ECAD 5002 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT62F1536M32D4DS-026WT:BTR 2,000
MT29F64G08TAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08TAAWP:a tr -
RFQ
ECAD 3091 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0051 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT62F3G32D8DV-026 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 AAT:b 94.8300
RFQ
ECAD 3569 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜105°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026AAT:b 1 3.2 GHz 易挥发的 96Gbit 德拉姆 3G x 32 平行线 -
MTFC256GAXATHF-WT TR Micron Technology Inc. mtfc256gaxathf-wt tr 27.5700
RFQ
ECAD 2030 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MTFC256GAXATHF-WTTR 2,000
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-053 WT ES:d -
RFQ
ECAD 6706 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 432-VFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 432-VFBGA(15x15) - (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
MT53E256M32D2FW-046 IT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 IT:b tr 12.8100
RFQ
ECAD 7773 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) 下载 557-MT53E256M32D2FW-046IT:BTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 8Gbit 3.5 ns 德拉姆 256m x 32 平行线 18NS
MT46H64M32LFMA-6 WT:B Micron Technology Inc. MT46H64M32LFMA-6 WT:b -
RFQ
ECAD 7407 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 168-WFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AAT:A TR 63.1350
RFQ
ECAD 9183 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT:ATR 2,000
N25Q064A13ESE40R01 TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESE40R01 TR -
RFQ
ECAD 9418 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) N25Q064A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SOP2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,500 108 MHz 非易失性 64mbit 闪光 16m x 4 spi 8ms,5ms
MT62F1G64D4EK-023 FAAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 FAAT:b tr 63.8550
RFQ
ECAD 5248 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 1.05V 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT:BTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 平行线 -
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR -
RFQ
ECAD 8857 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库