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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT61K512M32KPA-16:B Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-16:b 26.2200
RFQ
ECAD 3815 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 180-TFBGA MT61K512 sgram -gddr6 1.31V〜1.391V 180-FBGA(12x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,260 8 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 平行线 -
MT29F1T08EEHBFJ4-R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHBFJ4-R:b tr -
RFQ
ECAD 5266 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F1T08 Flash -nand(tlc) 1.7V〜1.95V 132-vbga(12x18) - 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F1T08EEHBFJ4-R:BTR 过时的 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT40A1G4SA-062E:F Micron Technology Inc. MT40A1G4SA-062E:f -
RFQ
ECAD 8361 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A1G4 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) - 3(168)) 557-MT40A1G4SA-062E:f 过时的 100 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 19 ns 德拉姆 1G x 4 平行线 15ns
MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR 11.1900
RFQ
ECAD 3929 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT29GZ5 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87KTR 0000.00.0000 2,000
M29W256GH70ZS3F TR Micron Technology Inc. M29W256GH70ZS3F TR -
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ECAD 8993 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) - - M29W256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,800 非易失性 256Mbit 70 ns 闪光 32m x 8,16m x 16 平行线 70NS
M29F160FT55N3E2 Micron Technology Inc. M29F160FT55N3E2 -
RFQ
ECAD 7491 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29F160 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 96 非易失性 16mbit 55 ns 闪光 2m x 8,1m x 16 平行线 55ns
JS28F128J3F75B TR Micron Technology Inc. JS28F128J3F75B TR -
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ECAD 4848 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F128J3 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 非易失性 128mbit 75 ns 闪光 16m x 8,8m x 16 平行线 75ns
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4TX-053 wt:c tr -
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ECAD 8717 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
MTC20C2085S1EC48BAZ Micron Technology Inc. MTC20C2085S1EC48BAZ 290.8500
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ECAD 2876 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MTC20C2085S1EC48BAZ 1
MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4 Micron Technology Inc. MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4 -
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ECAD 6031 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT53E128M32D2FW-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AIT:A TR 7.9500
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ECAD 4748 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT53E128M32D2FW-046AIT:ATR 2,000
MT53E1G64D4SQ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046 wt:a tr -
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ECAD 1707年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53E1G64 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) MT53E1G64D4SQ-046WT:ATR 过时的 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 - -
MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-053 wt:b tr -
RFQ
ECAD 3808 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
MT46V64M8CY-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B IT:j tr -
RFQ
ECAD 1289 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 60-fbga(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAHC-AIT:e tr -
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ECAD 1882年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F2G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-AATX:e 2.6952
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ECAD 5559 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
NAND256W3A0BE06 Micron Technology Inc. NAND256WA0BE06 -
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ECAD 3517 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Nand256 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Mbit 50 ns 闪光 32m x 8 平行线 50ns
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H1M32LFB5-6 IT:c tr -
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ECAD 3010 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 15ns
MTFC32GAPALNA-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gapalna-ait -
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ECAD 3175 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 上次购买 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-TBGA mtfc32g 闪存-NAND - 100-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT29F64G08CECCBH1-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12:c tr -
RFQ
ECAD 8461 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT55L256L18F1T-12TR Micron Technology Inc. MT55L256L18F1T-12TR 4.4300
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ECAD 51 0.00000000 微米技术公司 ZBT® 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP SRAM -ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP (14x20.1) 下载 不适用 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 83 MHz 易挥发的 4Mbit 9 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR -
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ECAD 3376 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H8M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-vfbga(8x13) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 104 MHz 易挥发的 256Mbit 7 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 15ns
RC28F128J3F95D Micron Technology Inc. RC28F128J3F95D -
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ECAD 2778 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA RC28F128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64- Easybga(10x13) - Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 864 非易失性 128mbit 95 ns 闪光 16m x 8,8m x 16 平行线 95ns
MT29F8G08ABACAM71M3WC1L Micron Technology Inc. MT29F8G08ABACAM71M3WC1L 7.3700
RFQ
ECAD 1218 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 0°C〜70°C(TA) - - Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V - - 557-MT29F8G08ABACAM71M3WC1L 1 非易失性 8Gbit 20 ns 闪光 1G x 8 onfi 20NS
MT62F768M64D4EK-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 WT ES:B TR 61.3800
RFQ
ECAD 9221 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT62F768 - 557-MT62F768M64D4EK-023WTES:BTR 1,500
M29W128GSH70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W128GSH70ZA6F TR -
RFQ
ECAD 2237 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA M29W128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-TBGA(10x13) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 非易失性 128mbit 70 ns 闪光 16m x 8,8m x 16 平行线 70NS
MTC20F2085S1RC56BG1 Micron Technology Inc. MTC20F2085S1RC56BG1 334.4700
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ECAD 9558 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MTC20F2085S1RC56BG1 1
MT48LC4M32B2B5-6A AIT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A AIT:l tr -
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ECAD 5481 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48LC4M32B2 Sdram 3v〜3.6V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 12ns
MT40A1G16KNR-062E:E Micron Technology Inc. MT40A1G16KNR-062E:e 21.7650
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ECAD 3041 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(7.5x13.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 1G x 16 平行线 15ns
MT25QU01GBBB1EW9-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB1EW9-0SIT 13.1400
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ECAD 1696年 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 MT25QU01 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 8-wpdfn (6x8)(MLP8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -791-MT25QU01GBBB1EW9-0SIT 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 spi 8ms,2.8ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库