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内存（（10402）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT53D384M64D4TZ-053 WT ES：C TR	-	RFQ	2827	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.866 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-
MT49H32M18CFM-18：b	-	RFQ	5500	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	533 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
EMB8132B4PM-DV-FD	-	RFQ	3325	微米技术公司	-	大部分	积极的				EMB8132				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,680
MT48V8M16LFB4-8：G。	-	RFQ	3883	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48V8M16	sdram- lpsdr	2.3v〜2.7V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	125 MHz	易挥发的	128mbit	7 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT29F128G08AUCBBH3-12IT：b tr	-	RFQ	3120	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT58L64L18CT-10	7.0500	RFQ	22	微米技术公司	-	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	1
MT29F16G16ADBCAH4-IT：c tr	-	RFQ	2141	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F16G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	16Gbit		闪光	1G x 16	平行线	-
N25Q256A83ESFA0F TR	-	RFQ	6446	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	N25Q256A83	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000	108 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	64m x 4	spi	8ms，5ms
MT40A512M16LY-062E：e	-	RFQ	9421	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A512M16	SDRAM -DDR4	-	96-FBGA（7.5x13.5）	-				557-MT40A512M16LY-062EAT：e	过时的	8542.32.0071	180	1.6 GHz	非易失性	8Gbit		德拉姆	512m x 16	-	-
MT29F128G08CBCEBJ4-37：e tr	-	RFQ	1139	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	267 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT29F4G08ABAEAWP-IT：e	-	RFQ	1255	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT42L64M64D2MP-25 IT：a	-	RFQ	7307	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	220-WFBGA	MT42L64M64	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v	220-fbga（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	400 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	64m x 64	平行线	-
MT62F1536M64D8EK-023 WT：b tr	67.8450	RFQ	6633	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F1536M64D8EK-023WT：BTR			1,500	4.266 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	1.5GX 64	平行线	-
MT61K512M32KPA-14：c	25.3500	RFQ	3256	微米技术公司	-	盒子	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	180-TFBGA		sgram -gddr6	1.3095V〜1.3905V	180-FBGA（12x14）	-				557-MT61K512M32KPA-14：c			1	7 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	POD_135	-
EDFP112A3PF-GDTJ-FR TR	-	RFQ	9736	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	EDFP112	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	800 MHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	192m x 128	平行线	-
EDB1332BDBH-1DIT-FD	-	RFQ	7953	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	EDB1332	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,680	533 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	32m x 32	平行线	-
MT58L512Y36PT-5	18.3500	RFQ	423	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT29F8G08BAAWP：A Tr	-	RFQ	4311	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F8G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	平行线	-
MT29C2G24MAAAAAAAHAKC-5 E IT	-	RFQ	2422	微米技术公司	-	盒子	过时的				MT29C2G24M				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1
MT55V512V32PT-5	17.3600	RFQ	325	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	2.375V〜2.625V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.2 ns	SRAM	512K x 32	平行线	-
MT55L256L36PT-10	8.2400	RFQ	82	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55L256L	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	8mbit	5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
N25Q512A83G1241F TR	-	RFQ	4734	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q512A83	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	108 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	128m x 4	spi	8ms，5ms
N25Q016A11ESC40G	-	RFQ	6902	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	N25Q016A11	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-sop	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	2,000	108 MHz	非易失性	16mbit		闪光	4m x 4	spi	8ms，1ms
MT29F256G08AMCBBH7-6IT：b tr	-	RFQ	1649年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	152-TBGA	MT29F256G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	152-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	167 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT46V64M8FN-75 L：d	-	RFQ	9758	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（10x12.5）	-	Rohs不合规	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	750 PS	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4 TR	-	RFQ	2769	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000
EDFA232A2MA-GD-FR TR	-	RFQ	7730	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDFA232	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,000	800 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	平行线	-
MT54W512H36BF-7.5	23.6300	RFQ	170	微米技术公司	QDR®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	500 ps	SRAM	512k x 36	HSTL	-
MT41K2G8KJR-125：a tr	-	RFQ	4244	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K2G8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（9.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	800 MHz	易挥发的	16Gbit	13.5 ns	德拉姆	2G x 8	平行线	-
MT55V512V36PT-10	17.3600	RFQ	285	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55V512V	sram-异步，ZBT	2.375V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²