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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
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MT46H8M32LFB5-5 IT：h tr	-	RFQ	5500	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H8M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
MT29F1G08ABAEAH4：e	-	RFQ	9118	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT53D1024M32D4BD-046 wt：d	-	RFQ	8851	微米技术公司	-	大部分	积极的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53D1024M32D4BD-046WT：d			1,360	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT53B256M32D1Z91MWC1	-	RFQ	8804	微米技术公司	-	大部分	过时的				MT53B256				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
MT29F64G08AJABAWP-IT：b tr	-	RFQ	1213	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-				557-MT29F64G08AJABAWP-IT：BTR	过时的		1,000		非易失性	64Gbit	16 ns	闪光	8g x 8	onfi	20NS
RC28F128M29EWLA	-	RFQ	1978年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	RC28F128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	-RC28F128M29EWLA	3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	128mbit	60 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	60ns
MT29F4G16ABAFAH4-AIT：f	-	RFQ	2680	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G16	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-		（1 （无限）			过时的		1,260		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
MT53D1024M32D4DT-046 AAT：e	-	RFQ	4428	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0036	1	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT53E128M32D2DS-053 IT：a	10.4200	RFQ	2532	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E128	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E128M32D2DS-053IT：a	Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	-	-
MT25QU01GBBB8E12E-0AUT TR	19.8600	RFQ	1990	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT25QU01GBBB8E12E-0AUTTR			2,500
MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64	12.7200	RFQ	6219	微米技术公司	-	托盘	积极的				MT38Q40				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,360
MT53D768M32D2NP-046 wt：a	-	RFQ	1875年	微米技术公司	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））		557-MT53D768M32D2NP-046WT：a	过时的		1,360
MT40A512M16LY-062E自动：e tr	11.6400	RFQ	1006	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A512M16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT40A512M16LY-062EAUT：ETR	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
MT29F4T08GMLCEJ4-QM：c tr	78.1500	RFQ	1542	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4-QM：CTR			2,000
MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES：b	10.4100	RFQ	7818	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F256G08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,120	333 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
mtfc256gaxathf-wt tr	27.5700	RFQ	2030	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MTFC256GAXATHF-WTTR			2,000
MT46H64M32LFMA-6 WT：b	-	RFQ	7407	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	166 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
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MT53E256M32D2FW-046 IT：b tr	12.8100	RFQ	7773	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E256M32D2FW-046IT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	8Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 32	平行线	18NS
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MT53D512M64D4NW-053 WT ES：d	-	RFQ	6706	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	432-VFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	432-VFBGA（15x15）	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0036	1,190	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT29F2G01ABBGD12-AAT：G Tr	2.7665	RFQ	6447	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT29F2G01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G01ABBGD12-AAT：GTR		8542.32.0071	2,000	83 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-
MT62F4G32D8DV-023 wt：b	90.4650	RFQ	8128	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-023WT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES：D TR	-	RFQ	8857	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
MT62F1G64D4EK-023 FAAT：b tr	63.8550	RFQ	5248	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F1G64D4EK-023FAAT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	平行线	-
mtfc32gjwdq-4l ait z tr	-	RFQ	7963	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²