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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT25QL256BBB8ESF-CSIT	5.8438	RFQ	4816	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-791-MT25QL256BBBBBB8ESF-CSIT			1,440	133 MHz	非易失性	128mbit	5 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	1.8ms
RD48F4400P0VBQE3	-	RFQ	7172	微米技术公司	Axcell™	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	88-TFBGA，CSPBGA	RD48F4400	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	88-SCSP （8x11）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	176	52 MHz	非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	32m x 16	平行线	100ns
MT25QL02GCBB8E12-0SIT TR	28.4700	RFQ	7055	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QL02	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT29F16G08ABABAWP：b	-	RFQ	9092	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
MT53D512M64D4NW-046 wt：d	-	RFQ	1165	微米技术公司	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	432-VFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	432-VFBGA（15x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT29F8G16ABACAH4：C TR	-	RFQ	6496	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F8G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	8Gbit		闪光	512m x 16	平行线	-
MT53D384M32D2DS-053 WT ES：C TR	-	RFQ	1698年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,000	1.866 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT29F2G08ABAEAWP-E：e	-	RFQ	2528	微米技术公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT29F1T08CMHBBJ4-3Res：b tr	-	RFQ	9283	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT48LC4M16A2P-7E IT：G	-	RFQ	3586	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC4M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	14ns
MT29F1T08EELEEJ4-M：e	21.4500	RFQ	1321	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F1T08EELEEJ4-M：e			1
mtfc16gjuef-ait tr	-	RFQ	8368	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-TFBGA	mtfc16g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	169-TFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT53B512M64D4PV-053 wt：c tr	-	RFQ	5242	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT53E4D1CDE-DC TR	22.5000	RFQ	1807年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT53E4				-			到达不受影响	557-MT53E4D1CDE-DCTR			2,000
MT62F1G32D4DS-031 AIT：b	29.6100	RFQ	7505	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D4DS-031AIT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT53B8DANK-DC	-	RFQ	9610	微米技术公司	-	盒子	过时的								-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,190
MT29F1T08EELKEJ4-ITF：k tr	36.9000	RFQ	5122	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F1T08EELKEJ4-ITF：KTR			2,000
MT53D512M32D2DS-053 WT ES：D TR	-	RFQ	7356	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112	20.2200	RFQ	7324	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	149-VFBGA		Flash -nand（slc），DRAM -LPDDR4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	149-VFBGA（8x9.5）	-				557-MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112			1	2.133 GHz	非易失性，挥发性	8Gbit（NAND），8GBIT（LPDDR4）	25 ns	闪光，ram	1G x 8 nand），512m x 16（lpddr4）	onfi	20N，30n
MT29F4G08ABBDAH4-AITX：d	-	RFQ	1414	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT29F2T08EELCHD4-R：c	41.9550	RFQ	4192	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F2T08EELCHD4-R：c			1
MT29VZZZAD8FQFSL-046 W.G8K	-	RFQ	6797	微米技术公司	-	托盘	过时的				MT29VZZZAD8				-	rohs3符合条件			557-MT29VZZZAD8FQFSL-046W.G8K	过时的		152
MT29F8T08GULCEM4-QA：c tr	156.3000	RFQ	2077	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F8T08GULCEM4-QA：CTR			2,000
M29W640GB70ZA3E	-	RFQ	4243	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	187		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT58L32L32DT-10	7.1600	RFQ	6	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L32L32	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	1Mbit	5 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
MT53E768M32D4DT-046 wt：e	23.6850	RFQ	1961年	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53E768	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT53E768M32D4DT-046WT：e	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	768m x 32	-	-
M29DW323DB70N6F TR	-	RFQ	9401	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29DW323	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	70NS
M29W320DB70N3E	-	RFQ	8593	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W320	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	70NS
MT53B1G32D4NQ-062 wt：d	-	RFQ	7890	微米技术公司	-	大部分	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53B1G32	sdram- lpddr4	1.1V		-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,360	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR	18.0400	RFQ	2	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QU01	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	166 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	spi	8ms，2.8ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²