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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT41K1G4RG-107:N TR Micron Technology Inc. MT41K1G4RG-107:n tr -
RFQ
ECAD 9553 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K1G4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(7.5x10.6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 4 平行线 -
MT53E4G32D8GS-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53E4G32D8GS-046 AIT:c 109.4700
RFQ
ECAD 6034 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜95°C - - sdram- lpddr4 - - - 557-MT53E4G32D8GS-046AIT:c 1 2.133 GHz 易挥发的 128Gbit 德拉姆 4G x 32 平行线 -
MT47H64M8B6-25:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-25:D Tr -
RFQ
ECAD 8921 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT29F4G01AAADDHC:D Micron Technology Inc. MT29F4G01AAADDHC:d -
RFQ
ECAD 6920 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G01 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 非易失性 4Gbit 闪光 4G x 1 spi -
MT53E512M32D2FW-046 AUT:D Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046自动:d -
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ECAD 4416 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 上次购买 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E512M32D2FW-046AUT:d 1 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 3.5 ns 德拉姆 512m x 32 平行线 18NS
MT29F32G08AFABAWP:B Micron Technology Inc. MT29F32G08AFABAWP:b -
RFQ
ECAD 4207 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CECDBJ4-6R:D Tr -
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ECAD 5317 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT41K256M16HA-125 XIT:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 XIT:e tr -
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ECAD 9742 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(9x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 4Gbit 13.75 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MTFC16GJVEC-IT Micron Technology Inc. mtfc16gjvec-it -
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ECAD 2274 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 - mtfc16g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
MT48LC32M8A2P-6A IT:G Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A IT:G -
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ECAD 4454 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC32M8A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 12ns
MT29F64G08CFACAWP:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CFACAWP:c -
RFQ
ECAD 1215 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
M29W640GB70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W640GB70ZS6F TR -
RFQ
ECAD 7423 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA M29W640 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(11x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 70NS
MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PD-107 wt:b tr -
RFQ
ECAD 1448 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 216-WFBGA MT52L256 sdram- lpddr3 1.2V 216-FBGA(15x15) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 - -
M29W256GH70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W256GH70ZA6F TR -
RFQ
ECAD 6856 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA M29W256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-TBGA(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 非易失性 256Mbit 70 ns 闪光 32m x 8,16m x 16 平行线 70NS
MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:d -
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ECAD 1883年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53D1024 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 - -
MT62F1G64D4ZV-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D4ZV-023 wt:b 37.2450
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ECAD 7877 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT62F1G64D4ZV-023WT:b 1
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AUT:C TR 64.9800
RFQ
ECAD 6952 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E2G32D4DE-046AUT:CTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 3.5 ns 德拉姆 2G x 32 平行线 18NS
MT62F2G32D4DS-023 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AAT:c tr 63.8550
RFQ
ECAD 4836 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 1.05V 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023AAT:CTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 2G x 32 平行线 -
MT62F1G32D4DS-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 wt:b tr 23.3100
RFQ
ECAD 6157 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 1.05V 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F1G32D4DS-031WT:BTR 2,000 3.2 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 平行线 -
EDBA164B2PF-1D-F-D Micron Technology Inc. EDBA164B2PF-1D-FD -
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ECAD 6282 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 - EDBA164 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,260 533 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 平行线 -
MT55V512V36FT-10 Micron Technology Inc. MT55V512V36FT-10 17.3600
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ECAD 620 0.00000000 微米技术公司 ZBT® 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT55V512V sram-同步,ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
MT53E1536M32D4DE-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AIT:c tr 36.5850
RFQ
ECAD 3428 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - rohs3符合条件 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT:CTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 3.5 ns 德拉姆 1.5GX 32 平行线 18NS
MT58L256L32DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L32DT-7.5 4.6200
RFQ
ECAD 80 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT58L256L32 sram-同步 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 8mbit 4 ns SRAM 256K x 32 平行线 -
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBWP-10ES:b tr -
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT47H32M16HR-25E AIT:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E AIT:G Tr -
RFQ
ECAD 9621 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCDBJ5-6:d -
RFQ
ECAD 9478 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-TBGA MT29E256G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-TBGA(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT58L512L18FF-7.5 Micron Technology Inc. MT58L512L18FF-7.5 16.5800
RFQ
ECAD 96 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA sram-标准 3.135v〜3.6V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 易挥发的 8mbit 7.5 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR -
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ECAD 9496 0.00000000 微米技术公司 XCCELA™-MT35X 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MT35XU01 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 XCCELA巴士 -
MT55V512V32PT-5 Micron Technology Inc. MT55V512V32PT-5 17.3600
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ECAD 325 0.00000000 微米技术公司 ZBT® 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP SRAM -ZBT 2.375V〜2.625V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.2 ns SRAM 512K x 32 平行线 -
MT55L64L32F1T-12 Micron Technology Inc. MT55L64L32F1T-12 5.7500
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ECAD 582 0.00000000 微米技术公司 ZBT® 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP SRAM -ZBT 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 83 MHz 易挥发的 2Mbit 9 ns SRAM 64k x 32 平行线 -
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    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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