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MT48V8M16LFF4-8 XT:g tr | - | ![]() | 5439 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -20°C〜75°C(TA) | 表面安装 | 54-VFBGA | MT48V8M16 | sdram- lpsdr | 2.3v〜2.7V | 54-VFBGA(8x8) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 7 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
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![]() | MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR | - | ![]() | 2737 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | MT25QL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | (8-wpdfn (6x5)(MLP8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | |||
MT46H1M32LFB5-6:c tr | - | ![]() | 7626 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-vfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
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![]() | MT40A512M8RH-083E AAT:b | - | ![]() | 3000 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-FBGA(9x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.2 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | EDF8132A3PF-GD-FD | - | ![]() | 4893 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | EDF8132 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,680 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 256m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | M29F040B70N6E | - | ![]() | 4990 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | M29F040 | 闪光灯 -也不 | 4.5V〜5.5V | 32-tsop | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 非易失性 | 4Mbit | 70 ns | 闪光 | 512k x 8 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | MT46H32M32LFMA-6 IT:b tr | - | ![]() | 4187 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 168-WFBGA | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
MT48H8M32LFF5-8 IT | - | ![]() | 4642 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT48H8M32 | sdram- lpsdr | 1.7V〜1.95V | 90-vfbga(8x13) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 125 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 7 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
MT29F1G01ABAFD12-AATES:f | - | ![]() | 1819年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MT29F1G01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 1G x 1 | spi | - | |||||
![]() | JS28F320J3D75D TR | - | ![]() | 5315 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | JS28F320J3 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 非易失性 | 32Mbit | 75 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | 75ns | |||
![]() | MT58L1MY18DT-10 | 18.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F2T08EELCHL4-QA:c tr | 41.9550 | ![]() | 8860 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT29F2T08EELCHL4-QA:CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT46V32M4TG-5B:D Tr | - | ![]() | 1462 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V32M4 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 4 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | mtfc128gajaece-it tr | - | ![]() | 8429 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 169-LFBGA | MTFC128 | 闪存-NAND | - | 169-LFBGA(14x18) | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | MMC | - | |||||||
![]() | MT41K512M8DA-107 V:P TR | 7.4400 | ![]() | 8442 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(8x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | - |
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