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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT52L8DBQC-DC	-	RFQ	8387	微米技术公司	*	大部分	积极的				MT52L8				-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1
MT40A512M16LY-062E：e tr	-	RFQ	8981	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A512M16	SDRAM -DDR4	-	96-FBGA（7.5x13.5）	-				557-MT40A512M16LY-062EAT：ETR	过时的	8542.32.0071	2,000	1.6 GHz	非易失性	8Gbit		德拉姆	512m x 16	-	-
MT40A512M16TD-062E AIT：r tr	-	RFQ	4133	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	96-TFBGA				96-fbga（7.5x13）	-			到达不受影响	557-MT40A512M16TD-062EAIT：RTR			1
MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 Tr	-	RFQ	5705	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MT29VZZZ7				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000
MT29F1G08ABBFAH4-AAT：f	2.9984	RFQ	3752	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT：f		8542.32.0071	210		非易失性	1Gbit	25 ns	闪光	128m x 8	平行线	25ns
MT29F256G08CECABH6-10：a	-	RFQ	6230	微米技术公司	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））		557-MT29F256G08CECABH6-10：a	过时的		1,000
MT58L256L32PS-7.5	8.9300	RFQ	9	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L256L32	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	8mbit	4 ns	SRAM	256K x 32	平行线	-
MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT	-	RFQ	9581	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G56	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），256Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	64m x 16（NAND），16m x 16（lpdram）	平行线	-
MT29F4T08EULCEM4-QJ：c tr	121.0800	RFQ	8818	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08EULCEM4-QJ：CTR			2,000
JS28F320J3F75A	-	RFQ	8112	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F320J3	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	32Mbit	75 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	75ns
MT58L128L36F1T-8.5C	5.2200	RFQ	19	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4Mbit	8.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
MT62F2G64D8EK-023 wt：c tr	90.4650	RFQ	4584	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F2G64D8EK-023WT：CTR			2,000	4.266 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	2G x 64	平行线	-
MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR	4.2442	RFQ	4077	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	MT25QU128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-so	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT25QU128ABB1ESE-0AUTTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,500	166 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	1.8ms
M58LT128KSB8ZA6E	-	RFQ	8359	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	M58LT128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64-TBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	136	52 MHz	非易失性	128mbit	85 ns	闪光	8m x 16	平行线	85ns
MT48LC8M16A2F4-75：G Tr	-	RFQ	2016	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT29F2T08EELCHD4-QC：c	41.9550	RFQ	2267	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F2T08EELCHD4-QC：c			1
M36L0R7050T4ZSPE	-	RFQ	3900	微米技术公司	-	托盘	过时的				M36L0R7050				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,560
MT29F8T08EWLKEM5-ITF：k tr	257.4000	RFQ	4452	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F8T08EWLKEM5-ITF：KTR			2,000
MT29F16G08ABABAWP：b tr	-	RFQ	4285	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
MT29F1T208EGHBBG1-3RES：b tr	-	RFQ	9922	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	272-VFBGA	MT29F1T208	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	272-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	1.125Tbit		闪光	144g x 8	平行线	-
MT40A2G8NEA-062E：r tr	21.7650	RFQ	4628	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A2G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT40A2G8NEA-062E：RTR			2,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	13.75 ns	德拉姆	2G x 8	平行线	15ns
M29W800DT70N1	-	RFQ	7726	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W800	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
MT40A1G16KH-062E自动：e tr	24.0300	RFQ	8754	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x13）	下载				557-MT40A1G16KH-062EAUT：ETR			3,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	荚	15ns
MT47H256M4CF-3 IT：h	-	RFQ	1788年	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H256M4	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	256m x 4	平行线	15ns
M25P20-VMN6PBA	-	RFQ	7898	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P20	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	2,000	75 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	15ms，5ms
MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR	-	RFQ	4252	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	137-VFBGA	MT29C4G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-VFBGA（（13x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	208 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），2Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），64m x 32 lpdram）	平行线	-
MT62F1G64D4EK-026 wt：c	68.0400	RFQ	1652	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT62F1G64D4EK-026WT：c			1
MT62F512M128D8TE-031 XT：b tr	68.0400	RFQ	3667	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT62F512M128D8TE-031XT：BTR			2,000
MT58L32L32FT-10	6.4500	RFQ	49	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L32L32	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
MT41K2G4RKB-107：n tr	-	RFQ	4898	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K2G4	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	2G x 4	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²