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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR 8.7450
RFQ
ECAD 5628 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E128 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E128M32D2DS-053AUT:ATR Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 - -
MT53D4DHSB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DHSB-DC -
RFQ
ECAD 9188 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 MT53D4 - 到达不受影响 0000.00.0000 1,190
MT29F4T08GMLCEJ4-M:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4-M:c tr 78.1500
RFQ
ECAD 1533年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F4T08GMLCEJ4-M:CTR 2,000
MT48LC32M8A2P-6A IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A IT:G Tr -
RFQ
ECAD 9547 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC32M8A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 12ns
MT62F512M64D4EK-031 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F512M64D4EK-031 AUT:b 37.4700
RFQ
ECAD 8402 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 - 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F512M64D4EK-031AUT:b 1 3.2 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 平行线 -
MT53D384M32D2DS-053 AUT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AUT:e -
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ECAD 5107 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
MT29F1T08CQCCBG2-6R:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CQCCCBG2-6R:c -
RFQ
ECAD 1018 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 272-LFBGA MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 272-LFBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT55V512V32FT-8.8 Micron Technology Inc. MT55V512V32FT-8.8 17.3600
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ECAD 206 0.00000000 微米技术公司 ZBT® 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT55V512V sram-同步,ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 512K x 32 平行线 -
MT47H512M8WTR-25E:C Micron Technology Inc. MT47H512M8WTR-25E:c -
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ECAD 6981 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 63-TFBGA MT47H512M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 63-fbga(9x11.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,320 400 MHz 易挥发的 4Gbit 400 ps 德拉姆 512m x 8 平行线 15ns
MTFC8GLWDM-AIT A Micron Technology Inc. mtfc8glwdm-ait a -
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ECAD 7180 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-TFBGA mtfc8 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-TFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) mtfc8glwdm-aita 过时的 8542.32.0071 1,360 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT53E512M32D2FW-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046 wt:d -
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ECAD 4749 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 - 557-MT53E512M32D2FW-046WT:d 过时的 1
MT29F4T08EMLCHD4-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-R:c tr 83.9100
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ECAD 7038 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F4T08EMLCHD4-R:CTR 2,000
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV-062 XT:c tr -
RFQ
ECAD 9735 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜105°C(TC) - - MT53B256 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 - -
MT40A256M16LY-062E AIT:F Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E AIT:f 11.8350
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ECAD 4701 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(7.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT40A256M16LY-062EAIT:f Ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 19 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
MT62F1G64D4EK-023 FAAT:C Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 FAAT:c 94.8900
RFQ
ECAD 8366 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 1.05V 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT:c 1 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 平行线 -
MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 IT:b tr 28.7250
RFQ
ECAD 3020 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046IT:BTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 3.5 ns 德拉姆 1G x 32 平行线 18NS
MT53E1G32D2FW-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AIT:b tr 29.9700
RFQ
ECAD 5017 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) 下载 557-MT53E1G32D2FW-046AIT:BTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 3.5 ns 德拉姆 1G x 32 平行线 18NS
MTFC4GLGDQ-AIT A TR Micron Technology Inc. mtfc4glgdq-ait a tr 10.0800
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ECAD 4795 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-LBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFC4GLGDQ-AITATR 1,000 52 MHz 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
MT48LC64M4A2BB-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2BB-6A:G -
RFQ
ECAD 5332 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT48LC64M4A2 Sdram 3v〜3.6V 60-TFBGA(8x16) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 64m x 4 平行线 12ns
M29W128GH7AN6F TR Micron Technology Inc. M29W128GH7AN6F TR -
RFQ
ECAD 8222 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1200 非易失性 128mbit 70 ns 闪光 16m x 8,8m x 16 平行线 70NS
MT40A4G4NEA-062E:J Micron Technology Inc. MT40A4G4NEA-062E:j -
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ECAD 7173 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT40A4G4NEA-062E:j Ear99 8473.30.1140 1,140 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 4G x 4 平行线 -
MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:a 19.4850
RFQ
ECAD 8851 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F512G08 Flash -nand(tlc) 2.5V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 8542.32.0071 1,120 333 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT40A1G16KD-062E:E Micron Technology Inc. MT40A1G16KD-062E:e -
RFQ
ECAD 5611 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(9x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT40A1G16KD-062E:e 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 1G x 16 平行线 15ns
MT62F768M32D2DS-023 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F768M32D2DS-023 AUT:b 40.9050
RFQ
ECAD 8487 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT62F768M32D2DS-023AUT:b 1
MT53E512M32D1NP-053 RS WT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1NP-053 RS WT:b 9.3150
RFQ
ECAD 7996 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 表面安装 200-WFBGA 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT53E512M32D1NP-053RSWT:b 1,360
MT53E2D1CCY-DC Micron Technology Inc. MT53E2D1CCY-DC -
RFQ
ECAD 2358 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 MT53E2 - 557-MT53E2D1CCY-DC 过时的 1,360
M29W128GL70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W128GL70ZS6F TR -
RFQ
ECAD 7999 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA M29W128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(11x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 非易失性 128mbit 70 ns 闪光 16m x 8,8m x 16 平行线 70NS
MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAFAH4-AIT:f tr -
RFQ
ECAD 4464 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G16 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - (1 (无限) MT29F4G16ABAFAH4-AIT:ftr 过时的 2,000 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MT53E1G32D2FW-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AIT:c tr -
RFQ
ECAD 7688 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046AIT:CTR 1 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 3.5 ns 德拉姆 1G x 32 平行线 18NS
PC28F128J3F75F Micron Technology Inc. PC28F128J3F75F -
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ECAD 5578 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA PC28F128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64- Easybga(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 136 非易失性 128mbit 75 ns 闪光 16m x 8,8m x 16 平行线 75ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库