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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT46V64M8TG-6T L：f tr	-	RFQ	7393	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT46H64M16LFCK-6 IT：Tr	-	RFQ	3632	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H64M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MT48LC4M16A2TG-7E IT：G Tr	-	RFQ	1862年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC4M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	14ns
MT53E768M32D4DT-046 AAT：e tr	29.2650	RFQ	5600	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53E768	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E768M32D4DT-046AAT：ETR	Ear99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	768m x 32	-	-
MT29F2T08CTCCBJ7-6R：c tr	-	RFQ	1982	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29F2T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000	167 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F Tr	-	RFQ	6113	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT29RZ4				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,000
MT46V64M8P-75 IT：d	-	RFQ	3004	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	-	rohs3符合条件	4 （72小时）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	750 PS	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT42L16M32D1AC-25 AAT：A Tr	-	RFQ	6641	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	MT42L16M32	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit		德拉姆	16m x 32	平行线	-
MT46V32M16TG-5B：j tr	-	RFQ	4425	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT57W1MH18CF-4	30.4500	RFQ	587	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	18mbit	450 ps	SRAM	1m x 18	HSTL	-
MT58L256L36FT-10IT	17.3600	RFQ	447	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT58L512Y36PT-5	18.3500	RFQ	423	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT29F4G01ABAFD12-AUT：f	4.2603	RFQ	2937	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F4G01ABAFD12-AUT：f			1
MT47H64M16NF-25E AIT：m tr	3.8331	RFQ	4418	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT47H64M16NF-25EAIT：MTR	Ear99	8542.32.0032	2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MT53E512M64D2NW-046 wt：b tr	23.5200	RFQ	1097	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	432-VFBGA	MT53E512			432-VFBGA（15x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E512M64D2NW-046WT：BTR			2,000
MT46V128M8TG-75：a	-	RFQ	8578	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V128M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	133 MHz	易挥发的	1Gbit	750 PS	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MT40A512M16TD-062E AIT：r tr	-	RFQ	4133	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	96-TFBGA				96-fbga（7.5x13）	-			到达不受影响	557-MT40A512M16TD-062EAIT：RTR			1
MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR	-	RFQ	7320	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT29C4G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	208 MHz	非易失性，挥发性	4Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR	10.7200	RFQ	604	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	MT25QU512	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	（8-wpdfn（8x6）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi	8ms，2.8ms
RC48F4400P0VB0E4	-	RFQ	8802	微米技术公司	Axcell™	托盘	在sic中停产	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-TBGA	RC48F4400	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- easybga（8x10）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	144	52 MHz	非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	32m x 16	平行线	100ns
MT29F32G08ABCABH1-10：A TR	-	RFQ	3849	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT49H32M18CFM-25：b tr	-	RFQ	2531	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
MT29F2G01AAAEDH4-ITX：e	-	RFQ	4254	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-
MT62F1G32D2DS-026 wt：c	22.8450	RFQ	5308	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-026WT：c			1	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT48LC16M16A2P-75 IT：d	-	RFQ	5544	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT29F4T08EMLCHD4-QJ：c	83.9100	RFQ	5287	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F4T08EMLCHD4-QJ：c			1
mtfc64gasaons-ait es tr	-	RFQ	7537	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	MTFC64	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC64GASAONS-AITERT	过时的		2,000	52 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-
MT53D768M64D8WF-053 wt：d	-	RFQ	4896	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	376-WFBGA	MT53D768	sdram- lpddr4	1.1V	376-WFBGA（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,190	1.866 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	-	-
MT46V32M8BG-5B：GTR	-	RFQ	3130	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-FBGA	MT46V32M8	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	60-fbga（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns
MT29F128G08CBCEBRT-37B：e tr	-	RFQ	5939	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	267 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²