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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | MT41K1G4RG-107:n tr | - | ![]() | 9553 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K1G4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(7.5x10.6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 1G x 4 | 平行线 | - | ||
![]() | MT53E4G32D8GS-046 AIT:c | 109.4700 | ![]() | 6034 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜95°C | - | - | sdram- lpddr4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046AIT:c | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 德拉姆 | 4G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | MT47H64M8B6-25:D Tr | - | ![]() | 8921 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT29F4G01AAADDHC:d | - | ![]() | 6920 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(10.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 4G x 1 | spi | - | ||||
![]() | MT53E512M32D2FW-046自动:d | - | ![]() | 4416 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 上次购买 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AUT:d | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 512m x 32 | 平行线 | 18NS | |||||||
![]() | MT29F32G08AFABAWP:b | - | ![]() | 4207 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F32G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F128G08CECDBJ4-6R:D Tr | - | ![]() | 5317 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT41K256M16HA-125 XIT:e tr | - | ![]() | 9742 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(9x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 13.75 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | mtfc16gjvec-it | - | ![]() | 2274 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | - | mtfc16g | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT48LC32M8A2P-6A IT:G | - | ![]() | 4454 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,080 | 167 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | MT29F64G08CFACAWP:c | - | ![]() | 1215 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | M29W640GB70ZS6F TR | - | ![]() | 7423 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | M29W640 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | MT52L256M64D2PD-107 wt:b tr | - | ![]() | 1448 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 216-WFBGA | MT52L256 | sdram- lpddr3 | 1.2V | 216-FBGA(15x15) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | M29W256GH70ZA6F TR | - | ![]() | 6856 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | M29W256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 256Mbit | 70 ns | 闪光 | 32m x 8,16m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:d | - | ![]() | 1883年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53D1024 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | (1 (无限) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | - | - | |||||
![]() | MT62F1G64D4ZV-023 wt:b | 37.2450 | ![]() | 7877 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT62F1G64D4ZV-023WT:b | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53E2G32D4DE-046 AUT:C TR | 64.9800 | ![]() | 6952 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AUT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 2G x 32 | 平行线 | 18NS | |||||||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 AAT:c tr | 63.8550 | ![]() | 4836 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AAT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 2G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | MT62F1G32D4DS-031 wt:b tr | 23.3100 | ![]() | 6157 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031WT:BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | EDBA164B2PF-1D-FD | - | ![]() | 6282 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | - | EDBA164 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 533 MHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 256m x 64 | 平行线 | - | |||
![]() | MT55V512V36FT-10 | 17.3600 | ![]() | 620 | 0.00000000 | 微米技术公司 | ZBT® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT55V512V | sram-同步,ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
MT53E1536M32D4DE-046 AIT:c tr | 36.5850 | ![]() | 3428 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 48Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 1.5GX 32 | 平行线 | 18NS | |||||||
![]() | MT58L256L32DT-7.5 | 4.6200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT58L256L32 | sram-同步 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 4 ns | SRAM | 256K x 32 | 平行线 | - | ||
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:b tr | - | ![]() | 5515 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F256G08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT47H32M16HR-25E AIT:G Tr | - | ![]() | 9621 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT29E256G08CMCDBJ5-6:d | - | ![]() | 9478 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-TBGA | MT29E256G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT58L512L18FF-7.5 | 16.5800 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | |||
MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR | - | ![]() | 9496 | 0.00000000 | 微米技术公司 | XCCELA™-MT35X | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 24-TBGA | MT35XU01 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | XCCELA巴士 | - | ||||
![]() | MT55V512V32PT-5 | 17.3600 | ![]() | 325 | 0.00000000 | 微米技术公司 | ZBT® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | SRAM -ZBT | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.2 ns | SRAM | 512K x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | MT55L64L32F1T-12 | 5.7500 | ![]() | 582 | 0.00000000 | 微米技术公司 | ZBT® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | SRAM -ZBT | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | 9 ns | SRAM | 64k x 32 | 平行线 | - |
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