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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
EDB1332BDBH-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-FD -
RFQ
ECAD 7953 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-VFBGA EDB1332 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 134-vfbga(10x11.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,680 533 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 32m x 32 平行线 -
MT58L64L18CT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L18CT-10 7.0500
RFQ
ECAD 22 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2B 8542.32.0041 1
MT40A256M16GE-062E:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-062E:b -
RFQ
ECAD 1604 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(9x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,020 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 256m x 16 平行线 -
EDF8132A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8132A3PF-GD-FR TR -
RFQ
ECAD 9408 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - EDF8132 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 800 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 平行线 -
N25Q128A13ESFA0F Micron Technology Inc. N25Q128A13ESFA0F 4.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,000 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 8ms,5ms
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D -
RFQ
ECAD 8873 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F512G08 Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT46V64M8T67A3WC1 Micron Technology Inc. MT46V64M8T67A3WC1 -
RFQ
ECAD 6764 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3v〜2.7V - 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 易挥发的 512Mbit 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT47H64M16HR-25E IT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E IT:h tr -
RFQ
ECAD 5626 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCBBH7-6R:b tr -
RFQ
ECAD 9539 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-TBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 152-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 166 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F8G08FACWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08FACWP:c tr -
RFQ
ECAD 2638 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F8G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 8Gbit 闪光 1G x 8 平行线 -
MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AAT:D Tr -
RFQ
ECAD 1412 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
JS28F00AP33TF Micron Technology Inc. JS28F00AP33TF -
RFQ
ECAD 4095 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F00AP33 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Q4518329 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 非易失性 1Gbit 105 ns 闪光 64m x 16 平行线 105ns
EDFA332A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA332A3PB-JD-FD -
RFQ
ECAD 9957 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - EDFA232 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,260 933 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 平行线 -
MT53E768M32D2FW-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046 AAT:c tr 32.0250
RFQ
ECAD 3941 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT53E768M32D2FW-046AAT:CTR 2,000
MT40A2G8NRE-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NRE-083E:b tr -
RFQ
ECAD 1252 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(8x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 2G x 8 平行线 -
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBSX-37B:g -
RFQ
ECAD 5742 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 267 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT53E2DBDS-DC Micron Technology Inc. MT53E2DBDS-DC 22.5000
RFQ
ECAD 1693年 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MT53E2 - 到达不受影响 557-MT53E2DBDS-DC 1,360
MT47H256M4HQ-187E:E TR Micron Technology Inc. MT47H256M4HQ-187E:E TR -
RFQ
ECAD 4863 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-FBGA MT47H256M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 易挥发的 1Gbit 350 PS 德拉姆 256m x 4 平行线 15ns
N25Q032A11ESEA0F TR Micron Technology Inc. N25Q032A11ESEA0F TR -
RFQ
ECAD 9690 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) N25Q032A11 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 8-SOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 8m x 4 spi 8ms,5ms
MT29F4G16ABBDAHC:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAHC:D Tr -
RFQ
ECAD 6638 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MT48LC16M16A2FG-7E:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2FG-7E:D Tr -
RFQ
ECAD 9204 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-VFBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 14ns
N25Q064A13ESFD0G Micron Technology Inc. N25Q064A13ESFD0G -
RFQ
ECAD 6884 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) N25Q064A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,225 108 MHz 非易失性 64mbit 闪光 16m x 4 spi 8ms,5ms
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-ATX:e -
RFQ
ECAD 4616 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F2G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 960 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT58L64L32DT-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L64L32DT-7.5Tr 5.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 MHz 易挥发的 2Mbit 4 ns SRAM 64k x 32 平行线 -
MT62F512M32D2DS-031 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M32D2DS-031 AAT:b tr 17.4150
RFQ
ECAD 3865 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 - 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F512M32D2DS-031AAT:BTR 2,000 3.2 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 平行线 -
MT57W2MH8CF-5 Micron Technology Inc. MT57W2MH8CF-5 28.3700
RFQ
ECAD 518 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA sram-同步 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 18mbit 450 ps SRAM 2m x 8 HSTL -
MT58L256L18F1T-10IT Micron Technology Inc. MT58L256L18F1T-10IT 6.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
EDFA164A2PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2PF-GD-FR TR -
RFQ
ECAD 8711 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - EDFA164 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 800 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 平行线 -
M25P40-VMP6TGB TR Micron Technology Inc. M25P40-VMP6TGB TR -
RFQ
ECAD 2167 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 M25P40 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V (8-vdfpn(6x5)(MLP8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi 15ms,5ms
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR -
RFQ
ECAD 1870年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B384 sdram- lpddr4 1.1V - - 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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